一种micro LED芯片制程方法及micro LED外延片技术

本申请涉及一种micro LED芯片制程方法及micro LED外延片，所述方法包括：在生长基底上每颗micro LED芯片的生长区域涂布光阻剂；在所述生长区域的边界生长磊晶隔绝墙；将所述生长基底上的所述光阻剂去除，留下所述磊晶隔绝墙；在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到micro LED磊晶；按照所述磊晶隔绝墙对所述生长基底进行切割，得到至少两颗micro LED磊晶。通过本申请中对芯片的生长区域之间设置磊晶隔绝墙并按照磊晶隔绝墙进行切割，避免直接对生长完成的外延片切割导致原子断键的产生，提高了电子电洞复合效率。

A process method of micro LED chip and micro LED epitaxial chip

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种microLED芯片制程方法及microLED外延片
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种microLED芯片制程方法及microLED外延片。
技术介绍
目前制作microLED需要使用MOCVD设备得到磊晶完成的外延片，再用光阻剂确定所需要的microLED芯片尺寸后，在外延片每颗芯片的位置上做正负电极，再将外延片切割成一颗颗芯片。然而这种制作方式，切割后的芯片会在磊晶层四周产生原子断键(学名称为悬浮键，danglingbond)，原子断键的部分会捕捉电子与电洞，使电子电洞复合效率下降，芯片尺寸越小，此现象越严重。因此，现有技术有待改进。
技术实现思路
本申请要解决的技术问题是，提供一种microLED芯片制程方法及microLED外延片，避免直接对生长完成的外延片切割导致原子断键的产生，提高了电子电洞复合效率。第一方面，本申请实施例提供了一种microLED芯片制程方法，所述方法包括：在生长基底上每颗microLED芯片的生长区域涂布光阻剂；在所述生长区域的边界生长磊晶隔绝墙；<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种micro LED芯片制程方法，其特征在于，所述方法包括：/n在生长基底上每颗micro LED芯片的生长区域涂布光阻剂；/n在所述生长区域的边界生长磊晶隔绝墙；/n将所述生长基底上的所述光阻剂去除，留下所述磊晶隔绝墙；/n在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到micro LED磊晶；/n按照所述磊晶隔绝墙对所述生长基底进行切割，得到至少两颗micro LED磊晶。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种microLED芯片制程方法，其特征在于，所述方法包括：
在生长基底上每颗microLED芯片的生长区域涂布光阻剂；
在所述生长区域的边界生长磊晶隔绝墙；
将所述生长基底上的所述光阻剂去除，留下所述磊晶隔绝墙；
在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到microLED磊晶；
按照所述磊晶隔绝墙对所述生长基底进行切割，得到至少两颗microLED磊晶。


2.根据权利要求1所述的microLED芯片制程方法，其特征在于，所述在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到microLED磊晶，包括：
将所述生长基底放入MOCVD机台生长非掺杂半导体层和第一半导体层；
将靠近所述磊晶隔绝墙预设范围内的所述第一半导体层变薄；
在所述生长基底上继续依次生长所述发光层、所述第二半导体层、所述第一欧姆金属层和所述第二欧姆金属层。


3.根据权利要求1所述的microLED芯片制程方法，其特征在于，所述在所述生长区域内生长第一半导体层、发光层、第二半导体层，得到microLED磊晶，包括：
将所述生长基底放入MOCVD机台生长第一半导体层；
将靠近所述磊晶隔绝墙预设范围内的所述第一半导体层变薄；
在所述生长基底上继续依次生长所述发光层、所述第二半导体层、所述第一欧姆金属层和所述第二欧姆金属层。


4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨顺贵，黄嘉宏，林雅雯，黄国栋，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50