半导体器件制造技术

技术编号:3171808 阅读:154 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供一种半导体器件,使得有可能减小在半导体器件的芯区域中形成的电路进行操作的操作电压波动。这个半导体器件这样安排,以便将芯区域分成多个功能块,并且能针对各划分功能块供给电源,而且能中断这个电源。将在半导体芯片中形成的芯区域分成多个功能块。在划分功能块之间的边界中安排电源开关行,在该电源开关行中安排有多个电源开关。这些电源开关具有控制对各功能块供给参考电位和中断这个供给的功能。本发明专利技术的特征在于直接在电源开关行之上安排参考垫。这样使参考垫和电源开关耦合在一起的线缩短。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件,并且特别地涉及一种有效适用于例如 SOC (芯片上系统)的半导体器件的技术。
技术介绍
日本未审专利公开No. 2005-259879(专利文献1 )公开一种技术, 其中实现了以下功能当为了防止泄漏电流而在电源线中安排一个开 关时,能减小布局设计的负担,并且能减小开关中发生的电压降落对 信号延迟的影响。将给出更具体的描述。以条紋图形安排多个电源线组,并且通过 从电源线组分支的多个分支线组,对一个电路单元供给电源。通过一 个安排在分支线组中的电源开关单元,中断电路单元的电源。为此, 有可能在一个能安排多个电路单元的整个区域中分散地安排电源开 关单元,并且关于各相对少数的电路单元,通过一个电源开关单元精 细地实行电源的中断。日本未审专利公开No. 2005-268695(专利文献2 )公开一种技术, 它提供中断一个电路单元的电源的功能,仍有可能使设计更有效。将给出更具体的描述。以垂直条紋图形按间隔等于或小于预定最 大间隔来安排多个电源线组。使多个分支线组从电源线组分支,并且 在它们从那里分支处的电源线组到下 一 个电源线组的范围之内,以水 平条紋图形安排所述多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件,包括一个半导体芯片,该半导体芯片具有芯区域和在所述芯区域之外形成的输入/输出区域,该半导体芯片安排成在所述芯区域中形成至少一个操作部分和保持来自所述操作部分数据的存储器,并且在所述输入/输出区域中形成输入/输出电路,用以在形成于所述芯区域中的所述操作部分或所述存储器与外部源之间输入/输出数据,    其中所述半导体芯片包括:    (a)第一线,用以对所述操作部分和所述存储器供给电源电位;    (b)第二线,用以对所述操作部分供给一个比所述电源电位低的电位;    (c)第三线,用以对所述存储器供给一个比所述电源电位低的电位;    (d)参考线,用以供给参考电位;    (...

【技术特征摘要】
JP 2007-3-30 2007-0913651.一种半导体器件,包括一个半导体芯片,该半导体芯片具有芯区域和在所述芯区域之外形成的输入/输出区域,该半导体芯片安排成在所述芯区域中形成至少一个操作部分和保持来自所述操作部分数据的存储器,并且在所述输入/输出区域中形成输入/输出电路,用以在形成于所述芯区域中的所述操作部分或所述存储器与外部源之间输入/输出数据,其中所述半导体芯片包括(a)第一线,用以对所述操作部分和所述存储器供给电源电位;(b)第二线,用以对所述操作部分供给一个比所述电源电位低的电位;(c)第三线,用以对所述存储器供给一个比所述电源电位低的电位;(d)参考线,用以供给参考电位;(e)第一开关,用以使所述第二线和所述参考线相互电耦合或电解耦;(f)第二开关,用以使所述第三线和所述参考线相互电耦合或电解耦;(g)多个第一垫,与所述第一线电耦合;和(h)多个第二垫,与所述参考线电耦合,并且其中所述第一垫和所述第二垫在所述芯区域中形成,并且所述第一开关和所述第二开关也在所述芯区域中形成。2. 根据权利要求1的半导体器件,其中执行控制,以便当所述操作部分在操作状态时,所述第二线 和所述参考线通过所述第一开关相互电耦合,以便对所述第二线供给 所述参考电位,并且当所述操作部分在非活动状态时,所述第二线和 所述参考线通过所述第一开关相互电解耦,以便不对所述第二线供给 所述参考电位,并且其中类似地执行控制,以便当所述存储器在操作状态时,所述第 三线和所述参考线通过所述第二开关相互电耦合,以便对所述第三线 供给所述参考电位,以及当所述存储器在非活动状态时,所述第三线 和所述参考线通过所述第二开关相互电解耦,以便不对所述第三线供 给所述参考电位。3. 根据权利要求1的半导体器件,其中包括多个所述第一开关和所述第二垫的第一开关行,或包括 多个所述第二开关和所述第二垫的第二开关行具有相互平面重叠的 区域。4. 根据权利要求1的半导体器件,其中包括多个所述第一开关和所述第二垫的所述第一开关行之 间的距离,不大于所述第二垫的最近两个之间距离的1/4。5. 根据权利要求1的半导体器件,其中包括多个所述第二开关和所述第二垫的所述第二开关行之 间的距离,不大于所述第二垫的最近两个之间距离的1/4。6. 根据权利要求1的半导体器件,其中所述第一开关和所述第二开关由在半导体衬底中形成的n沟 道场效应晶体管形成。7. 根据权利要求1的半导体器件,其中所述操作部分在形成于所述芯区域中的矩形操作部分形成 区域中形成,并且其中在限定所述操作部分形成区域的一对边界区域中,形成有一 对包括所述第一开关的第一开关行,和一对与所述第一开关行对分别 平面重叠并且与所述第 一开关行对分别电耦合的第二垫。8. 根据权利要求7的半导体器件,其中所述第 一 垫在所述操作部分形成区域中形成,并且在离所述 第二垫对相等距离的位置形成。9. 根据权利要求1的半导体器件, 其中在所述输入/输出区域中形成多个第三垫,并且其中所述第三垫和所述第二垫电耦合在一起。10. 根据权利要求1的半导体器件,其中在所述输入/输出区域中形成多个第三垫,并且 其中所述第三垫和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:佐佐木敏夫安义彦仓石孝森凉
申请(专利权)人:株式会社瑞萨科技
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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