【技术实现步骤摘要】
各种实施方式涉及包括存储器装置的储存装置。
技术介绍
1、储存装置可以被配置为响应于来自外部装置的写入请求而在其中存储从外部装置提供的数据。此外,储存装置可以被配置为响应于来自外部装置的读取请求而向外部装置提供所存储的数据。外部装置是能够处理数据的电子装置,并且可以包括计算机、数码相机、移动电话等。储存装置可以安装在外部装置中或者可以被制造为能够连接到外部装置以及从外部装置拆卸。储存装置可以包括被配置为在其中存储数据的存储器装置。
2、随着存储器装置持续操作,存储器装置内的存储器单元可能越来越劣化。由于严重劣化而不能被利用的存储器区域可以作为坏存储器区域来管理。随着坏存储器区域数量的增加,存储器装置的存储容量减小,因此无法执行优化操作。
技术实现思路
1、在实施方式中,一种储存装置可以包括存储器装置和控制器。存储器装置可以包括由多个存储器单元配置的存储器区域。控制器可以被配置为基于对存储器区域的操作的结果来针对存储器区域设置至少一个禁止阈值电压分布。
2、在实施方式
...【技术保护点】
1.一种储存装置,所述储存装置包括:
2.根据权利要求1所述的储存装置,其中,当通过对所述存储器区域的读取操作读取的数据包括失败位并且失败位的数量超过参考数量时,所述控制器针对所述存储器区域将所述存储器区域内的所述存储器单元的多个阈值电压分布当中的与最高失败数量相对应的阈值电压分布设置为所述至少一个禁止阈值电压分布。
3.根据权利要求1所述的储存装置,其中,所述控制器在对所述存储器区域的编程操作失败时,按照所述存储器单元的阈值电压分布当中从最高阈值电压分布到最低阈值电压分布的降序来设置所述至少一个禁止阈值电压分布。
4.根据权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种储存装置,所述储存装置包括:
2.根据权利要求1所述的储存装置,其中,当通过对所述存储器区域的读取操作读取的数据包括失败位并且失败位的数量超过参考数量时,所述控制器针对所述存储器区域将所述存储器区域内的所述存储器单元的多个阈值电压分布当中的与最高失败数量相对应的阈值电压分布设置为所述至少一个禁止阈值电压分布。
3.根据权利要求1所述的储存装置,其中,所述控制器在对所述存储器区域的编程操作失败时,按照所述存储器单元的阈值电压分布当中从最高阈值电压分布到最低阈值电压分布的降序来设置所述至少一个禁止阈值电压分布。
4.根据权利要求1所述的储存装置,其中,所述控制器在对所述存储器区域的擦除操作失败时,按照所述存储器单元的阈值电压分布当中从最低阈值电压分布到最高阈值电压分布的升序来设置所述至少一个禁止阈值电压分布。
5.根据权利要求1所述的储存装置,其中,基于正在执行哪个操作以及在该操作中计算出的失败数量,所述控制器确定针对所述存储器区域一次要设置多少个禁止阈值电压分布。
6.根据权利要求5所述的储存装置,其中,当所述操作是读取操作时,所述失败数量是通过对从所述存储器区域读取的数据的纠错操作而被纠错的失败位的数量。
7.根据权利要求5所述的储存装置,其中,当所述操作是编程操作时,所述失败数量是所述存储器区域内的应该具有高于所选择的编程验证电压的存储器单元当中具有低于所选择的编程验证电压的阈值电压的存储器单元的数量。
8.根据权利要求5所述的储存装置,其中,当所述操作是擦除操作时,所述失败数量是所述存储器单元当中具有高于擦除验证电压的阈值电压的存储器单元的数量。
9.根据权利要求1所述的储存装置,其中,在设置所述至少一个禁止阈值电压分布之前,所述控制器在针对所述存储器区域的允许阈值电压分布的数量被确定为低于阈值数量时,将所述存储器区域确定为坏存储器区域。
10.根据权利要求1所述的储存装置,其中,所述控制器在设置所述至少一个禁止阈值电压分布时针对所述存储器区域设置至...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔晳焕,郭东勋,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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