【技术实现步骤摘要】
包括选择性刷新操作的电阻式存储器
技术介绍
一类存储器是电阻式存储器。电阻式存储器利用存储单元的电 阻<直来存*奢一4立或多4立凄史4居。例如，橫、编考呈为具有高阻<直的存4诸,元件可以表示逻辑1数据比特值，以及被编程为具有低电阻值的存储元件可以表示逻辑0数据比特值。典型地，通过将电压脉沖或电流3永冲施加到存^f诸元件来电切4奐存4渚元件的电阻l直。一类电阻式存储器是相变存储器。相变存储器在电阻式存储元 件中使用相变材料。相变材料呈现至少两种不同的状态。相变材料 的状态可以被称为非晶态和晶态，非晶态涉及更无序的原子结构， 以及晶态涉及更有序的晶才各。非晶态通常比晶态呈现更高的电阻率。并且， 一些相变材料呈现多晶态(例如，面心立方晶格(FCC) 状态和六方密堆积(HCP)状态)，其具有不同的电阻率且可以谬皮 用于存^f诸^:据比特。在以下描述中，非晶态通常指具有较高电阻率 的状态，而晶态通常指具有4交^^电阻率的状态。可以可逆地引起相变材^1中的相变。以这种方式，响应于温度 变化，存储器可以从非晶态转变为晶态，以及从晶态转变为非晶态。 可以通过驱动电流穿过相变...
【技术保护点】
一种存储器，包括：相变存储单元阵列；以及第一电路，用于响应于刷新操作请求来仅刷新所述相变存储单元阵列中的被编程为非晶态的存储单元。
【技术特征摘要】
US 2006-11-21 11/602,7191.一种存储器，包括相变存储单元阵列；以及第一电路，用于响应于刷新操作请求来仅刷新所述相变存储单元阵列中的被编程为非晶态的存储单元。2. 根据权利要求1所述的存储器，还包括第二电路，用于在刷新操作期间读取所述相变存储单元 阵列中的每个存储单元以确定每个存储单元是否被编程为非 晶态。3. 根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一电路通过在置 位操作时间内连续地复位至少两个存储单元来刷新所述相变 存卡者单元阵列中的所述至少两个存储单元。4. 根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一电路通过如下 步骤刷新所述存储单元激活字线以读取所述字线上的每个存储单元的状态；读耳又所述字线上的每个存储单元的所述状态，且临时存 储每个存储单元的所述状态；响应于包括非晶态的每个临时存储的状态来提供写使能 信号；以及响应于每个写使能信号来刷新存储单元。5. 根据权利要求1所述的存储器，其中，所述相变存储单元阵列 包括单比特相变存储单元阵列。6. 根据权利要求1所述的存储器，其中，所述相变存储单元阵列 包括多比特相变存储单元阵列。7. —种存储器，包括电阻式存储单元阵列；读出电^各，^皮配置为用于读出所述电阻式存々者单元阵列 中的每个存储单元的状态；写入电3各，；陂配置为用于编程所述电阻式存4诸单元阵列 中的每个存1'诸单元；以及控制器，被配置为用于控制刷新操作，其中，所述读出 电^各读出每个存^f诸单元的所述状态，以及所述写入电鴻f又刷新 #皮读出为处于比最低电阻状态高的电阻状态的每个存^f诸单元 的所述状态。8. 根据权利要求7所述的存储器，其中，所述读出电路包括用于 在刷新4喿作期间临时存储每个存储单元的所述读出状态的緩 冲器，所述緩沖器将指示哪些存储单元处于比所述最低电阻状 态高的电阻状态的信号提供给所述写入电路。9. 根据权利要求7所述的存储器，其中，所述电阻式存储单元阵 列包括字线，以及所述刷新操作并行地刷新一条字线上的所有 存储单元。10. 根据权利要求7所述的存储器，其中，所述写入电路通过在置 位才喿作时间内连续地复位至少两个存4诸单元来刷新所述至少 两个存〗渚单元。11. 根据权利要求7所述的存储器，其中，所述电阻式存储单元阵 列包括单比特电阻式存储单元阵列。12. 根据权利要求7所述的存储器，其中，所述电阻式存储单元阵 列包括多级电阻式存储单元阵列。13. 根据权利要求7所述的存储器，其中，所述电阻式存储单元阵 列包...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯哈普，扬鲍里斯菲利普，
申请(专利权)人：奇梦达北美公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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