发光晶闸管、发光元件芯片、光学打印头和图像形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光晶闸管、发光元件芯片、光学打印头和图像形成装置。发光晶闸管包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，与第一半导体层相邻布置；第一导电类型的第三半导体层，与第二半导体层相邻布置；和第二导电类型的第四半导体层，与第三半导体层相邻布置。第一半导体层包括与第二半导体层相邻的活性层，第二半导体层包括与活性层相邻的第一层和布置在第一层和第三半导体层之间的第二层，并且第一层具有比活性层的带隙和第二层的带隙宽的带隙。

【技术实现步骤摘要】
发光晶闸管、发光元件芯片、光学打印头和图像形成装置
本专利技术涉及发光晶闸管、包括该发光晶闸管的发光元件芯片、包括该发光元件芯片的光学打印头、以及包括该光学打印头的图像形成装置。
技术介绍
常规上，配备有包括多个发光元件作为曝光装置的光学打印头的电子照相型的图像形成装置是普遍的。在这样的图像形成装置中，通过将从光学打印头发射的光施加到感光鼓的表面来在感光鼓的表面上形成静电潜像。作为包括在光学打印头中的发光元件，作为三端子发光元件的发光晶闸管是公知的。例如，参见日本专利申请公开号2010-239084。然而，要求发光晶闸管具有比常规发光晶闸管更优异的发光性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有优异发光性能的发光晶闸管、包括该发光晶闸管的发光元件芯片、包括该发光元件芯片的光学打印头、以及包括该光学打印头的图像形成装置。根据本专利技术的一个方面的发光晶闸管包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，与第一半导体层相邻布置；第一导电类型的第三半导体层，与第二半导体层相邻布置；和第二导电类本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光晶闸管，包括：/n第一导电类型的第一半导体层；/n第二导电类型的第二半导体层，与第一半导体层相邻布置；/n第一导电类型的第三半导体层，与第二半导体层相邻布置；和/n第二导电类型的第四半导体层，与第三半导体层相邻布置，其中/n第一半导体层包括与第二半导体层相邻的活性层，/n第二半导体层包括与活性层相邻的第一层和布置在第一层和第三半导体层之间的第二层，并且/n第一层具有比活性层的带隙和第二层的带隙宽的带隙。/n

【技术特征摘要】
20181227 JP 2018-2449991.一种发光晶闸管，包括：
第一导电类型的第一半导体层；
第二导电类型的第二半导体层，与第一半导体层相邻布置；
第一导电类型的第三半导体层，与第二半导体层相邻布置；和
第二导电类型的第四半导体层，与第三半导体层相邻布置，其中
第一半导体层包括与第二半导体层相邻的活性层，
第二半导体层包括与活性层相邻的第一层和布置在第一层和第三半导体层之间的第二层，并且
第一层具有比活性层的带隙和第二层的带隙宽的带隙。


2.根据权利要求1所述的发光晶闸管，其中所述第二层的带隙等于所述活性层的带隙。


3.根据权利要求1所述的发光晶闸管，其中所述第二层的带隙宽于所述活性层的带隙。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光晶闸管，其中所述第一层的杂质浓度低于所述活性层的杂质浓度并且等于所述第二层的杂质浓度。


5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光晶闸管，其中所述第一层的杂质浓度低于所述活性层的杂质浓度并且高于所述第二层的杂质浓度。


6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光晶闸管，其中所述第一半导体层的杂质浓度高于所述第二半导体层的杂质浓度和所述第三半导体层的杂质浓度。


7.根据权利要求1至3中任一项所述的发光晶闸管，其中所述第四半导体层的杂质浓度高于所述第二半导体层的杂质浓度和所述第三半导体层的杂质浓度。


8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光晶闸管，其中，
所述活性层是AlGaAs层，其Al组分比大于或等于0.14且小于或等于0.18，
所述第二层是AlGaAs层，其Al组分比大于或等于0.14且小于或等于0.25，
所述第三半导体层是AlGaAs层，其Al组分比大于或等于0.14且小于或等于0.25，并且
所述第一层是AlGaAs层，其Al组分比大于或等于0.2且小于或等于0.5。


9.根据权利要求1至3中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：川田宽人，谷川兼一，十文字伸哉，石川琢磨，高桥千优，
申请(专利权)人：日本冲信息株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP