一种发光二极管的结构及其制造方法技术

本发明专利技术是采用高导电性与高反射率的金属基板，取代传统吸光的砷化镓基板，并在二极管制造完成后再采用半导体制程形成串接导线，以使两相邻的发光二极管形成串联。其技术特征包含以粘以镜面保护层保护发光二极管磊晶片的金属反射层ｐ及ｎ个电极，一高一低，因此而形成具有高导热与高反射率基板的ｐ、ｎ电极同侧的发光二极管。再利用蚀刻技术对两个相邻发光二极管磊晶片连接处施以蚀刻以形成沟渠，再形成一介电层填入沟渠，并保护相邻发光二极管之侧壁。最后再形成连线金属层，用以将一发光二极管的ｐ电极连接至ｎ电极，完成二个发光二极管的串接。本发明专利技术的发光二极管大幅度提高了发光二极管的发光效率，增加了发光强度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种发光二极管(Light Emitting Diode；LED)晶片的结构及其制造方法。特别是一种有关p、n两电极同向的磷化铝镓铟(AlGaInP)及砷化铝镓发光二极管的结构及其制造方法。
技术介绍
传统的磷化铝镓铟发光二极管具有一双异质结构(Double Heterostructure；DH)，其构造如图5所示，是在一n型砷化镓(GaAs)基板(Substrate)3上成长一铝含量在70％-100％的n型(AlxGa1-x)0.5In0.5P的下包覆层4、一(AlxGa1-x)0.5In0.5P的活性层5、一铝含量在70％-100％的p型(AlxGa1-x)0.5In0.5P的上包覆层6，以及一p型高能隙的电流分散层(Current Spreading Layer)7，这一层的材料可以是磷化镓、磷砷化镓、磷化铟镓或砷化铝镓等。接着利用改变活性层5的组成，便可以改变发光二极管发光波长，使其产生从650nm红色至555nm纯绿色的波长。但这种传统的发光二极管有一个缺点，就是活性层产生的光，往下入射至砷化镓基板3时，由于砷化镓基板3的能隙较小，因此入射至砷化镓基板3的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于：包含两个多层磷化铝镓铟磊晶层结构被以一介电层隔离，而构成第一晶粒及第二晶粒；一金属层形成于介电层上并与所述两个多层磷化铝镓铟磊晶层结构的各一相反电性的电极连接，以构成串联结构；所述每一个磊晶层结构包含：一上包覆层、一活性层、以及一下包覆层；一欧姆接点磊晶层形成于所述上包覆层上；一第一欧姆接点金属电极层形成于欧姆接点磊晶层上；一镜面保护层形成于该欧姆接点磊晶层上，并包覆该第一欧姆接点金属电极层；一金属粘接层；一高导热基板；一非导体型保护层形成于高导热基板上，并以金属粘接层粘合于镜面保护层上；一第二欧姆接点金属电极层形成于该下包覆层上；每一多层磷化铝镓铟包含一连接通道于...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林锦源，杜全成，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]