【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子部件以及电子部件的制造方法。
技术介绍
1、公知有配置在硅基板上的mim电容器(专利文献1)。在专利文献1所记载的mim电容器中，下部电极以及上部电极使用tin，在下部电极与上部电极之间配置有zro2膜以及tio2膜这两层作为电介质膜。在上部电极以及电介质膜的侧壁配置有侧壁绝缘用氧化硅膜。
2、专利文献1：国际公开第2010/082605号
3、由于基板与mim电容器的电极之间的线膨胀系数的差异而产生应力。应力集中于下部电极、上部电极的边缘的附近，在该部分容易产生裂缝。若产生裂缝，则水分从外部通过裂缝侵入mim电容器内，mim电容器的可靠性降低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种电子部件，该电子部件包含即使产生裂缝也不容易产生可靠性的降低的电容器。
2、根据本专利技术的一个观点，提供一种电子部件，其具备：电容器，在上述基板的一个面即上表面的一部分的区域上，包含从上述基板侧依次层叠的下层电极、电介质膜、以及上层电极；以及由绝缘性的金属氧化物或者硅氧化物构成的覆膜，配置在比上述电介质膜靠近上方，在俯视上述上表面时，遍及上述下层电极的边缘的整周，从比上述下层电极的边缘靠内侧的区域扩展到外侧的区域。
3、根据本专利技术的另一观点，提供一种电子部件的制造方法，其中，在由化合物半导体构成的基板的一个面即上表面上形成下层电极，在上述下层电极上形成电介质膜，在上述电介质膜上形成上层电极，在形成上述电介质膜之后且形成上
4、覆膜抑制水分向下层电极、上层电极、以及电介质膜的侵入。由此，能够抑制电子部件的可靠性的降低。
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1.一种电子部件，其具备：
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，
3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电子部件，其中，
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的电子部件，其中，
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的电子部件，其中，
7.根据权利要求6所述的电子部件，其中，
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的电子部件，其中，
9.根据权利要求8所述的电子部件，其中，
10.根据权利要求8所述的电子部件，其中，
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的电子部件，其中，
12.一种电子部件的制造方法，其中，
13.根据权利要求12所述的电子部件的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种电子部件，其具备：
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，
3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电子部件，其中，
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的电子部件，其中，
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的电子部件，其中，
7.根据权利要求6所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员：德矢浩章，青池将之，柴田雅博，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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