封装结构及其制造方法技术

一种封装制造方法，其包括下述的步骤。首先提供一第一基材以及一第二基材，其中第一基材具有多个第一接点，且第二基材具有多个第二接点。接着将第一基材置于第二基材上，以使这些第一接点对准于这些第二接点。然后将第一基材与第二基材浸入一包含有１，４－苯基二甲硫醇ＢＤＭＴ的溶液中。然后将第一基材与第二基材由此溶液中移出，以于这些第一接点与这些第二接点之间形成多个与这些第一接点以及这些第二接点电性连接的自组装单层薄膜。此外，本发明专利技术还提出一种经由上述的封装制造过程而形成的封装结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子组件的，特别涉及一种具有自组装单层薄膜(self-assembly monolayer)的。
技术介绍
在高度情报化社会的今日，芯片结构配合着电子装置的数字化、网络化、区域联机化以及人性化等趋势，而不断地朝向高速处理化、多功能化、积集(Integration)化、微型化及低价化等方面发展。然而在芯片结构朝向微型化与积集化等方面发展的同时，芯片上焊垫(bonding pad)之间的间距(pitch)也随着这样的趋势而逐步地缩短。是以传统的焊接方法并不适合直接地用来将芯片电性连接于封装基板上。 有鉴于此，现有技术提出一种将芯片电性连接于封装基板的焊接方法。此方法是先在芯片的主动表面上形成一焊罩层，其中此焊罩层具有多个开口以暴露出芯片上对应于这些开口的多个焊垫。之后经由这些开口，将多个凸块(bump)形成于对应的焊垫上，其中这些凸块的材料采用熔点较低的金属材料。 然后将芯片配置于一封装基板上，使得这些凸块介于芯片与封装基板之间，并且进行芯片与封装基板之间的对位。接着依据此金属材料的特性，以适当的温度对这些凸块进行高温回焊(reflow)，来完成芯片与封装基板之间的电性连接，其中回焊的温度介于摄氏100度至200度之间。由于凸块的材料金属材料，是以这样的焊接方法能够使芯片与封装基板之间具有良好的接合强度以及良好的电讯传递。 但是，在对凸块进行高温回焊的过程中，芯片或是封装基板往往会因为其几何外型、边界条件或是其它种种的因素而产生热集中的现象，致使芯片或是封装基板上的某些部位产生高温，其中此局部区域的温度高于回焊时所预定的温度。一旦这些部位的温度过高时，便容易造成芯片或者封装基板的损坏。此外，这样热量集中的现象也容易在凸块与芯片的接合处或是凸块与封装基板的接合处产生残留应力。 此外，现有技术也提出一种将芯片电性连接于封装基板的黏接方法。此方法是先将具有导电性的高分子材料形成于芯片的焊垫上。然后，将此芯片配置于封装基板上，使得这些凸块介于芯片与封装基板之间。接着进行芯片与封装基板之间的对位。当芯片与封装基板之间对位完成后，对这些高分子材料进行热处理(thermal curing)或者照射紫外光(ultraviolet)，以使得这些高分子材料产生交联(cross-link)反应并且使得芯片电性连接于封装基板。 值得注意的是，相对于上述对金属材料进行回焊时所需的高温而言，高分子材料能够在较低的温度完成交联(cross-linking)反应，更佳的是，当高分子材料受到紫外线的照射时，更可以在常温下完成交联反应。是以相对于前述的焊接方法而言，现有技术所提出的黏接方法可以避免在高温的热处理时，芯片或是封装基板因为局部的高温而受到破坏。另外此方法也可以避免凸块与芯片的接合处或是凸块与封装基板的接合处因为高温的热处理而产生残留应力。 然而，虽然此黏接方法具有上述的优点，但是由于高分子材料在结构强度以及导电性方面劣于金属材料，方法无法兼顾芯片与封装基板之间的接合强度以及电性特性。
技术实现思路
本专利技术的目的就是在于，提供一种具有良好的接合强度与电性特性的封装结构。 本专利技术的另一目的是，提供一种低温的芯片封装制造方法。 本专利技术提出一种封装结构，其包括一第一基材、一第二基材以及多个自组装单层薄膜(self-assembly monolayer)。第一基材具有多个第一接点，第二基材具有多个第二接点，而这些自组装单层薄膜配置于这些第一接点与这些第二接点之间。 在本专利技术的一实施例中，第一基材包括一电路板或一芯片，而第二基材包括一电路板或一芯片。 在本专利技术的一实施例中，自组装单层薄膜的材质为1，4-苯基二甲硫醇benzene-1，4-dithiol(1，4-Benzenedimethanethiol)。 本专利技术提出一种封装制造方法，其步骤包括先提供一第一基材以及一第二基材，其中第一基材具有多个第一接点，且第二基材具有多个第二接点。接着将第一基材置于第二基材上，以使这些第一接点对准于这些第二接点。然后将该第一基材与该第二基材浸入一包含有1，4-苯基二甲硫醇1，4-benzenedimethanethiol(BDMT)的溶液中。之后将第一基材与第二基材由溶液中移出，以于这些第一接点与这些第二接点之间形成多个与这些第一接点以及这些第二接点电性连接的自组装单层薄膜。 