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本发明属于发光材料制备技术领域，具体涉及一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构。本发明所提供的制备方法，包括：注入掺杂金属、势垒层阳离子前驱体和势垒层阴离子前驱体，在衬底的表面进行沉积，制备势垒层；先后注入量子点阴离子前驱体和量子点阳离子前驱...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。

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