动态随机存取存储器及制造方法、半导体封装件及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种动态随机存取存储器及制造方法、半导体封装件及封装方法。动态随机存取存储器制造方法包括：提供存储器晶圆，存储器晶圆上有存储器裸片，存储器裸片上有顶层金属层，顶层金属层上有电源焊盘、信号焊盘和微焊盘，引出存储器裸片的内部总线与微焊盘电相连；对存储器晶圆进行修复；若存储器晶圆的良品率大于等于预定阈值，对微焊盘进行重新排布，形成对接焊盘，对接焊盘与微焊盘、电源焊盘电相连。半导体封装方法，包括：提供有动态随机存取存储器的第一晶圆；提供有逻辑芯片的第二晶圆；第一晶圆和第二晶圆通过相适应的对接焊盘的电连接实现晶圆级封装。本发明专利技术不对DRAM结构做较大改动，而提高DRAM的数据带宽，同时保证较高的良品率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，包括：提供存储器晶圆，所述存储器晶圆上形成有存储器裸片，所述存储器裸片上形成有顶层金属层，所述顶层金属层上形成有电源焊盘、信号焊盘和微焊盘，引出所述存储器裸片的内部总线与所述微焊盘电相连；对所述存储器晶圆进行修复；修复后，若所述存储器晶圆的良品率大于等于预定阈值，则对所述微焊盘进行重新排布，形成对接焊盘，所述对接焊盘与所述微焊盘、所述电源焊盘电相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，兰军强，章涛，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：