封装基板及其制法及封装结构制造技术

一种封装基板及其制法及封装结构，提供一基板本体，其至少一表面具有多个电性接触垫及线路，在所述电性接触垫、线路及该基板本体表面上形成覆盖的绝缘层，且该绝缘层的厚度小于所述电性接触垫的厚度，并形成多个对应外露出各该电性接触垫的绝缘层开孔，最后，在各该电性接触垫外露的上表面形成第一金属凸块，从而能利于容易控制焊料量，进而有利于细间距的封装，且不需在基板上形成防焊层，令该电性接触垫及线路不需进行粗化制造工艺而保有良好的形状，所以具有佳的良率与可靠度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装基板及其制法及封装结构，特别是涉及一种不需在基板上形成防焊层的封装基板及封装结构及其制法。
技术介绍
在现行覆晶式(flip chip)半导体封装技术中，是在半导体芯片上设有多个电极 垫，在各该电极垫上设有金属凸块，并提供一具有多个电性接触垫的封装基板，且通过焊料 以对应电性连接所述金属凸块与电性接触垫。相比于传统的打线接合(Wire Bond)技术，覆晶技术的特征在于半导体芯片与封 装基板间的电性连接是以金属凸块为之而非一般的金线，而该种覆晶技术的优点在于能提 高封装密度以降低封装元件尺寸；同时，该种覆晶技术不需使用长度更长的金线，而能提高 电性连接的性能以降低阻抗。由于越来越多的产品设计趋向小型化，因此，覆晶技术也朝向高输出/输入(I/O) 数、细间距的趋势发展。然而，随着金属凸块间距(Pitch)的缩小，封装基板的可靠度与良 率不易维持原有的水准。请参阅图IA至图1D，是说明一种现有封装结构的制法的剖视示意图。如图IA所示，提供一基板本体10，其至少一表面IOa具有多个电性接触垫112及 线路111。如图IB所示，在该基板本体10上形成防焊层(solde本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板，其特征在于，包括：基板本体，其至少一表面具有多个电性接触垫及线路；绝缘层，设在该基板本体的表面、所述电性接触垫及线路上，且该绝缘层的厚度小于所述电性接触垫的厚度，并具有多个对应外露出各该电性接触垫的上表面的绝缘层开孔；以及多个第一金属凸块，对应设在各该绝缘层开孔中的电性接触垫的上表面，且突出于该绝缘层。

【技术特征摘要】
一种封装基板，其特征在于，包括基板本体，其至少一表面具有多个电性接触垫及线路；绝缘层，设在该基板本体的表面、所述电性接触垫及线路上，且该绝缘层的厚度小于所述电性接触垫的厚度，并具有多个对应外露出各该电性接触垫的上表面的绝缘层开孔；以及多个第一金属凸块，对应设在各该绝缘层开孔中的电性接触垫的上表面，且突出于该绝缘层。2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于所述绝缘层开孔对应外露出各该电 性接触垫的部分上表面或全部上表面。3.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于还包括焊料或表面处理层，设在该第 一金属凸块上。4.一种封装基板，其特征在于，包括基板本体，其至少一表面具有多个电性接触垫及线路；多个第一金属凸块，对应设在各该电性接触垫上；以及绝缘层，设在该基板本体的表面、所述电性接触垫、线路及第一金属凸块上，且该绝缘 层的厚度小于所述电性接触垫的厚度，并具有多个对应外露出各该第一金属凸块的上表面 的绝缘层开孔。5.根据权利要求4所述的封装基板，其特征在于所述绝缘层开孔对应外露出各该第 一金属凸块的部分上表面或全部上表面。6.根据权利要求4所述的封装基板，其特征在于还包括焊料或表面处理层，设在该第 一金属凸块上。7.一种封装结构，其特征在于，包括基板本体，其至少一表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：许诗滨，
申请(专利权)人：全懋精密科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]