元件的转移方法技术

本发明专利技术公开了一种元件的转移方法，其包含以下步骤。首先，于承载基板上涂布粘着层。接着，放置元件于粘着层上，因而使元件暂时粘附于粘着层上。然后，降低粘着层对于元件的粘着力，但仍维持元件于粘着层上的位置在可控制的范围内，其中粘着层的杨氏系数小于或等于30GPa。最后，在粘着层的粘着力降低后，将元件自粘着层转移至接收基板。借此，本发明专利技术的元件的转移方法借由粘着层的应用，增加元件对位的能力与降低元件损坏的机率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种元件的转移方法。
技术介绍
整合与封装为射频微机电系统微动开关(Radiofrequencymicroelectromechanicalsystemmicroswitches，RFMEMSmicroswitches)、发光二极体显示系统、微机电震荡器与石英震荡器等微元件在量产时所遭遇的主要困难。传统转移微元件的方法为借由基板接合(WaferBonding)将微元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为间接转移。此方法包含两次接合/剥离的步骤，首先，转移基板自施体基板提取微元件阵列，接着转移基板再将微元件阵列接合至接收基板，最后再把转移基板移除。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种元件的转移方法，借由第一粘着层的应用，增加元件对位的能力与降低元件损坏的机率。根据本专利技术一实施方式，一种元件的转移方法包含以下步骤。首先，于第一承载基板上涂布第一粘着层。接着，放置元件于第一粘着层上，因而使元件暂时粘附于第一粘着层上。然后，降低第一粘着层对于元件的粘着力，但同时维持元件于第一粘着层的控制位置，其中第一粘着层的杨氏系数小于或等于30GPa。最后，在第一粘着层的粘着力降低后，将元件自第一粘着层转移至接收基板。本专利技术上述实施方式借由第一粘着层的粘着力与缓冲能力，让暂时粘附于第一粘着层上的元件的位置，在进行工艺时将会维持在可控制的范围内，因此转置头可轻易地与元件对位。此外，在转置头接触元件时，转置头施加于元件上的冲击力将会被粘着层所吸收，因此元件将不会因为转置头的撞击而损坏。于是，工艺良率将得以提升。附图说明图1至图6绘示依照本专利技术一实施方式的元件转移方法的中间步骤的剖面示意图。图7与图8绘示依照本专利技术另一实施方式的元件转移方法的中间步骤的剖面示意图。图9A绘示依照本专利技术一实施方式的转置头将要接触元件时的剖面示意图。图9B绘示依照本专利技术一实施方式的转置头接触元件时的剖面示意图。图10A绘示依照本专利技术一实施方式的转置头将要接触元件时的剖面示意图。图10B绘示依照本专利技术一实施方式的转置头接触元件时的剖面示意图。具体实施方式以下将以图式公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。图1至图6绘示依照本专利技术一实施方式的元件转移方法的中间步骤的剖面示意图。本专利技术将提供一种元件400的转移方法。具体而言，上述的元件400可为发光二极体。更具体地说，元件400可为薄型发光二极体(ThinLight-emittingDiode)。元件400的厚度可为约0.5微米至约100微米。元件400的形状可为圆柱体，且圆柱体的半径可为约0.5微米至约500微米，但并不限于此。在其他实施方式中，元件400可为三角柱体、立方体、长方体、六角柱体、八角柱体或者其他多角柱体，且元件400可为晶片。如图1所绘示，制造者可于成长基板510上形成元件400。接着，如图2所绘示，制造者可于承载基板110上涂布粘着层120。然后，将元件400与成长基板510翻转180°，并将元件400与成长基板510放置于粘着层120上，因而使元件400暂时粘附于粘着层120上。具体而言，承载基板110可为刚性基板。更具体地说，承载基板110的材质可为玻璃、硅、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(AcrylonitrileButadieneStyrene，ABS)或其任意组合。应了解到，以上所举的承载基板110的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本专利技术，本专利技术所属
中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择承载基板110的具体实施方式。具体而言，粘着层120的材质可为具粘性的有机材质(AdhesionCapableOrganic)。更具体地说，粘着层120的材质可为环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)、聚硅氧烷、硅胶或其任意组合。应了解到，以上所举的粘着层120的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本专利技术，本专利技术所属
中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择粘着层120的具体实施方式。粘着层120的厚度为约1微米至约100微米。粘着层120对于每个元件400的粘着力为约0.01Nt/25mm至约100Nt/25mm。粘着层120的涂布可借由旋转涂布机、狭缝涂布机或其任意组合达成。应了解到，以上所举的粘着层120的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本专利技术，本专利技术所属
中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择粘着层120的具体实施方式。如图2与图3所绘示，制造者可自暂时粘附于粘着层120的元件400上移除成长基板510。具体而言，成长基板510可借由激光剥离工艺、化学剥离工艺或其任意组合移除，但并不限于此。在其他实施方式中，制造者也可以选择其他方法移除成长基板510。然后，制造者可降低粘着层120对于元件400的粘着力，但仍维持元件400于粘着层120上的位置在可控制的范围内。具体而言，粘着层120在粘着力降低后的粘着力仍可大于每个元件400的重量的十倍，所以元件400仍然会被粘着层120维持在可控制的范围内。具体而言，粘着层120的粘着力可借由电场、电磁波、热、超音波、机械力、压力或其任意组合降低。应了解到，以上所举的降低粘着层120的粘着力的方法仅为例示，并非用以限制本专利技术，本专利技术所属
中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择降低粘着层120的粘着力的方法。在本实施方式中，粘着层120对于每个元件400的粘着力为20Nt/25mm，粘着层120对于每个元件400降低后的粘着力为0.5Nt/25mm。在粘着层120的粘着力降低之前或降低之后，粘着层120的杨氏系数均小于或等于30GPa。应了解到，以上所举的粘着层120的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本专利技术，本专利技术所属
中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择粘着层120的具体实施方式。具体而言，元件400为已经进行过晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元件的转移方法，其特征在于，所述元件的转移方法包含：在第一承载基板上涂布第一粘着层；放置至少一个元件于所述第一粘着层上，使得所述元件暂时粘附于所述第一粘着层上；降低所述第一粘着层对于所述元件的粘着力，但仍维持所述元件于所述第一粘着层上的位置在能够控制的范围内，其中所述第一粘着层的杨氏系数小于或等于30GPa；以及在所述第一粘着层的粘着力降低后，将所述元件自所述第一粘着层转移至接收基板。

