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电子元件模件及其制造方法技术

技术编号:3204199 阅读:101 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种电子元件模件具有一个装置侧模块(A)和一个天线侧模块(B)。装置侧模块(A)装备有一个第一介电基底(11)和一个高频装置(13),上述第一介电基底(11)形成为具有一个第一传输线(11a),而上述高频装置(13)安装在第一介电基底(11)上,并与第一传输线(11a)连接。天线侧模块(B)装备有一个第二介电基底(12)和一个天线元件(14),上述第二介电基底以这种方式铺放在第一介电基底(11)上,以使它们在一叠层方向(12)上安装,并形成为具有一个第二传输线(12a),所述第二传输线(12a)电连接到第一传输线(11a)上,而上述无线元件(14)设置在第二介电基底(12)上,并通过第二传输线(12a)和第一传输线(11a)电连接到高频装置(13)上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,更具体地说,涉及一种在增加一种电子元件模件带宽方面有效的技术。
技术介绍
随着电子设备小型化和功能性增加的最近趋势,需要有一些电子元件模件,在所述电子元件模件中,包括若干电子元件如高频装置的一种模块与一个天线元件成为整体。在这种天线集成式电子元件模件中,理想情况是,为了改善它们的特性,一种装备有天线的基底用一种低介电常数的材料制造。通常,如在JP-A-9-237867中所公开的,提出了一种天线集成式电子元件模件,在所述天线集成式电子元件模件中,通过利用电磁耦合经由一个槽给一个天线提供电力。然而,槽测量所用波长λ的1/2(亦即λ/2)。因此,槽和模块的实际尺寸必需由所用的一个频率支配。这限制了电子元件模件小型化的自由度。另外,由于采用λ/2槽,所以一个单通频带的宽度受各种槽尺寸限制,这种情况是增加电子元件模件带宽的一个障碍。
技术实现思路
由于上述原因,本专利技术的一个目的是提供一种天线集成式电子元件模件,所述天线集成式电子元件模件可以小型化并使带宽增加。为了达到上述目的,按照本专利技术所述的一种电子元件模件其特征在于包括一个装置侧模块,所述装置侧模块包括一个第一介电基底和一个高频装置,上述第一介电基底形成为具有一个第一传输线,而上述高频装置安装在第一介电基底上,并与第一传输线连接;和一个天线侧装置,所述天线侧装置包括一个第二介电基底和一个天线元件,上述第二介电基底以这种方式铺放在第一介电基底上,以使它们在一个叠层方向上安装,并且形成为具有一个第二传输线,上述第二传输线电连接到第一传输线上,而上述天线元件设置在第二介电基底上,并通过第二传输线和第一传输线电连接到高频装置上。本专利技术的一个优选实施例其特征还在于包括一个第三介电基底,所述第三介质基底形成为具有一个通孔,在所述通孔中插入第一介电基底,上述第三介质基底安装有一个低频功能元件,固定到第二介质基底上,并电连接到第一介质基底上。本专利技术的一个更优选的实施例其特征在于第一介质基底用陶瓷制造。本专利技术的另一个更优的实施例其特征在于第一介质基底用LTCC(低温共烧成陶瓷)制造。本专利技术的另一个更优选的实施例其特征在于第二介电基底用一种树脂制造。本专利技术还有另一个更优选的实施例其特征在于第一介电基底形成为具有一个空腔,和高频装置安装在上述空腔中。本专利技术另一个更优选的实施例其特征在于第一介电基底设置屏蔽装置,所述屏蔽装置包围高频装置,并由此电磁屏蔽上述高频装置。本专利技术的另一个更优选的实施例其特征在于屏蔽装置逐个地电磁式屏蔽多个高频装置。本专利技术的还有另一个更优选的实施例其特征在于屏蔽装置包括一个屏蔽层和一个盖件,上述屏蔽层在第一介电基底中形成,而上述盖件密封若干高频装置。本专利技术的另一个更优选的实施例其特征在于第一介电基底和第二介电基底相互叠层。为了达到上述目的,一种按照本专利技术所述的电子元件模件制造方法其特征在于包括以下步骤通过以这种方式将一个高频装置安装在第一介电基底上形成一个装置侧模块,以便将高频装置连接到一个第一传输线上;通过将一个天线元件设置在一个第二介电基底上形成一个天线侧模块,以便将天线元件连接到一个第二传输线上;及使第一介电基底和第二介电基底在一个叠层方向上相互接合,并由此使第一传输线和第二传输性相互电连接。本专利技术的一个优选实施例其特征在于第一介电基底和第二介电基底的接合按下述步骤进行将一种导电接合材料涂布到第一传输线的一部分和第二传输线的一部分二者至少其中之一上,上述第一传输线的一部分暴露于第一介电基底待接合到第二介电基底上的表面中,而上述第二传输线的一部分暴露于第二介电基底待接合到第一介电基底上的表面中;使第一传输线和第二传输线相互对准并相互铺放第一介电基底和第二介电基底;及使导电接合材料固化,并由此在第一传输线和第二传输线之间形成电连续性情况下使第一传输线和第二传输线相互固定。本专利技术的一个更优选的实施例其特征在于导电接合材料是焊剂。本专利技术的另一个更优选的实施例其特征在于导电接合材料是一种含有一种金属的导电树脂糊。一般,这种含有一种金属的导电树脂通过向其加热固定。本专利技术提供下列优点。在本专利技术中,在第一介电基底11中所形成的第一传输线和在第二介电基底12中所形成的第二传输线相互直接电连接,上述第一介电基底安装有高频装置,而上述第二介电基底设置有天线元件。