【技术实现步骤摘要】
一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构
本专利技术属于发光材料制备
，具体涉及一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构。
技术介绍
随着半导体超晶格、半导体量子点的研制成功，光电材料的范围得到了极大的拓展，半导体材料的设计和制造从“杂质工程”发展到“能带工程”，由此产生了量子阱器件，其优越的发光性能使得量子阱器件在光致发光材料领域中得到了极为广泛的应用。量子阱器件，指采用半导体材料作为有源区的光电子器件，是由交替生长的两种半导体材料(包括势垒和势阱)组成的周期性结构。这类器件的特点在于量子阱有源区具有准二维特性和量子尺寸效应，二维电子空穴的态密度是台阶状分布，量子尺寸效应使电子空穴的能级不再连续，而是集中占据着量子化第一子能级，半峰宽缩窄且价带上轻重空穴的简并被解除，价带间的吸收降低。如果量子阱的势垒的宽度较大，使得两个相邻势阱中的电子波函数互不重叠，那么就此形成的量子阱将是相互独立的，这就是多量子阱。多量子阱的光学性质与单量子阱的相同，而强度则是单量子阱的线性迭加。因而，量子阱器件的优越性使它得以不断的被应用于各种...
【技术保护点】
1.一种量子阱结构的制备方法，其特征在于，包括：/n注入掺杂金属、势垒层阳离子前驱体和势垒层阴离子前驱体，在衬底的表面进行沉积，制备势垒层；/n先后注入量子点阴离子前驱体和量子点阳离子前驱体，在所述势垒层的表面进行沉积，制备半导体量子点；/n其中，所述掺杂金属原子缺电子，且所述掺杂金属的半径与势垒层阳离子的半径之差的绝对值为0.1～0.3埃。/n
【技术特征摘要】
1.一种量子阱结构的制备方法，其特征在于，包括：
注入掺杂金属、势垒层阳离子前驱体和势垒层阴离子前驱体，在衬底的表面进行沉积，制备势垒层；
先后注入量子点阴离子前驱体和量子点阳离子前驱体，在所述势垒层的表面进行沉积，制备半导体量子点；
其中，所述掺杂金属原子缺电子，且所述掺杂金属的半径与势垒层阳离子的半径之差的绝对值为0.1～0.3埃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：多次循环制备所述势垒层与所述半导体量子点。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备所述势垒层具体包括如下步骤：
在晶体转化临界温度以下，注入掺杂金属、势垒层阳离子前驱体和势垒层阴离子前驱体，在衬底的表面上进行沉积，制备势垒层前驱体；
在晶体转化临界温度以上，继续注入所述势垒层阳离子前驱体和所述势垒层阴离子前驱体，在所述势垒层前驱体上进行沉积，制备势垒层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，控制衬底的温度在晶体转化临界温度以下，注入掺杂金属、势垒层阳离子前驱体和势垒层阴离子前驱体，在衬底的表面上进行沉积，制备势垒层前驱体，其中，所述衬底的温度为150～180℃；和/或
控制所述衬底的温度在晶体转化临界温度以上，继续注入所述势垒层阳离子前驱体和所述势垒层阴离子前驱体，在所述势垒层前驱体上进行沉积，制备势垒层，其中，所述衬底温度为250～300℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂金属为Be、Mn、Mg、Ca、Sr、Ba或Ra；和/或
所述掺杂金属与所述势垒层阳离子的摩尔比为(0.01～0.1):1。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述势垒层阳离子前驱体为IIB族原子，所述势垒层阴离子前驱体为VIA族原子；
或，所述势垒层阳离子前驱体为IIIA族原子，所述势垒层阴离子前驱体为VA族原子。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述量子点阳离子前驱体为IIB族原子，所述量子点阴离子前驱体为VIA族原子；
或，所述量子点阳离子前驱体为IIIA族原子，所述量子点阴离子前驱体为VA族原子。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述势垒层阴离子前驱体与所述量子点阴离子前驱体相同。
9.根据权利要求1至8任一项所述的制备方法，其特征在于，在制备所述半导体量子点的过程中，沉积时间为25～30s；和/或
所述量子点阴离子前驱体比所述量子点阳离子前驱体早注入10～15s；和/或
所述半导体量子点的厚度为4～6nm。
10...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶炜浩，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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