存储器和包括存储器的存储器系统技术方案

一种存储器，包括：第一单元块，包括多个第一字线组和一个或更多个第一冗余字线组，一个或更多个第一冗余字线组中的每个对应于多个命中信号中的一个命中信号；第二单元块，包括多个第二字线组和一个或更多个第二冗余字线组，一个或更多个第二冗余字线组中的每个对应于多个命中信号中的一个命中信号；以及控制单元，适用于响应于第一输入地址而选择单元块和字线，以及基于在第一输入地址之后输入的输入地址刷新选择的字线，而当通过第一输入地址选择的第一选择字线与冗余字线相邻时，响应于第一输入地址和命中信号而刷新与第一选择字线相邻的一个或更多个相邻字线，其中，第一输入地址在目标刷新部分中被第一个输入。

【技术实现步骤摘要】
存储器和包括存储器的存储器系统 相关申请的交叉引用 本申请要求2013年8月13日提交的申请号为10-2013-0096031的韩国专利申请 的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及存储器和包括所述存储器的存储器系统。
技术介绍
存储器的存储器单元包括用作开关的晶体管和用于储存电荷（即，数据）的电容 器。根据存储器单元中的电容器是否储存电荷，即根据电容器的两个端子之间的电位是高 还是低，可以将数据的逻辑电平判定为高电平(逻辑 1）或低电平(逻辑0)。 由于数据以积累的电荷的形式储存在电容器中，所以理想情况是储存的电荷没有 功耗。然而，由于金属氧化物半导体（MOS)晶体管的PN结会导致发生电流泄漏，所以储存 的初始电荷会被放电，且因而储存的数据会丢失。为了防止这种数据丢失，需要读取储存在 存储器单元中的数据，并且在数据丢失之前基于读取的数据对存储器单元进行再充电。对 存储器单元进行再充电的操作被称为刷新操作。应周期性地执行刷新操作以保持储存的数 据。 图1是说明用于描述字线干扰的存储器中包括的单元阵列的一部分的图。 在图1中，WLK-1、WLK和WLK+1表示依次设置在单元阵列中的三个字线。 由HIGH_ACT指示的字线WLK表示频繁激活的字线，其具有大量激活次数或者高的激活频 率，而字线WLK-I和WLK+1表示相邻字线，其被设置成与频繁激活的WLK相邻。CELL_K-1、 CELL_K和CELL_K+1分别表示与字线WLK-UWLK和WLK+1耦接的存储器单元。存储器 单元CELL_K-1、CELLJ(和CELL_K+1分别包括单元晶体管TR_K-1、TRJ(和TR_K+1以及单元 晶体管CAP_K-1、CAPJ(和CAP_K+1。供作参考，BL和BL+1表示位线。 当频繁激活的字线WLK被激活或预充电时，相邻字线WLK-I和WLK+1的电压由于 发生在字线WLK、WLK-1和WLK+1之间的耦合现象而增大或减小。因此，影响单元电容器CAP_ K-l、CAPJ(和CAP_K+1中储存的电荷量。因此，当频繁激活的字线WLK在激活状态和预充 电状态之间切换时，单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中储存的数据可能会由于单元电容器 CAP_K-1和CAP_K+1中储存的电荷量的变化而丢失。 另外，当字线在激活状态和预充电状态之间切换时会产生电磁波，而电磁波允许 电子流入与相邻字线耦接的存储器单元中包括的单元电容器或从其流出。结果，存储器单 元中储存的数据可能会丢失。
技术实现思路
各种示例性实施例涉及提供一种存储器和存储器系统，用于通过刷新相邻字线来 防止耦接至与频繁激活的字线相邻的相邻字线的存储器单元中的数据丢失。 toon] 此外，各种示例性实施例涉及提供一种存储器和存储器系统，用于即使在频繁激 活的字线是替换正常字线的冗余字线时，也防止耦接至与频繁激活的字线相邻的相邻字线 的存储器单元中的数据丢失。 在一个示例性实施例中，存储器可以包括：第一单元块，其包括多个第一字线组和 一个或更多个第一冗余字线组，多个第一字线组中的每个第一字线组具有两个或更多个第 一字线，一个或更多个第一冗余字线组中的每个第一冗余字线组具有两个或更多个第一冗 余字线并且对应于多个命中信号中的一个命中信号；第二单元块，其包括多个第二字线组 和一个或更多个第二冗余字线组，多个第二字线组中的每个第二字线组具有两个或更多个 第二字线，一个或更多个第二冗余字线组中的每个第二冗余字线组具有两个或更多个第二 冗余字线并且对应于多个命中信号中的一个命中信号；以及控制单元，其适用于响应于第 一输入地址而选择单元块和字线，以及基于在第一输入地址之后输入的输入地址刷新选择 的字线，而当通过第一输入地址选择的第一选择字线与冗余字线相邻时，响应于第一输入 地址和命中信号而刷新与第一选择字线相邻的一个或更多个相邻字线，其中，第一输入地 址在目标刷新部分中被第一个输入。 在一个示例性实施例中，一种存储器系统可以包括存储器和存储器控制器，存储 器包括：第一单元块，第一单元块适用于包括多个第一字线组和一个或更多个第一冗余字 线组，多个第一字线组中的每个第一字线组具有两个或更多个第一字线，一个或更多个第 一冗余字线组中的每个第一冗余字线组具有两个或更多个第一冗余字线并且对应于多个 命中信号中的一个命中信号；以及第二单元块，第二单元块适用于包括多个第二字线组和 一个或更多个第二冗余字线组，多个第二字线组中的每个第二字线组具有两个或更多个第 二字线，一个或更多个第二冗余字线组中的每个第二冗余字线组具有两个或更多个第二冗 余字线并且对应于多个命中信号中的一个命中信号，其中，存储器响应于第一输入地址而 选择单元块和字线，并且基于在第一输入地址之后输入的输入地址刷新选择的字线，而在 通过第一输入字线选择的第一选择字线与冗余字线相邻时响应于第一输入地址和命中信 号而刷新与第一选择字线相邻的一个或更多个相邻字线，其中，第一输入地址在目标刷新 部分中被第一个输入；存储器控制器适用于在检测到要执行目标刷新操作的字线时控制存 储器进入目标刷新部分，以及在目标刷新操作期间施加用于选择存储器中的检测字线的一 个或更多个地址。 【附图说明】 图1是说明用于描述字线干扰的存储器中包括的单元阵列的一部分的图； 图2是描述用于刷新与频繁激活的字线相邻的相邻字线的目标刷新操作的时序 图； 图3是说明根据本专利技术的示例性实施例的存储器的框图； 图4是说明图3中所示的控制单元的详细框图； 图5是说明图4中所示的单元块选择单元的详细框图； 图6是说明图4中所示的命中信号发生单元的详细框图； 图7是说明图4中所示的目标刷新控制单元的详细框图； 图8是说明图4中所示的字线控制信号发生单元的详细框图； 图9是说明图4中所示的冗余控制单元的框图；以及 图10是说明根据本专利技术的示例性实施例的存储器系统的框图。 【具体实施方式】 下面将参照附图更详细地描述各种实施例。然而，本专利技术可以用不同的方式实施， 而不应解释为限于本文所陈列的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开充分与完 整，并向本领域技术人员充分地传达本专利技术的范围。在本公开中，附图标记直接对应于在本 专利技术的各种附图和实施例中相同编号的部分。还应注意的是，在本说明书中，连接/耦接 不仅表示一个部件与另一个部件直接耦接，还表示经由中间部件与另一个部件间接耦接。 另外，只要未在句子中特意提及，单数形式可以包括复数形式。 附图并非按比例绘制，在某些情况下，为了清楚地说明实施例的特征，可能对比例 做夸大处理。 在下文中，当字线在刷新操作中响应于激活命令而被激活时，与激活的字线耦接 的存储器单元被刷新。另外，刷新字线可以表示刷新与相应的字线耦接的存储器单元。 在下文中，频繁激活的字线可以表示激活次数等于或大于参考数目的字线，或者 激活频率满足预定条件(例如，高于参考频率）的字线。相邻字线可以表示与频繁激活的字 线相邻设置以及允许与其耦接的存储器单元的数据受频繁激活的字线的激活或预充电操 作的影响的字线。 图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，包括：第一单元块，所述第一单元块包括多个第一字线组和一个或更多个第一冗余字线组，所述多个第一字线组中的每个第一字线组具有两个或更多个第一字线，所述一个或更多个第一冗余字线组中的每个第一冗余字线组具有两个或更多个第一冗余字线并且对应于多个命中信号中的一个命中信号；第二单元块，所述第二单元块包括多个第二字线组和一个或更多个第二冗余字线组，所述多个第二字线组中的每个第二字线组具有两个或更多个第二字线，所述一个或更多个第二冗余字线组中的每个第二冗余字线组具有两个或更多个第二冗余字线并且对应于所述多个命中信号中的一个命中信号；以及控制单元，所述控制单元适用于响应于第一输入地址而选择单元块和字线，以及基于在所述第一输入地址之后输入的输入地址刷新选择的字线，而当通过所述第一输入地址选择的第一选择字线与冗余字线相邻时，响应于所述第一输入地址和所述命中信号而刷新与所述第一选择字线相邻的一个或更多个相邻字线，其中，所述第一输入地址在目标刷新部分中被第一个输入。