因此,模块的实际尺寸不受所用的一个频率支配,或者单通频带不受一个槽的尺寸限制。这使它能小型化,并增加一种天线集成式电子元件模件的带宽。在设置第三介电基底的地方,第一介电基底可以利用第三介电基底的通孔相对于第二介电基底的通孔定位,上述第三介电基底安装有低频功能元件并形成通孔,在所述通孔中插入第一介电基底。在第一介电基底用陶瓷如LTCC制成的地方,高频装置可以通过热压粘合法安装在第一介电基底上。在第二介电基底用一种树脂制成的地方,天线效率可以增加。在高频装置安装在第一介电基底内所形成的空腔中的地方,可以降低电子元件模件的高度和损失。在第一介电基底装备有屏蔽装置的地方,防止了来自外部电子设备的电磁波动,并因此可以使操作稳定,上述屏蔽装置包围高频装置,并因此电磁屏蔽所述高频装置。在屏蔽装置逐个地电磁式屏蔽多个高频装置的地方,改善了各装置之间的隔离特性,并因此可以使操作特性更稳定。按照一种电子元件模件的制造方法,其中装置侧模块和天线侧模块分开形成,和然后相互接合,可以构造成一种天线集成式电子元件模件,其中第一介电基底和第二介电基底处于这种组合,即它们不能象在第一介电基底和第二介电基底分别用陶瓷和一种树脂制造的组合中那样同时烧成。在第一介电基底中所形成的第一传输线一个露出部分和在第二介电基底中所形成的第二传输线一个露出部分用一种导电接合材料如焊剂相互固定的地方,例如,在一种焊剂糊可以涂布到各传输线露出部分的地方,熔化的焊剂只跨过具有小接触角的第一传输线和第二传输线露出的表面延伸。因此,第一介电基底和第二介电基底正确地定位。需要精细对准的第一传输线和第二传输线的接合可以正确地进行。附图说明图1是按照本专利技术一个实施例所述的一种电子元件模件剖视图。图2是其中图1的电子元件模件分解成构成元件的剖视图。图3是按照本专利技术另一个实施例所述的一种电子元件剖视图。图4是按照本专利技术还有另一个实施例所述的一种电子元件剖视图。图5是按照本专利技术另一个实施例所述的一种电子元件部件分解透视图。具体实施例方式下面将参照附图详细说明实施本专利技术的最佳方式。在附图中,同样构件给出同样标号。多余的说明将略去。下面的说明将针对用于实施本专利技术的最佳方式,并因此本专利技术不限于下面的说明。如图1中所示,按照这个实施例所述的电子元件模件10装备一个第一介电基底11和一个第二介电基底12,上述第一介电基底11具有一种叠层结构,并用一种陶瓷电介质如LTCC(低温共烧成陶瓷),而上述第二介电基底12用一种树脂电介质如一种氟树脂,一种BT(聚1-丁烯)树脂,一种PPE(0)(聚苯醚)树脂,或一种接枝共聚树脂制成,并铺放在第一介电基底11上(亦即,基底11和基底12安排在叠层方向上)。第一介电基底11和第二介电基底12分别构成一个装置侧模块A和一个天线侧模块B。第一传输线11a在第一介电基底11内的各层中形成,而第二传输线12a在第二介电基底中形成。第一传输线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件模件,其特征在于包括:装置侧模块,所述装置侧模块包括:第一介电基底,所述第一介电基底形成为具有第一传输线;及高频装置,所述高频装置安装在第一介电基底上并连接到第一传输线上;及天线侧模块,所述天线侧 模块包括:第二介电基底,所述第二介电基底以这种方式铺放在第一介电基底上,以使它们沿叠层方向安排,并形成为具有第二传输线,所述第二传输线与第一传输线连接;及天线元件,所述天线元件设置在第二介电基底上,并通过第二传输线和第一传输 线电连接到高频装置上。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-10 317757/031.一种电子元件模件,其特征在于包括装置侧模块,所述装置侧模块包括第一介电基底,所述第一介电基底形成为具有第一传输线;及高频装置,所述高频装置安装在第一介电基底上并连接到第一传输线上;及天线侧模块,所述天线侧模块包括第二介电基底,所述第二介电基底以这种方式铺放在第一介电基底上,以使它们沿叠层方向安排,并形成为具有第二传输线,所述第二传输线与第一传输线连接;及天线元件,所述天线元件设置在第二介电基底上,并通过第二传输线和第一传输线电连接到高频装置上。2.按照权利要求1所述的电子元件模件,还包括形成有通孔并在所述通孔中插入第一介电基底的第三介电基底,安装有低频功能元件,固定到第二介电基底上,并与第一介电基底电连接。3.按照权利要求1所述的电子元件模件,其中第一介电基底用陶瓷制成。4.按照权利要求3所述的电子元件模件,其中第一介电基底用低温共烧成陶瓷制成。5.按照权利要求1所述的电子元件模件,其中第二介电基底用一种树脂制成。6.按照权利要求1所述的电子元件模件,其中第一介电基底形成有空腔,并且高频装置安装在上述空腔中。7.按照权利要求1所述的电子元件模件,其中第一介电基底装备有屏蔽装置,所述屏蔽装置包围高频装置,并因而电磁屏蔽所述高频装置。8.按照权利要求7所述的电子元件模件,其中屏蔽装置独立地电...

【专利技术属性】
技术研发人员:味冈惠理子仓田仁义下田秀昭浅见茂
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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