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动态半导体存储装置及操作该装置的方法制造方法及图纸
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文档序号:3081523
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本发明的目的是提供DRAM,其中可以增大传感放大器的操作速度。排列位线预充电电路PCt和PCb以将位线BLt和/BLt预充电至地电压GND,并且排列参考字线RWLo和RWLe以及参考存储单元RMC,以便当激活字线WL时,在位线BLt和/BL...
该专利属于国际商业机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过国际商业机器公司授权不得商用。
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