【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路及半导体器件的制造工艺。更具体地说，本专利技术提供了一种监测集成电路制造中的低温急速热退火工艺的方法。同时也应看到此专利技术有更广泛的应用范围。可用于各种器件包括动态随机存取存储器，静态随机存取存储器，特定用途集成电路，微处理器，微控制器，散存器等等。
技术介绍
集成电路已从每个芯片上几个相互联接的器件发展到今天的集百万器件于一体的超大规模集成电路，现代的集成电路的复杂性及其所具备的功能已远非当初想象所能及，为进一步增加集成度(即单位面积的器件数)及电路的复杂性，器件的最小尺寸正在随集成电路的换代更新而不断缩小，目前的半导体器件是亚1/4微米的一代。增加集成度不仅可以提高电路的性能，同时也为消费者提供低价的产品。建成一个集成电路制造厂要花费几亿甚至几十亿美元，而每个集成电路制造厂的晶片产量是有限的，且每个晶片上的集成电路器件数也是固定的，减小集成电路尺寸能使每个晶片上的集成电路数目增加，这也就增加了芯片厂的产量。然而，缩小集成电路的尺寸并非易事，因为每道工序都受一定的技术难度限制，也就是说，每一个工艺适用的尺寸只能小到一定程度，其余的改进...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一个制造集成电路器件的方法，方法包括提供一个监测硅片，监测硅片含有硅材料，引入一些粒子到硅材料中一定的深度，这些粒子可降低激发能；将引入粒子的监测晶片置于急速热退火工艺中；在第一个温度状态，也就是一个定义为小于650℃低温区域，进行急速热退火；取出监测硅片；测量监测硅片的平面电阻；在硅片全表面小于2％容许误差范围内测定第一个温度；如果这第一温度是在规定的温度容许误差范围内，则将一些产品用的硅片进行急速热退火。2.如权利要求1所述的的方法，其特征在于，引入粒子的步骤包括注入硅族的元素进入硅材料来使硅材料进入非晶状态并且注入硼族杂质进入硅材料，硼是没有激发的。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，注入的硅族杂质的剂量是1×1014Atoms/cm2。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，注入的硼族杂质元素的剂量为3.5×1015Atoms/cm2。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一温度小于650℃。6.权利要求1所述的方法，其特征在于，第一温度是小于550℃。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，硅材料是在一个非晶体的状态。8.如权利要求1所述方法，其特征在于，平面电阻用不同机台来量测的。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对生产用的硅片的工艺实施持续24小时。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，监测晶片是用至少10hms/℃温度灵敏度来定量刻划其特性的。11.一种制造集成电路器件的方法，包括提供一个监测晶片，这个晶片含有一定深度的硅材料；...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴金刚，王粒子，黄晋德，刘玉红，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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