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本发明是采用高导电性与高反射率的金属基板，取代传统吸光的砷化镓基板，并在二极管制造完成后再采用半导体制程形成串接导线，以使两相邻的发光二极管形成串联。其技术特征包含以粘以镜面保护层保护发光二极管磊晶片的金属反射层ｐ及ｎ个电极，一高一低，因此...
该专利属于晶元光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶元光电股份有限公司授权不得商用。

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