【技术特征摘要】
2014.11.23 US 14/551,0661.一种元件的转移方法，其特征在于，所述元件的转移方法包含：
在第一承载基板上涂布第一粘着层；
放置至少一个元件于所述第一粘着层上，使得所述元件暂时粘附于所述
第一粘着层上；
降低所述第一粘着层对于所述元件的粘着力，但仍维持所述元件于所述
第一粘着层上的位置在能够控制的范围内，其中所述第一粘着层的杨氏系数
小于或等于30GPa；以及
在所述第一粘着层的粘着力降低后，将所述元件自所述第一粘着层转移
至接收基板。
2.如权利要求1所述的元件的转移方法，其特征在于，所述元件的转移
方法还包含：
在所述第一粘着层的粘着力降低前，对暂时粘附于所述第一粘着层的所
述元件进行至少一个工艺。
3.如权利要求1所述的元件的转移方法，其特征在于，所述元件为发光
二极体与设置于所述发光二极体上的成长基板；以及
所述元件的转移方法还包含：
在所述第一粘着层的粘着力降低前，自暂时粘附于所述第一粘着层的所
述发光二极体上移除所述成长基板。
4.如权利要求3所述的元件的转移方法，其特征在于，移除所述成长基
板的步骤包含激光剥离工艺、化学剥离工艺或其任意组合。
5.如权利要求1所述的元件的转移方法，其特征在于，所述元件为尚未
进行晶片切割工艺的元件；以及
所述的元件的转移方法还包含：
在所述第一粘着层的粘着力降低前，对暂时粘附于所述第一粘着层的所
述元件进行晶片切割工艺。
6.如权利要求5所述的元件的转移方法，其特征在于，所述晶片切割工
艺包含线性地切割所述元件。
7.如权利要求5所述的元件的转移方法，其特征在于，所述晶片切割工
艺包含非线性地切割所述元件。
8.如权利要求1所述的元件的转移方法，其特征在于，所述元件为已经
进行过晶片切割工艺的元件。
9.如权利要求1所述的元件的转移方法，其特征在于，将所述元件转移
至所述接收基板的步骤包含：
将转置头放在所述元件上；
让所述转置头接触所述元件，在所述转置头接触所述元件时，所述第一
粘着层将产生形变，借此吸收所述转置头施加于所述元件上的冲击力；
致动所述转置头进而对所述元件产生吸力；
借由所述转置头提取所述元件；以及
将所述元件释放于所述接收基板上。
10.如权利要求9所述的元件的转移方法，其特征在于，所述吸力为静电
力、空气压差所形成的力、粘着力、机械力或其任意组合。
11.如权利要求1所述的元件的转移方法，其特征在于，将所述元件转移
至所述接收基板的步骤包含：
将转置头放在所述元件上；
让所述转置头接触所述元件，其中所述第一粘着层使所述元件平整地对
齐于所述转置头；
致动所述转置头进而对所述元件产生吸力；
借由所述转置头提取所述元件；以及
将所述元件释放于所述接收基板上。
12.如权利要求1所述的元件的转移方法，其特征在于，所述元件的数量
为多个；以及
将所述元件转移至所述接收基板的步骤包含：
将转置头放在所述元件上；
让所述转置头...

【专利技术属性】
技术研发人员：张珮瑜，
申请(专利权)人：美科米尚技术有限公司，
类型：发明
国别省市：萨摩亚;WS