【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法，特别是关于一种可在显露出电性连接垫的半导体封装基板上，利用电镀或模板印刷方式形成预焊锡凸块的基板结构及其制作方法。
技术介绍
自从IBM公司在1960年早期引入覆晶封装(Flip chip package)技术以来，与打线(Wire bond)技术相比，覆晶技术的特点在于半导体芯片与基板间的电性连接是通过焊锡凸块，而不是一般的金线。这种覆晶技术的优点在于可提高封装密度以及降低封装组件的尺寸。同时，这种覆晶技术不需使用较长的金属线，故可提高电性方面的性能。有鉴于此，业界在陶瓷基板上使用高温焊锡，即所谓控制崩解的芯片连接技术(Control-collapsechipconnection，C4)，已有多年。近年来，由于高密度、高速度以及低成本的半导体组件需求的增加，同时因应电子产品的体积逐渐缩小的趋势，将覆晶组件设置于低成本的有机电路板(例如，印刷电路板或基板)，并以环氧树脂底胶(Under fill resin)填充在芯片下方，以减少硅芯片与有机电路板结构之间因热膨胀差异所产生的热应力，已呈现爆炸性的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可供形成预焊锡材料的半导体封装基板制法，其特征在于，该制法包括提供至少一表面形成有多个电性连接垫的封装基板；在该封装基板表面上形成有机绝缘保护层；以及薄化该有机绝缘保护层的厚度，使该有机绝缘保护层显露出电性连接垫的上表面。2.如权利要求1所述的可供形成预焊锡材料的半导体封装基板制法，其特征在于，该制法还可在该电性连接垫上沉积有预焊锡材料。3.如权利要求2所述的可供形成预焊锡材料的半导体封装基板制法，其特征在于，该焊锡材料是以印刷方式沉积在该电性连接垫上。4.一种可供形成预焊锡材料的半导体封装基板制法，其特征在于，该制法包括提供至少一表面形成有多个电性连接垫的封装基板；在该封装基板表面上形成有机绝缘保护层，并进行薄化该有机绝缘保护层的厚度，使该有机绝缘保护层显露出电性连接垫与导电线路的上表面；在该封装基板表面上依序形成导电膜与阻层，并使该阻层形成有多个开孔，以显露出该电性连接垫表面的导电膜；以及进行电镀制程，以在该电性连接垫上沉积有预焊锡材料。5.如权利要求4所述的可供形成预焊锡材料的半导体封装基板制法，其特征在于，该制法还包括在该电性连接垫的外露表面完成电镀预焊锡材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡竹青，许诗滨，
申请(专利权)人：全懋精密科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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