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一个制造集成电路器件的方法，方法包括： 提供一个监测硅片，监测硅片含有硅材料，引入一些粒子到硅材料中一定的深度，这些粒子可降低激发能； 将引入粒子的监测晶片置于急速热退火工艺中； 在第一个温度状态，也就是一个定义为小于６５...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。
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一个制造集成电路器件的方法，方法包括： 提供一个监测硅片，监测硅片含有硅材料，引入一些粒子到硅材料中一定的深度，这些粒子可降低激发能； 将引入粒子的监测晶片置于急速热退火工艺中； 在第一个温度状态，也就是一个定义为小于６５...