半导体器件和制造该半导体器件的方法技术

提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括基底层和在基底层上的至少一条金属线，其中，所述至少一条金属线中的每条金属线包括第一金属结构和在第一金属结构上的第二金属结构，第一金属结构通过直接蚀刻工艺形成，第二金属结构通过镶嵌工艺形成。

【技术实现步骤摘要】

与本公开的示例实施方式一致的装置和方法涉及包括互连结构的半导体器件，在该互连结构中，金属线具有多层结构。

技术介绍

1、半导体器件的性能受到如何在半导体器件中形成互连结构影响。互连结构包括将前端制程(feol)结构直接地或通过中间制程(mol)结构连接到电压源或其它电路元件的后端制程(beol)结构，诸如金属线和通路。feol结构可以包括晶体管结构，诸如沟道结构、源极/漏极区和栅极结构，mol结构可以包括形成在源极/漏极区和栅极结构上的接触插塞。

2、随着半导体器件被开发为具有高器件密度和性能，形成具有非常精细的金属节距、高的高宽比和高连接性能的金属线变得比以前更具挑战性，而且，对由具有较低电阻、较高抗电迁移性和较高热稳定性的新材料形成的金属线的需求已经增加。然而，用于形成具有非常精细的金属节距和高的高宽比的金属线的硬掩模图案化非常难以执行。

3、在该
技术介绍
部分中公开的信息在实现本申请的实施方式之前已经为专利技术人所知，或者是在实现这里描述的实施方式的过程中获取的技术信息。因此，它可能包含不形成公众已知的现有技术的信息。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，形成所述第一金属结构的材料具有比形成所述第二金属结构的材料高的抗电迁移性。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属结构包括钌(Ru)。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二金属结构包括铜(Cu)、钨(W)或钼(Mo)。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，形成所述第二金属结构的材料具有比形成所述第一金属结构的材料高的导电性。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，形成所述第一金属结构的材料具有比形成所述第二金属结构的材料...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，形成所述第一金属结构的材料具有比形成所述第二金属结构的材料高的抗电迁移性。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属结构包括钌(ru)。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二金属结构包括铜(cu)、钨(w)或钼(mo)。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，形成所述第二金属结构的材料具有比形成所述第一金属结构的材料高的导电性。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，形成所述第一金属结构的材料具有比形成所述第二金属结构的材料高的抗电迁移性。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一金属结构包括钌(ru)。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二金属结构包括铜(cu)、钨(w)或钼(mo)。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，屏障、界面或连接表面形成在所述第一金属结构和所述第二金属结构之间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一条金属线包括处于同一水平的多条金属线。

11.一种制造半导体器件的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：金尊秀，吴重席，徐康一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：