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一种半导体器件，包括衬底和接合到衬底的半导体薄膜，其中半导体薄膜包括多个分立工作区和隔离多个分立工作区的元件隔离区，且将元件隔离区蚀刻到比半导体薄膜的厚度更浅的深度，并且是比多个分立工作区更薄的区域。...
该专利属于日本冲信息株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本冲信息株式会社授权不得商用。

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