具有发光二极管的显示装置的形成方法包含准备具有上表面及位于其上的第一及第二导电垫的基板；接合发光二极管至第一导电垫上，发光二极管包含下部电极、主动层、以及第一及第二型半导体层；形成光阻层以覆盖基板、第一及第二导电垫以及发光二极管；分别用第一及第二曝光量曝光光阻层的第一及第二曝光区域，其中第一曝光区域及第二曝光区域在基板上的垂直投影分别与第二导电垫在基板上的垂直投影分开及重叠；显影曝光后的光阻层直到第二型半导体层及第二导电垫自光阻层曝露。本揭露的方法可在单一步骤中曝露发光二极管的第二型半导体层及第二导电垫。形成光罩以图案化用以曝露第二导电垫的开口的步骤可省略，可降低制造成本且提升制造效率。成本且提升制造效率。成本且提升制造效率。
【技术实现步骤摘要】
具有发光二极管的显示装置的形成方法
[0001]本揭露是有关于一种具有发光二极管的显示装置的形成方法。
技术介绍
[0002]此段落仅用以提供与本揭露相关的背景资料，而非用以限定本揭露的先前技术。
[0003]传统显示器的制程多延续标准化的制程。近年来，已有越来越多新式的显示器，像是微发光二极管显示器、次毫米发光二极管显示器以及量子点发光二极管显示器等，皆有希望占据未来的显示器市场。因此，标准化的显示器制程仍有待设立。显示器的制程中往往包含诸多步骤，而若能省略其中任一步骤则有望降低成本并提升效率。
技术实现思路
[0004]本揭露之一技术态样为一种具有发光二极管的显示装置的形成方法。
[0005]根据本揭露一些实施例，一种具有发光二极管的显示装置的形成方法包含准备基板，其中基板包含上表面及位于上表面上方的第一导电垫以及第二导电垫；接合发光二极管至第一导电垫上，发光二极管包含下部电极、位于下部电极上的第一型半导体层、位于第一型半导体层上的主动层以及位于主动层上的第二型半导体层，其中当发光二极管接合至第一导电垫时，下部电极接触第一导电垫；形成光阻层于基板上以覆盖基板的上表面、第一导电垫、第二导电垫以及发光二极管，使得光阻层位于发光二极管上方的一部份的厚度以及光阻层不与发光二极管及第二导电垫重叠的另一部分的厚度之间的差距大于自第二型半导体层与主动层之间的界面至基板的上表面的距离；用第一曝光量曝光光阻层的第一曝光区域以及用第二曝光量曝光光阻层的第二曝光区域，其中第一曝光区域在基板上的垂直投影与第二导电垫在基板上的垂直投影分开，且第二曝光区域在基板上的垂直投影与第二导电垫在基板上的垂直投影重叠；以及显影曝光后的光阻层直到发光二极管的第二型半导体层的上表面以及第二导电垫的上表面自光阻层曝露。
[0006]在本揭露一实施例中，曝露光阻层是借由光罩执行。
[0007]在本揭露一实施例中，第一曝光量以及第二曝光量是分别由第一曝光时间及不同于第一曝光时间的第二曝光时间所决定。
[0008]在本揭露一实施例中，第一曝光量以及第二曝光量是分别由激光扫描过程中的第一激光脉冲数量以及不同于第一激光脉冲数量的第二激光脉冲数量所决定。
[0009]在本揭露一实施例中，形成与第二型半导体层的上表面以及第二导电垫的上表面接触的上部电极，使得发光二极管与第二导电垫电性连接。
[0010]在本揭露一实施例中，上部电极为透明的。
[0011]在本揭露一实施例中，光阻层的材料为正光阻，且第二曝光量大于第一曝光量。
[0012]在本揭露一实施例中，光阻层是借由旋转涂布或狭缝涂布形成。
[0013]在本揭露一实施例中，光阻层位于第二导电垫上的一部份的厚度大于光阻层位于发光二极管上的部分的厚度。
[0014]在本揭露一实施例中，第二型半导体层的厚度与第一型半导体层的厚度之间的比例大于或等于1.5。
[0015]在本揭露一实施例中，第一型半导体层为P型半导体层，且第二型半导体层为N型半导体层。
[0016]在本揭露一实施例中，光阻层包含高折射率的纳米粒子。
[0017]在本揭露一实施例中，下部电极的厚度与第一导电垫的厚度的总和小于或等于2微米。
[0018]在本揭露一实施例中，显影后的光阻层的厚度大于或等于2微米。
[0019]借由上述技术方案，本专利技术至少具有以下优点效果：本专利技术具有发光二极管的显示装置的形成方法可在单一步骤中曝露发光二极管的第二型半导体层的上表面以及第二导电垫。形成光罩以图案化用以曝露第二导电垫的开口的步骤可省略，可降低制造成本且提升制造效率。
附图说明
[0020]为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下：
[0021]图1为根据本揭露一些实施例的发光二极管的电性连接形成方法的流程图。
[0022]图2A至图2F为本揭露一些实施例在图1的方法的中间过程的剖面图。
[0023]图2G为本揭露另一实施例在图1的方法的中间过程的剖面图。
[0024]【主要元件符号说明】
[0025]100:方法
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110:基板
[0026]1102:上表面
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120A:第一导电垫
[0027]120B:第二导电垫
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122B:上表面
