半导体器件制造技术

为了测量ＳＩＰ结构的封装外壳内单个芯片的工作电流，本发明专利技术提供一种半导体器件。该ＳＩＰ结构的封装外壳包括第一芯片和在封装外壳内连接到第一芯片的第二芯片，通过该第一芯片在封装外壳的内部和外部之间进行信号的发送／接收。第一芯片包括接口电路（６Ａ、６Ｂ），用于向第二芯片的所有信号端提供信号。控制接口电路的操作，以便可以由控制信号停止所述操作。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，其中装在同一封装外壳内的多个芯片相互连接。
技术介绍
近年来，随着大规模LSI的发展和制造过程的复杂化，每个具有封装系统结构(此后称为SIP，system-in-package)的系统LSI的数量一直在增长，在该封装系统结构中，多个芯片装在同一封装外壳内。具体地说，如JP-A-20010267488(第20页、图1)所公开的，在一个芯片上堆叠另一个芯片，这些芯片通过导线焊接相互连接。通过这种方式，两个芯片构成单个LSI。通常在具有SIP结构的LSI中，如JP-A-2002-131400(第13页、图1)所公开的，通过下面一项技术来确认同一封装外壳上的芯片间的连接，即在芯片之间的连接部分设置测试电阻器以测量泄漏电流，从而测试芯片之间的连接。但是，在
技术介绍
中描述的具有SIP结构的LSI中，重要的不仅是确认安装后芯片之间的连接的技术，还有确认诸如芯片之间的存取时间的延迟特性、芯片之间的连接部位所消耗的电流以及每个芯片的静态电流的技术。可能存在这种情况，在装运到市场上后，由于可靠性问题器件特性或安装特性被改变。例如，在芯片之间的连接部位的电阻可能增大，或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：多个芯片，装在同一封装外壳内并通过导线或突起相互连接，该多个芯片包括：第一芯片，通过该第一芯片在所述封装外壳的内部和外部之间进行信号的发送／接收；以及在所述封装外壳内连接到所述第一芯片的第二芯片 ；其中，所述第一芯片包括接口电路，用于向第二芯片的所有信号端提供信号，并且控制所述接口电路的操作，以便可以由控制信号停止所述操作。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小谷久和，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]