动态半导体存储装置及操作该装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供ＤＲＡＭ，其中可以增大传感放大器的操作速度。排列位线预充电电路ＰＣｔ和ＰＣｂ以将位线ＢＬｔ和／ＢＬｔ预充电至地电压ＧＮＤ，并且排列参考字线ＲＷＬｏ和ＲＷＬｅ以及参考存储单元ＲＭＣ，以便当激活字线ＷＬ时，在位线ＢＬｔ和／ＢＬｔ之间总是产生电势差。Ｎ型传感放大器ＮＳＡｔ的晶体管Ｎ１０和Ｎ１１的源极直接与接地端子ＧＮＤ连接，而Ｐ型传感放大器ＰＳＡ的晶体管Ｐ２和Ｐ３的源极直接与电源ＶＤＤ连接。晶体管Ｎ１０和Ｎ１１的栅极与位线／ＢＬｔ和ＢＬｔ连接，而漏极分别与位线ＢＬｔ和／ＢＬｔ连接。安排转换字线ＳＷＬ和转换存储单元ＳＭＣ，以便Ｎ型传感放大器ＮＳＡｔ可以放大位线ＢＬｔ和／ＢＬｔ之间的电势差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及动态半导体存储装置和用于操作该装置的方法，并且更特别地，涉及DRAM (动态随机存取存储器)和用于操作该装置的方法。
技术介绍
通常，SRAM (静态随机存取存储器)，其操作得快于DRAM，用作诸 如路由器或集线器之类的通信设备的存储器，或用作CPU (中央处理单元) 的高速緩存。然而，由于高效和多功能设备的发展，要求容量的增加，且由 于用于DRAM的每位的成本更低，所以SRAM越来越多地由DRAM代替。 通过使用DRAM,可以容易地改善用于宽1/0(输入/输出)或多排(multibank) 的带宽。然而，与SRAM相比，DRAM在随机存取所需的周期时间和读/写 速度上明显较差。因此，限制了 DRAM的使用。日本未审查专利公开(Kokai) No.2001-84767 (专利文档1 )公开了包括 传感放大器的DRAM,如附图中的图4所示(参照专利文档1的图3)。在该 公开中，P型传感放大器PSA由一对位线BL和/BL共享，且连接在共享线 SA和/SA之间。位线BL和/BL通过隔离器BLI与共享线SA和/SA分离。N 型传感放大器NSA连接在位线BL和/BL之间。均衡本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态半导体存储装置，包括：第一位线；第二位线，与该第一位线成对排列；字线，与该第一和第二位线交叉；存储单元，与该第一位线和该字线连接；参考字线，与该第一和第二位线交叉；参考存储单元，与该第 二位线和该参考字线连接；用于激活该字线的装置；位线预充电装置，用于在激活该字线之前，预充电该第一和第二位线至地电压或电源电压；用于当激活该字线时激活该参考字线的装置；参考电压预充电装置，用于在激活该参考字线之 前，预充电该参考存储单元至参考电压；电平...

【技术特征摘要】
JP 2006-11-20 313384/061.一种动态半导体存储装置，包括第一位线；第二位线，与该第一位线成对排列；字线，与该第一和第二位线交叉；存储单元，与该第一位线和该字线连接；参考字线，与该第一和第二位线交叉；参考存储单元，与该第二位线和该参考字线连接；用于激活该字线的装置；位线预充电装置，用于在激活该字线之前，预充电该第一和第二位线至地电压或电源电压；用于当激活该字线时激活该参考字线的装置；参考电压预充电装置，用于在激活该参考字线之前，预充电该参考存储单元至参考电压；电平转换装置，用于当激活字线时，转换该第一和第二位线的电压电平；第一共享线；第二共享线，与该第一共享线成对排列；第一隔离器，连接在该第一和第二位线以及该第一和第二共享线之间；第一传导型的传感放大器，连接在该第一和第二共享线之间；以及第二传导型的第一传感放大器，其中该第二传导型的第一传感放大器包括第二传导型的第一场效应晶体管，具有与该第二位线连接的栅极，和与该第一共享线或该第一位线连接的漏极，以及第二传导型的第二场效应晶体管，具有与该第一位线连接的栅极，和与该第二共享线或该第二位线连接的漏极。2. 如权利要求1所述的动态半导体存储装置，其中该电平转换装置包括: 转换字线，与该第一和第二位线交叉；第一转换存储单元，与该第一位线和该转换字线连接； 第二转换存储单元，与该第二位线和该转换字线连接；用于当激活该字线时激活该转换字线的装置；以及转换电压预充电装置，用于在激活该转换字线之前，预充电该第一和第 二转换存储单元至转换电压。3. 如权利要求2所述的动态半导体存储装置，其中该第一转换存储单元包括 第一电容器，以及第一场效应晶体管，具有与该转换字线连接的栅极、与该第一位线连接的源极/漏极以及与该第一电容器的电极之一连接的源极/漏极； 该第二转换存储单元包括 第二电容器，以及第二场效应晶体管，具有与该转换字线连接的栅极、与该第二位线 连接的源极/漏极、以及与该第二电容器的电极之一连接的源极/漏极；以及 该转换电压预充电装置包括第三场效应晶体管，在激活该转换字线之前导通，用于向该第一电 容器提供该转换电压，以及第四场效应晶体管，在激活该转换字线之前导通，用于向该第二电 容器提供该转换电压。4. 如权利要求1所述的动态半导体存储装置，其中第二传导型的该第 一场效应晶体管的该漏极与该第 一共享线连接； 第二传导型的该第二场效应晶体管的该漏极与该第二共享线连接； 第二传导型的该第一和第二场效应晶体管的该源极直接与地或电源连 接；以及第一传导型的该传感放大器包括第一传导型的第一场效应晶体管，具有与该第二共享线连接的栅极、 与该第一共享线连接的漏极和直接与该电源或该地连接的源极；以及第 一传导型的第二场效应晶体管，具有与该第 一共享线连接的栅极、 与该第二共享线连接的漏极和直接与该电源或该地连接的源极。5. 如权利要求4所述的动态半导体存储装置，其中第二传导型的该第一 传感放大器中第二传导型的该第一和第二场效应晶体管的阈值电压低于第一 传导型的该传感放大器中第 一传导型的该第 一和第二场效应晶体管的阔值电 压。6. 如权利要求1所述的动态半导体存储装置，进一步包括第三位线；第四位线，与该第三位线成对排列；第二隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村裕，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]