闪存装置和用于该闪存装置的编程方法制造方法及图纸

提供了一种闪存装置以及对该装置的编程方法。该闪存装置包括多个存储多位数据的存储单元，该多位数据表示第一状态到第四状态中的至少一种并且包括最高有效位和最低有效位。该方法包括根据最低有效位将多个存储单元编程为临时状态，以及根据最高有效位将多个存储单元从第一状态和临时状态编程为第二状态到第四状态。将多个存储单元编程为第二状态到第四状态包括在一个编程操作周期期间将多个存储单元至少部分地同时编程为至少两种状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及闪存装置，尤其涉及一种存储多位数据的闪存装置和该 闪存装置的编程方法。
技术介绍
易失性和非易失性存储器越来越多地应用在移动装置中，例如MP3播放 器、个人多媒体播放器(PMP)、移动电话、笔记本电脑、个人数字助理(PDA) 等等。这些移动装置需要更大存储容量的存储单元来提供各种功能(例如，播 放电影)。更大容量的存储单元例如是多位存储装置，其中每个存储单元存储 多位数据(例如，2位或多位数据)。为了表示清楚，此后将存储多位数据的存 储单元称为多级单元(MLC)。当在单个存储单元中存储1位数据时，存储单元受到对应于两种阈值电 压状态之一的阈值电压条件的限制。例如，在给定时刻，存储单元具有表示 数据'1，和数据'0，的两种状态之一。当单个存储单元存储2位数据时， 存储单元受到对应于四种阈值电压状态之一的阈值电压条件的限制。例如， 存储单元具有表示数据'11，、 数据'10，、数据'00，和数据'01，的四种 状态之一。为了保持相应窗口内阈值电压分布形态，可以在各个窗口内将该 阈值电压校正得较密集。对于该校正，可以应用编程方法，例如增量步进脉 沖编程。在示例性的I本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对包括多个存储单元的闪存装置编程的方法，多个存储单元的每一个存储多位数据，该多位数据表示第一状态到第四状态中的至少一种，并且包括最高有效位和最低有效位，该方法包括：　　　　根据第一存储单元中存储的最低有效位将至少第一存储单元编程为临时状态；以及　　　　根据每个存储单元中存储的最高有效位，将多个存储单元的第一部分从第一状态同时编程为第二状态到第四状态之一，并且将多个存储单元的第二部分从临时状态同时编程为第二状态到第四状态之一。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-15 89685/061.一种对包括多个存储单元的闪存装置编程的方法，多个存储单元的每一个存储多位数据，该多位数据表示第一状态到第四状态中的至少一种，并且包括最高有效位和最低有效位，该方法包括根据第一存储单元中存储的最低有效位将至少第一存储单元编程为临时状态；以及根据每个存储单元中存储的最高有效位，将多个存储单元的第一部分从第一状态同时编程为第二状态到第四状态之一，并且将多个存储单元的第二部分从临时状态同时编程为第二状态到第四状态之一。2. 根据权利要求l的方法，其中在一个编程操作周期期间执行对第一部 分和第二部分的编程。3. 根据权利要求l的方法，其中用于将第一存储单元编程为临时状态的 校验读取电压高于对应于第二状态的校验读取电压，但是低于对应于第三状 态的校验读取电压。4. 根据权利要求l的方法，其中同时编程进一步包括， 第一编程阶段，其中将存储单元从第一状态或临时状态编程为第二状态到第四状态之一，以及第二编程阶段，其中将存储单元从第一状态或临时状态同时编程为除第 一编程阶段以外的状态。5. 根据权利要求4的方法，其中第一编程阶段将存储单元从临时状态编 程为第四状态。6. 根据权利要求4的方法，其中在第二编程阶段期间，将除第一编程阶 段以外的存储单元从第一状态同时编程为第二状态以及从临时状态同时编程 为第三状态。7. 根据权利要求l的方法，其中第一状态、第二状态、第三状态和第四 状态分別对应于'11， 、 '01， 、 '10，和'00，，并且临时状态的相关电压电平 高于第二状态的相关电压电平，但是低于第三状态的相关电压电平。8. 根据权利要求7的方法，其中第二编程阶段包括，校验是否已经应用包括两次校验读取操作的两个编程循环将存储单元编 程为第二状态和第三状态。9. 根据权利要求2的方法，其中一个编程操作周期是用于在增量步进脉 冲编程(ISPP)模式中写入位数据的编程周期。10. —种对包括多个存储单元的闪存装置编程的方法，多个存储单元的 每一个存储多位数据，该多位数据表示第一状态到第四状态的至少一种，并 且包括最高有效位和最低有效位，该方法包括根据至少一个存储单元中存储的最低有效位将多个存储单元的至少一个 编程为临时状态；以及根据多个不同编程模式中的所选择一个模式将多个存储单元的第一部分 从第一状态编程为第二状态到第四状态之一，并且将多个存储单元的第二部 分从临时状态编程为第二状态到第四状态之一 。11. 根据权利要求10的方法，其中在第一编程模式中，对第一部分和第 二部分编程包括，根据存储单元的第 一部分中的各个存储单元中存储的最高有效位将第一 部分从第一状态编程为第二状态、第三状态或第四状态，以及根据存储单元的第二部分中的各个存储单元中存储的最高有效位将第二 部分从临时状态编程为第二状态、第三状态或第四状态，其中在一个编程操作周期期间同时执行对第一部分和第二部分的编程。12. 根据权利要求ll的方法，其中第一编程模式进一步包括，第 一编程阶段，用于将存储单元从第 一状态或临时状态编程为第二状态 到第四状态之一，以及第二编程阶段，用于将存储单元从第一状态或临时状态编程为除第一编 程阶段以外的至少 一种状态，在同 一编程操作周期期间执行第 一编程阶段和 第二编程阶段。13. 根据权利要求12的方法，其中在第一编程阶段期间，将已编程为临 时状态的至少 一部分的存储单元编程为第四状态。14. 根据权利要求12的方法，其中在第二编程阶段期间，将除第一编程 阶段以外的存储单元同时从第一状态编程为第二状态以及从临时状态编程为 第三状态。15. 根据权利要求ll的方法，其中第一状态、第二状态、第三状态和第 四状态分别对应于'11， 、 '01， 、 '10，和'00，，并且临时状态的相关电压电 平高于第二状态的相关电压电平，但是低于第三状态的相关电压电平。16. 根据权利要求12的方法，其中编程操作周期是用于在增量步进脉冲编程(ISPP)模式中写入数据的编程周期。17. 根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜相求，林瀛湖，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]