在本专利技术的一实施例中此溶液包括四氢呋喃tetrahydrofuran(THF)。 在本专利技术的一实施例中将第一基材与第二基材由溶液中移出后，第一基材与第二基材处于一氩气环境下，以使四氢呋喃tetrahydrofuran挥发。 在本专利技术的一实施例中这些自组装单层薄膜于室温下形成。 本专利技术提出另一种封装制造方法，其步骤包括先提供一第一基材以及一第二基材，其中第一基材具有多个第一接点，且第二基材具有多个第二接点。接着将第一基材与第二基材浸入一包含有1，4-苯基二甲硫醇1，4-benzenedimethanethiol的溶液内。然后将第一基材置于第二基材上，以使这些第一接点对准于这些第二接点。之后将第一基材与第二基材由溶液中移出，以于这些第一接点与这些第二接点之间形成多个与这些第一接点以及这些第二接点电性连接的自组装单层薄膜。 在本专利技术的一实施例中此溶液包括四氢呋喃tetrahydrofuran(THF)。 在本专利技术的一实施例中将第一基材与第二基材由溶液中移出后，第一基材与第二基材处于一氩气环境下，以使四氢呋喃tetrahydrofuran挥发。 在本专利技术的一实施例中这些自组装单层薄膜于室温下形成。 本专利技术提出又一种封装制造方法，其步骤包括先提供一第一基材以及一第二基材，其中第一基材具有多个第一接点，且第二基材具有多个第二接点。之后形成多个自组装单层薄膜粒子于这些第一接点与这些第二接点上。然后将第一基材置于第二基材上，并且使这些第一接点对准于这些第二接点上，以于这些第一接点与这些第二接点之间形成多个与这些第一接点以及这些第二接点电性连接的自组装单层薄膜。 在本专利技术的一实施例中于这些第一接点与这些第二接点上形成多个自组装单层薄膜粒子的方法包括蒸气溅镀。 本专利技术在室温之下形成自组装单层薄膜于这些第一接点与这些第二接点之间，以将第一基材电性连接于第二基材。是以在整个过程中不容易产生热量集中以及应力残留的问题。此外，由于自组装单层薄膜具有良好的机械强度以及导电性，在第一基材与第二基材之间也能够具有良好的接合强度以及电性特性。 以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1A～图1C为本专利技术一实施例的封装制造方法；图1D为一种将溶液自第一基材与第二基材上移除的方法的示意图；图2A～图2C为本专利技术另一实施例的封装制造方法。 其中，附图标记110第一基材112第一接点120第二基材122第二接点130溶液140自组装单层薄膜140’自组装单层薄膜粒子150氩气环境200封装结构具体实施方式图1A～图1C为本专利技术一实施例的封装制造方法。请参照图1A，首先提供一第一基材110以及一第二基材120，其中第一基材110具有多个第一接点112，且第二基材120具有多个第二接点122。在本实施例中，第一基材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，包括：一第一基材，具有多个第一接点；一第二基材，具有多个第二接点；以及多个自组装单层薄膜，配置于所述多个第一接点与所述多个第二接点之间。

【技术特征摘要】
的保护范围。权利要求1.一种封装结构，其特征在于，包括一第一基材，具有多个第一接点；一第二基材，具有多个第二接点；以及多个自组装单层薄膜，配置于所述多个第一接点与所述多个第二接点之间。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一基材包括一电路板或一芯片，所述第二基材包括一电路板或一芯片。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述自组装单层薄膜的材质为1，4-苯基二甲硫醇。4.一种封装制造方法，其特征在于，包括提供一第一基材以及一第二基材，其中所述第一基材具有多个第一接点，且所述第二基材具有多个第二接点；将所述第一基材置于所述第二基材上，以使所述多个第一接点对准于所述多个第二接点；将所述第一基材与所述第二基材浸入一包含有1，4-苯基二甲硫醇的溶液；以及将所述第一基材与所述第二基材由所述溶液中移出，以于所述多个第一接点与所述多个第二接点之间形成多个与所述多个第一接点以及所述多个第二接点电性连接的自组装单层薄膜。5.根据权利要求4所述的封装制造方法，其特征在于，所述溶液包括四氢呋喃。6根据权利要求5所述的封装制造方法，其特征在于，将所述第一基材与所述第二基材由所述溶液中移出后，所述第一基材与所述第二基材处于一氩气环境下，以使所述四氢呋喃挥发。7.一种封装制造方法，包括提供一第一基材以及一第二基材，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢雅玉，王维中，林子彬，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]