使用编程数据高速缓存的闪存设备及其编程方法技术

一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元。所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括通过第一校验电压执行的第一校验读取操作、确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元。重编程所选择的存储器单元包括通过第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。

【技术实现步骤摘要】

4^>开内叙常涉及闪存，并且更M地，涉及具有编程数据高速援存的闪存 以》J十该闪存进^f亍编禾呈的方法。
技术介绍
已经迫切需要在许多电子设备中用作^t器^f^且件的易失性和3一易失'^H渚 器。例如，这些电子设备包括许多移动设备，比如MP3播放器、个人多媒^l番放器(PMP)、移动电话、笔记本电脑、个人数字助理(PDA)等。典型地，移动设备需要 具有大^H诸容量但是同时还具有小尺寸的^f诸单元。 一种生产具有大^f诸容量但是 同时具有小尺寸的^f浙殳备的方^A制造多位(multi-bit) ^f诸器设备，其中每个 ^^诸器单it^^诸2 <咸更多的数据。按照惯例，在大多数^^诸器设备中，在单个务賭器单元中仅^^诸1位数据。特 别地，当在单个存储器单元中存储1位数椐时，所述存储器单元所要满足的条件是 阈值电压对应于两个阈值电压状态之一。也tU3兌，所述^#器单元具有^^4数据'T，和数据0的两个状态之一。在另一方面，当单个^f渚器单iL^[诸2位数据 时，所述^j诸器单元所要满足的^f牛是阈值电压对应于四个阈值电压状态之一。换 句^i兌，所i4^f诸器单元具有^JJ封居本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元，所述方法包括：　　　　将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括按照第一校验电压执行的第一校验读取操作；　　　　确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作；以及　　　　根据所述确定重编程所选择的存储器单元，　　　　其中重编程所选择的存储器单元包括按照第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-1 84270/061.一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元，所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括按照第一校验电压执行的第一校验读取操作；确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作；以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元，其中重编程所选择的存储器单元包括按照第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。2. 如权利要求l所述的方法，进一步包括以对应于所选择的存储器器单元中的每 一个的多位数据加载程序高速緩存。3. 如权利要求l所述的方法，其中所选择的存储器单元彼此相邻并且被顺序编程。4. 如权利要求3所述的方法，其中确定是否对所选择的存储器器单iU似亍重编程操作包括基于随后编程的存储器单元的多位数据，确定随后要被编程的存储器渚器单元 是否会在所选择的存储器单元上导致耦合效应。5. 如权利要求4所述的方法，其中当F話编程的存储器器单元的至少一个多位数 据对应于预先确定的阈值电压之上的状态时，从重编程操怍中排除该所选择的存储器单元。6. 如权利要求5所述的方法，其中当对应于随后编程的存储器器单元的多位数据 的状态低于预先确定的阔值电压时，确定该所选择的存储器单元要被重编程。7. 如权利要求6所述的方法，其中所述第一和第二校验电压对应于多个状态中 的编禾呈状态。8. —种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态 之一的多位数据的多个存储器器单元，所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个务賭器单元的所选择的存储器单元中，所述编 程包括按照第一校验电压批f亍的第一校纟錄取操作；利用第J^交验电压读取所选择的存储器单元来获取取读取数据，所述第二校验电 压高于所述第一校验电压；通过将所述读取数据与所述多位数据相比较来检测编程下的存储单元；以及 重编程所述编程下的存储器单元，其中重编程所述编程下的存储器单元包括按照第二校验电压执行的校验读取操作。9. 如权利要求8所述的方法，进一步包括以对应于所选择的存储器单元中的每 一个的多位数据加载程序高速緩存。10. 如权利要求8所述的方法，其中所选择的务賭器单元彼此相邻并且被顺序编程。11. 如权利要求8所述的方法，其中所述第一和第二交验电压于应于多个状态 中的编程状态。12. —种用于对闪存设备进编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状 态之一的多位数据的多个^f诸器单元，所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的^f渚器单元中，所述编 程包括按照第一校验电压#似亍的第一校马錄取操作；以及 将所述多位数据重编程到所选择的刺诸器单元，其中重编程所选择的存储器单元包括按照第二校验电压4似亍的第二校马錄取操 作，所述第二交验电压高于所述第一校验电压。13. 如权利要求12所述的方法，进一步包括以对应于所选...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜东求，林瀛湖，姜相求，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]