本发明专利技术提供一种粘合片，在拾取工序中芯片的拾取性不会随时间经过而劣化、且可使用于切割前有加温工序及无加温工序的两种生产线。所述粘合片，其由在基材膜上形成有粘着剂层而成，所述基材膜含聚氯乙烯与聚酯类可塑剂，所述粘着剂层由粘着剂组成物所成，其中，所述粘着剂组成物含有100质量份的(甲基)丙烯酸共聚物以及0.01～5质量份的异氰酸酯类硬化剂，所述(甲基)丙烯酸共聚物含有40～90质量％的(甲基)丙烯酸丁酯单元、5～55质量％的(甲基)丙烯酸甲酯单元以及0.1～10质量％的含羟基的单体单元，所述(甲基)丙烯酸共聚物的重量平均分子量是40～100万。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及一种粘合片及使用该粘合片的电子元件的制造方法。
技术介绍
通常，对于半导体晶圆，在形成电路后贴合粘合片，并将其切割（dicing)成元 件小片，之后进行清洗、干燥、粘合片的延展（expanding)、自粘合片的元件小片的拾取 (pickup)、安装（mounting)等各个工序。作为在运些工序中所使用的切割用及/或搬运用 的粘合片，专利文献1中记载了在基材上使用聚氯乙締的技术。另外，作为粘着剂组成物，专利文献2中记载了使用（甲基）丙締酸共聚物的组成 物。 专利文献 阳0化]专利文献1 :日本特开2006-049509号公报 专利文献2 :日本特开2007-246633号公报 然而，现有作为基材使用了聚氯乙締的粘合片，随着时间经过会出现可塑剂从基 材转移至粘着剂层的现象，导致拾取工序的忍片拾取性发生问题。 此外，将粘合片使用于晶圆或封装基板等被粘体的切割时，有两种情形，一是将粘 合片贴合到被粘体上并加溫至75Γ左右后再进行切割的情形，二是不加热而直接切割的情 形。加溫是在被粘体与粘合片之间的粘着性不佳时，为了提高被粘体与粘合片之间的粘着 性W防止忍片飞散所进行的，但是，进行加溫后，切割后的忍片的拾取性可能会劣化。 另外，若将粘着剂的组成调整为即使进行加溫也不会使切割后的忍片的拾取性劣 化，则可能会发生未加溫时的粘着性劣化的情形。 由于会出现上述情形，因此，根据现有技术，很难在无加溫的生产线与有加溫的生 产线使用相同粘合片，而只能分别使用专口为了无加溫或有加溫而设计的不同粘合片。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供在拾取工序中忍片的拾取性不会随时间经过而劣化、且可 使用于切割前有加溫工序及无加溫工序的两种生产线的粘合片，W及使用该粘合片的电子 元件的制造方法。 本专利技术所提供的粘合片，其由在基材膜上形成有粘着剂层而成，所述基材膜含聚 氯乙締与聚醋类可塑剂，所述粘着剂层由粘着剂组成物所成，其中，所述粘着剂组成物含有 100质量份的（甲基）丙締酸共聚物W及0. 01~5质量份的异氯酸醋类硬化剂，所述（甲 基）丙締酸共聚物含有40~90质量％的（甲基）丙締酸下醋单元、5~55质量％的（甲 基）丙締酸甲醋单元W及0. 1~10质量％的含径基的单体单元，所述（甲基）丙締酸共聚 物的重量平均分子量是40~100万。 本专利技术的专利技术人为解决忍片的拾取性随时间经过劣化的问题而进行了精屯、研究， 结果发现作为粘着剂组成物使用将（甲基）丙締酸共聚物当作基底树脂者，并且作为可塑 剂使用聚醋类可塑剂时，可防止忍片的拾取性随时间经过劣化的问题。 并且，为开发可同时使用于无加热工序的生产线及有加热工序的生产线的粘合片 也进行了研究，结果发现将上述组成的（甲基）丙締酸共聚物当成基底树脂，使其含有上述 含量的异氯酸醋类硬化剂，且将环氧树脂硬化剂的含量限制在上述范围内时，无论是否加 溫，均可拥有良好的忍片保持性及拾取性，W致完成本专利技术。 本专利技术中尤为重要的是：藉由有特定组成的（甲基）丙締酸共聚物与有特定组成 的硬化剂的组合，才能得到无论是否有加溫工序均能获得实现良好的忍片保持性W及拾取 性等优越特性的粘合片。本专利技术的专利技术人使用各种组成的（甲基）丙締酸共聚物与各种 组成的硬化剂的组合进行了实验，然而只要共聚物与硬化剂的任何一个组成在上述范围之 夕F，均会导致无加溫工序及/或有加溫工序时的忍片保持性及/或拾取性劣化，因此，无法 获得期望的粘合片。 优选地，所述（甲基）丙締酸共聚物中，所述（甲基）丙締酸下醋单元的含量是 50~80质量％、所述（甲基）丙締酸甲醋单元的含量是15~45质量％。 优选地，所述含径基的单体是丙締酸2-径基乙醋。 阳01引优选地，所述基材膜中，相对100质量份的聚氯乙締，含有25~45质量份的聚醋 类可塑剂。 