[0028]130:发光二极管
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1302:界面
[0029]132:下部电极
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134:第一型半导体层
[0030]136:主动层
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138:第二型半导体层
[0031]1382:上表面
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140:光阻层
[0032]142:第一部份
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1422:第一表面
[0033]144,144
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:第二部份
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1442:第二表面
[0034]146:第三部份
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1462:第三表面
[0035]150:上部电极
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T1,T2,T3,T4,t1,t2,t3,t4:厚度
[0036]D1,D2:距离
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R1:第一曝光区域
[0037]R2:第二曝光区域
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E1:第一曝光量
[0038]E2:第二曝光量
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S1～S6:步骤
具体实施方式
[0039]以下将结合附图形式公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图
起见，一些公知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。
[0040]在本文中对“一个实施例”、“实施例”、“一些实施例”等的引用指示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可能不一定包括该特定的特征、结构或特性。而且，这样的短语不一定指相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，无论是否明确描述，结合其他实施例来实现这样的特征、结构或特性都会在相关领域的技术人员的知识范围内。
[0041]在此使用的“上方”、“至”、“之间”以及“上”等用词，指的是一层相对于其它层的相对位置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有发光二极管的显示装置的形成方法，其特征在于，包含：准备基板，其中该基板包含上表面及位于该上表面上方的第一导电垫以及第二导电垫；接合发光二极管至该第一导电垫上，该发光二极管包含下部电极、位于该下部电极上的第一型半导体层、位于该第一型半导体层上的主动层以及位于该主动层上的第二型半导体层，其中当该发光二极管接合至该第一导电垫时，该下部电极接触该第一导电垫；形成光阻层于该基板上以覆盖该基板的该上表面、该第一导电垫、该第二导电垫以及该发光二极管，使得该光阻层位于该发光二极管上方的一部份的厚度以及该光阻层不与该发光二极管及该第二导电垫重叠的另一部分的厚度之间的差距大于自该第二型半导体层与该主动层之间的界面至该基板的该上表面的距离；用第一曝光量曝光该光阻层的第一曝光区域以及用第二曝光量曝光该光阻层的第二曝光区域，其中该第一曝光区域在该基板上的垂直投影与该第二导电垫在该基板上的垂直投影分开，且该第二曝光区域在该基板上的垂直投影与该第二导电垫在该基板上的垂直投影重叠；以及显影曝光后的该光阻层直到该发光二极管的该第二型半导体层的上表面以及该第二导电垫的上表面自该光阻层曝露。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中曝露该光阻层是借由光罩执行。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一曝光量以及该第二曝光量是分别由第一曝光时间及不同于该第一曝光时间的第二曝光时间所决定。4.根据权利要求1所述的方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立宜，
申请(专利权)人：美科米尚技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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