LED阵列制造技术

一种制造发光二极管(LED)阵列的方法包括以下步骤：由III族氮化物材料形成半导体层(100)；在半导体层上方形成电介质掩模层(104)，电介质掩模层具有穿过该电介质掩模层的孔洞的阵列，每个孔洞暴露出半导体层的一区域；并且使在每个孔洞中生长LED结构体(108)。并且使在每个孔洞中生长LED结构体(108)。并且使在每个孔洞中生长LED结构体(108)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】LED阵列


[0001]本专利技术涉及发光二极管(LED)和制造LED阵列的方法。本专利技术在微米级的LED阵列中具有具体的应用。

技术介绍

[0002]对于微米级III族氮化物发光二极管(LED)(也称为微小尺寸LED或微型LED(μLED))，开发需求显著增加。微型LED是新一代显示器和可见光通信(VLC)应用的关键部件。与有机发光二极管(OLED)和液晶显示器(LCD)相比，III族氮化物μLED针对显示应用呈现出许多独特的特征。与LCD不同的是，以μLED为主要部件的III族氮化物微型显示器是自发射的。使用μLED的单色显示器呈现出高分辨率、高效率，以及高对比度。OLED通常以比半导体LED低几个数量级的电流密度运行，以维持合理的使用寿命。因此，OLED的亮度相对较低，对于全彩色显示器而言通常为3000cd/m2，而III族氮化物μLED则显示出高于105cd/m2的高亮度。当然，与OLED相比，III族氮化物μLED本质上呈现出较长的操作使用寿命和化学鲁棒性(chemical robustness)。因此，预计在不久的将来，III族氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造发光二极管(LED)阵列的方法，所述方法包括：由III族氮化物材料形成半导体层；在所述半导体层的上方形成电介质掩模层，所述电介质掩模层具有穿过所述电介质掩模层的孔洞的阵列，每个孔洞暴露出所述半导体层的一区域；并且使在每个所述孔洞中生长LED结构体。2.根据权利要求1所述的方法，其中，使在每个所述孔洞中生长所述LED结构体包括：使在每个所述孔洞中生长n型层、至少一个有源层、以及p型层。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，至少一个有源层的上表面在电介质层的顶部的下方。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成所述电介质掩模层的步骤包括：使一层电介质材料生长，并且将所述孔洞的所述阵列蚀刻到该层电介质材料中。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在每个所述孔洞中生长所述LED结构体之前，蚀刻所述半导体层的暴露区域中的每个区域。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体层提供至所有所述LED结构体的共同接触。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体层是掺杂的。8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述半导体层包括第一子层和第二子层，所述第一子层与所述第二子层之间具有异质界面，所述异质界面被布置以形成二维电荷载气。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述LED结构体是微型LED结构体，并且所述阵列是间距为4μm至500μm的规则阵列。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在所述LED结构体的上方形成多个接触层区域，其中，所述接触层区域中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：谢菲尔德大学，
类型：发明
国别省市：