【技术特征摘要】
2013.08.13 KR 10-2013-00960311. 一种存储器，包括： 第一单元块，所述第一单元块包括多个第一字线组和一个或更多个第一冗余字线组， 所述多个第一字线组中的每个第一字线组具有两个或更多个第一字线，所述一个或更多个 第一冗余字线组中的每个第一冗余字线组具有两个或更多个第一冗余字线并且对应于多 个命中信号中的一个命中信号； 第二单元块，所述第二单元块包括多个第二字线组和一个或更多个第二冗余字线组， 所述多个第二字线组中的每个第二字线组具有两个或更多个第二字线，所述一个或更多个 第二冗余字线组中的每个第二冗余字线组具有两个或更多个第二冗余字线并且对应于所 述多个命中信号中的一个命中信号；以及 控制单元，所述控制单元适用于响应于第一输入地址而选择单元块和字线，以及基于 在所述第一输入地址之后输入的输入地址刷新选择的字线，而当通过所述第一输入地址选 择的第一选择字线与冗余字线相邻时，响应于所述第一输入地址和所述命中信号而刷新与 所述第一选择字线相邻的一个或更多个相邻字线，其中，所述第一输入地址在目标刷新部 分中被第一个输入。2. 如权利要求1所述的存储器，其中，当与所述第一输入地址相对应的字线未由冗余 字线替换时，所述第一选择字线是与所述第一输入地址相对应的正常字线；而当与所述第 一输入地址相对应的字线由冗余字线替换时，所述第一选择字线是用于替换与所述第一输 入地址相对应的所述正常字线的所述冗余字线。3. 如权利要求1所述的存储器，其中，在所述第一单元块中，所述第一字线被顺序设 置，并且所述第一冗余字线被顺序设置在最后设置的第一字线之后；以及在所述第二单元 块中，所述第二字线被顺序设置，并且所述第二冗余字线被顺序设置在最后设置的第二字 线之后。4. 如权利要求1所述的存储器，其中，在所述目标刷新部分中顺序...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斗灿，宋清基，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR