半导体陶瓷及由其制得的电子元件制造技术

本发明专利技术提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷，它呈现优良的ＰＴＣ特性，可在低于１０００℃的温度烧结。本发明专利技术也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡：氧化硼，选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物；以及（可任选的）选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物；所掺入的氧化硼的数量，按硼原子计算，满足以下关系：０．００５≤Ｂ／β≤０．５０和１．０≤Ｂ／（α－β）≤４．０其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数，β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体陶瓷及由该陶瓷制得的电子元件。更具体地，本专利技术涉及具有正温度特性的半导体陶瓷及由其制得的电子元件。传统地，其电阻具有正温度系数(以下称为PTC特性，即当温度超过居里点时电阻急剧增加)的半导体元件被用来保护电路避免电流过载，或是用来使彩色电视机的元件退磁。由于其有利的PTC特性，主要包含钛酸钡的半导体陶瓷被广泛应用于这类半导体电子元件。但是，要使以钛酸钡为基的陶瓷具有半导体性质，通常必须在1300℃或更高的温度烧结。这样的高温处理有以下缺点易于损坏烧结所用的炉子；维修炉子的费用高；以及能耗高。因此，希望能有可在较低温度烧结的含钛酸钡的半导体陶瓷。为了克服上述的缺点，在“通过硼引导的液相烧结制得的半导体钛酸钡陶瓷”一文中揭示了一种改进的工艺(“Semiconducting Barium Titanate CeramicsPrepared by Boron-conducting Liquid-phase Sintering”，In-Chyuan Ho，Communications of the American Ceramic Society，Vol.77，N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体陶瓷，包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡∶氧化硼，选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物；以及可任选的至少一种选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的金属的氧化物；所掺入的氧化硼的数量，按硼原子计算，满足以下关系： ０．００５≤Ｂ／β≤０．５０和 １．０≤Ｂ／（α－β）≤４．０ 其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数，β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。

【技术特征摘要】
JP 1998-3-5 53626/981.一种半导体陶瓷，包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡氧化硼，选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物；以及可任选的至少一种选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的金属的氧化物；所掺入的氧化硼的数量，按硼原...

【专利技术属性】
技术研发人员：新见秀明，川本光俊，中山晃庆，上野哲，浦原良一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]