【技术实现步骤摘要】
具有分流存储单元的电阻存储器
技术介绍
一种存储器是电阻(resistive)存储器。电阻存储器利用存储元 件的阻抗值来存储一个或者多个比特的数据。例如，被设置为具有 高阻抗值的存储元件可表示逻辑1的数据比特值，而被设置为 具有低阻抗值的存储元件可表示逻辑0的数据比特值。通过将 电压永冲或电流力永冲施加到存々者元件来电动转换存々者元件的阻抗 值。 一种电阻存储器是相变存储器。相变存储器将相变材料用于电 阻存储元件。相变存储器是基于呈现至少两种不同状态的相变材料。相变材 料可用于存储单元中以存储多个比特数据。相变材料的状态可以涉 及非晶态的和晶态。因为通常与晶态相比非晶态呈现较高的电阻 率，所以能够区分这两种状态。通常，非晶态涉及更杂乱的原子结 构，而晶态涉及更有序的晶格。 一些相变材料呈现出至少一个的晶 态，例如，面心立方体(FCC)状态和最4妄近六方紧密填集(HCP) 状态。这两个晶态具有不同的电阻率，并且可用于存储多个比特的 数据。在下列描述中，非晶态通常指的是具有较高电阻率的状态， 而晶态通常指的是具有举交^f氐电阻率的状态。在相变材并+中的相^f立改变可以^皮可...
【技术保护点】
一种存储器，包括：位线；多个电阻存储单元，连接到所述位线；以及电阻器，连接到所述位线，以在读取操作期间与选取存储单元形成分流器。
【技术特征摘要】
US 2006-9-14 11/521,5271. 一种存储器，包括位线；多个电阻存储单元，连接到所述位线；以及电阻器，连4妄到所述位线，以在读取才喿作期间与选耳又存 储单元形成分流器。2. 根据权利要求1所述的存储器，其中，所述电阻存储单元包括 相变存储单元。3. 根据权利要求2所述的存储器，其中，每一个存储单元均包括 Ge、 Sb、 Te、 Ga、 As、 In、 Se、和S中的至少一种。4. 根据权利要求1所述的存储器，还包括开关，连接到所述位线和所述电阻器之间，所述开关选 择性地使所述位线电连接到所述电阻器。5. 根据权利要求1所述的存储器，还包括读出电路，连4妄到所述位线，用于基于流过所述电阻器 的电流读出所述选取存4渚单元的状态。6. —种存储器，包括多个电阻存储单元；电阻器，与所述存储单元并联连接，与选取存储单元形 成分;充器；以及读出电^各，基于流过所述电阻器和所述选取存々者单元的 分流信号来读出所述选取存储单元的状态。7. 根据权利要求6所述的存储器，其中，所述存储单元包括相变 存储单元。8. 才艮据权利要求6所述的存储器，还包括位线，连4妄到所述多个存<诸单元和所述电阻器。9. 根据权利要求6所述的存储器，其中，所述读出电路包括用于 读出所述选取存储单元的状态的读出放大器，并且所述电阻器 连才妻到所述读出》文大器的输入端。10. 根据权利要求6所述的存储器，其中，所述电阻器包括线性电阻器。11. 根据权利要求6所述的存储器，其中，所述电阻器包括用作电 阻器的有源装置。12. —种存储器，包括位线；多个电阻存储单元，连接到所述位线；以及用于在读取操作期间对选取存〗渚单元的电流进4于分流的装置。13. 根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯哈普，托马斯尼尔希，扬鲍里斯菲利普，
申请(专利权)人：奇梦达北美公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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