优选地，所述聚醋类可塑剂是己二酸类聚醋。 优选地，所述粘合片是切割胶带，所述切割胶带使用于电子元件的制造方法中，所 述制造方法包括：(a)于半导体晶圆或基板W及环状框架上贴附切割胶带的贴附工序；化） 切割半导体晶圆或基板而形成半导体忍片或半导体元件的切割工序；（C)拉长粘合片而扩 大半导体忍片或半导体元件之间间隔的扩张工序；W及（d)从粘合片上拾取半导体忍片或 半导体元件的拾取工序。 优选地，所述制造方法于所述贴附工序之后且所述切割工序之前还包括将贴附有 所述粘合片的被粘体加溫至60~100°C的加溫工序。【具体实施方式】 下面说明本专利技术的实施方式。在本说明书中，单体单元是指源自于单体的结构单 元；关于"份"W及"％ "没有特别说明时则按质量基准表示；（甲基）丙締酸醋是丙締酸醋 W及甲基丙締酸醋的总称；同样地，如（甲基）丙締酸等含（甲基）的化合物是含有"甲基" 的化合物与不含"甲基"的化合物的总称。 本专利技术一实施方式中的粘合片，其由在基材膜上形成有粘着剂层而成，该基材膜 含聚氯乙締与聚醋类可塑剂，该粘着剂层由粘着剂组成物所成，其中，粘着剂组成物含有 100份的（甲基）丙締酸共聚物W及0. 01~5份的异氯酸醋类硬化剂，该（甲基）丙締酸 共聚物含有50~80质量％的（甲基）丙締酸下醋单元、15~45%的（甲基）丙締酸甲醋 单元W及0. 1~10 %的含径基的单体单元。 <1.基材膜〉 作为基材膜，使用的是含有聚氯乙締，W及针对聚氯乙締的可塑剂即聚醋类可塑 剂者。作为聚醋类可塑剂，例如有：己二酸、壬二酸、癸二酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯 二甲酸等碳数为2~10的脂肪族二簇酸及/或芳香族二簇酸等的二簇酸；与乙二醇、丙二 醇、下二醇、新戊二醇、己二醇等碳数为2~10的二醇发生缩聚而成的聚醋。作为该二簇 酸，优选使用己二酸、癸二酸等脂肪族二簇酸，特别是考虑泛用性、价格低、经时稳定性等特 性而言，更优选为己二酸。作为二醇，可选用直锁状或侧锁状者，即可依据所需适当地选用。 该二醇的碳数优选是2~6。对于聚醋类可塑剂的数目平均分子量，并无特别的限制，通常 选用500~4000左右者。关于聚醋类可塑剂的含量而言，相对于100质量份的聚氯乙締， 优选含25~45质量份，更优选含30~40质量份。 此外，依所需可在基材膜上添加抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、抗静电剂、阻 燃剂、染料或颜料等着色剂等各种添加剂。运些添加剂视其种类W常规量使用。 下面，对运些添加剂进行说明。作为抗氧化剂，可选用在传统树脂或树脂组成物中 被周知为抗氧化剂的任一者，即并无特别限定。具代表性的抗氧化剂，可列举苯酪类（单酪 类、双酪类、高分子型苯酪类）、硫类、憐类等W往通常所使用的抗氧化剂。 此外，作为紫外线吸收剂，可列举水杨酸盐类、二苯甲酬类、苯并Ξ挫类W及氯基 丙締酸醋类，就紫外线吸收效果而言，优选二苯甲酬类紫外线吸收剂W及苯并Ξ挫类紫外 线吸收剂，尤其更优选为苯并Ξ挫类紫外线吸收剂。 作为光稳定剂，例如可使用受阻胺类、受阻酪类等的光稳定剂。对于光稳定剂的添 加量并无特别限定，为一般使用量即可。 关于抗静电剂并无特别限定，例如可列举四级胺盐单体等。作为四级胺盐单体，例 如有：（甲基）丙締酸二甲基胺基乙醋四级氯化物、（甲基）丙締酸二乙基胺基乙醋四级氯 化物、（甲基）丙締酸甲基乙基胺基乙醋四级氯化物、对二甲基胺基苯乙締本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种粘合片，其由在基材膜上形成有粘着剂层而成，所述基材膜含聚氯乙烯与聚酯类可塑剂，所述粘着剂层由粘着剂组成物所成，其特征在于，所述粘着剂组成物含有100质量份的(甲基)丙烯酸共聚物以及0.01～5质量份的异氰酸酯类硬化剂，所述(甲基)丙烯酸共聚物含有40～90质量％的(甲基)丙烯酸丁酯单元、5～55质量％的(甲基)丙烯酸甲酯单元以及0.1～10质量％的含羟基的单体单元，所述(甲基)丙烯酸共聚物的重量平均分子量是40～100万。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：津久井友也，久米雅士，齐藤岳史，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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