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半导体陶瓷及由其制得的电子元件制造技术
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文档序号:3104003
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本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷,它呈现优良的PTC特性,可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种...
该专利属于株式会社村田制作所所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社村田制作所授权不得商用。
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