本申请提供一种电源控制电路及存储器，包括：控制模块，耦接于传输模块的控制端，用于响应于模式信号处于第一电平状态，输出第一电压的控制信号；以及，响应于模式信号处于第二电平状态，输出第二电压的控制信号；传输模块，耦接在第一接地信号和电路模块之间，用于响应于第一电压的控制信号，将电路模块连接至第一接地信号；以及，响应于第二电压的控制信号断开连接；其中，第一电压表征高电平状态，第二电压低于第一接地信号的电压。本方案能够减小漏电流。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储器技术，尤其涉及一种电源控制电路及存储器。
技术介绍
1、伴随存储器技术的发展，存储器被广泛应用在多种领域，比如，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称dram)的使用非常广泛。
2、实际应用中，存储器内部包含多个电路模块，电路模块在工作时需要电源信号，这里的电源信号比如，供电电源、接地电源等。为了便于电源管理，降低功耗，在一些示例中设置总电源，通过控制总电源与电路模块之间的传输模块，来实现各电路模块的电源控制。故需考虑如何实现有效的电源控制。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供一种电源控制电路及存储器。
2、根据一些实施例，本申请第一方面提供一种电源控制电路，包括：控制模块，耦接于传输模块的控制端，用于响应于模式信号处于第一电平状态，输出第一电压的控制信号；以及，响应于所述模式信号处于第二电平状态，输出第二电压的控制信号；所述传输模块，耦接在第一接地信号和电路模块之间，用于响应于所述第一电压的控制信号，将所述电路模块连接至所述第一接地信号；以及，响应于所述第二电压的控制信号断开连接；其中，所述第一电压表征高电平状态，所述第二电压低于所述第一接地信号的电压。
3、在一些实施例中，所述传输模块包括：第一nmos晶体管；所述第一nmos晶体管的源极接收所述第一接地信号，所述第一nmos晶体管的漏极连接至所述电路模块；所述第一nmos晶体管的栅极作为所述传输模块的控制端，连接至所述控制模块。</p>4、在一些实施例中，所述控制模块包括：第一开关、第二开关以及第一控制单元；所述第一开关的第一端连接电源信号，所述第一开关的第二端与所述传输模块的控制端连接，所述第一开关的控制端连接所述模式信号的反相信号；所述第一开关用于当所述模式信号切换至所述第一电平状态时导通，以及当所述模式信号切换至所述第二电平状态时关断；所述第二开关的第一端与所述传输模块的控制端连接，所述第二开关的第二端连接至第二接地信号；所述第二接地信号的电压为所述第二电压；所述第一控制单元的输入端连接所述模式信号的反相信号，第一控制单元的输出端与所述第二开关的控制端连接；所述第一控制单元用于当所述模式信号切换至所述第一电平状态时，控制所述第二开关关断，以及当所述模式信号切换至所述第二电平状态时，经过第一延时后控制所述第二开关导通。
5、在一些实施例中，所述控制模块还包括：第二控制单元；所述第二控制单元的输入端连接所述模式信号的反相信号，所述第二控制单元的输出端与所述第一开关的控制端连接；所述第二控制单元用于当所述模式信号切换至所述第一电平状态时，经过第二延时后控制所述第一开关导通，以及当所述模式信号切换至所述第二电平状态时，控制所述第一开关关断。
6、在一些实施例中，所述第二控制单元包括：第一延时单元和或门；所述或门的第一输入端与所述第一延时单元的输出端连接，所述或门的第二输入端连接所述模式信号的反相信号，所述或门的输出端连接至所述第一开关的控制端；所述第一延时单元的输入端与所述或门的第二输入端连接，所述第一延时单元用于将接收的信号经过所述第二延时后传输至所述或门的第一输入端。
7、在一些实施例中，所述第一控制单元包括：第一逻辑单元和第一电平转换单元；所述第一逻辑单元的输入端连接所述模式信号的反相信号，所述第一逻辑单元的输出端连接至所述第一电平转换单元的输入端；所述第一逻辑单元用于当接收的信号切换至所述第二电平状态时，输出电平状态为所述第二电平状态的信号，以及当接收的信号切换至所述第一电平状态时，经过所述第一延时后输出电平状态为所述第一电平状态的信号；所述第一电平转换单元的输出端与所述第二开关的控制端连接；所述第一电平转换单元用于将接收到的低电平信号的电压转换为所述第二电压。
8、在一些实施例中，所述第一逻辑单元包括：第二延时单元和第一与门；所述第一与门的第一输入端连接所述模式信号的反相信号，所述第一与门的第二输入端与所述第二延时单元的输出端连接，所述第一与门的输出端与所述第一电平转换单元的输入端连接；所述第二延时单元的输入端与所述第一与门的第一输入端连接；所述第二延时单元的延时时长为所述第一延时。
9、在一些实施例中，所述控制模块还包括：第三开关和第三控制单元；所述第三开关的第一端与所述传输模块的控制端连接，所述第三开关的第二端连接所述第一接地信号；所述第三控制单元的输入端与所述第一控制单元连接，所述第三控制单元的输出端与所述第三开关的控制端连接；所述第三控制单元用于当所述模式信号切换至第一电平状态时，控制所述第三开关关断，以及当所述模式信号切换至第二电平状态时，控制所述第三开关导通并经过所述第一延时后控制所述第三开关关断。
10、在一些实施例中，所述第三控制单元包括：非门和第二与门；所述非门的输入端与所述第二延时单元的输出端连接，所述非门的输出端与所述第二与门的第一输入端连接；所述第二与门的第二输入端与所述第二延时单元的输入端连接，所述第二与门的输出端与所述第三开关的控制端连接。
11、在一些实施例中，所述第三控制单元还包括：第二电平转换单元；所述第二电平转换单元的输入端与所述第二与门的输出端连接，所述第二电平转换单元的输出端与所述第三开关的控制端连接，所述第二电平转换单元的延迟与所述第一电平转换单元的延迟一致。
12、在一些实施例中，所述第一开关包括pmos晶体管，所述第二开关包括第二nmos晶体管。
13、在一些实施例中，所述第三开关包括第三nmos晶体管。
14、在一些实施例中，所述第一接地信号的电压与所述第二电压之间的电压差的绝对值位于0.2～0.3伏的电压范围。
15、在一些实施例中，所述模式信号处于第一电平状态表征工作模式，所述模式信号处于第二电平状态表征空闲模式。
16、根据一些实施例，本申请第二方面提供一种存储器，包括：电路模块以及如前所述的电源控制电路；所述电源控制电路，耦接于所述电路模块，用于在工作模式下向所述电路模块提供第一接地信号，以及在空闲模式下停止向所述电路模块提供所述第一接地信号。
17、本申请实施例提供的电源控制电路及存储器中，控制模块响应于模式信号的不同电平状态，输出不同电压的控制信号，耦接在总接地信号和电路模块之间的传输模块在不同电压的控制信号的控制下，导通或者关断，以实现各电路模块的电源控制，其中，用于控制传输模块断开的控制信号的电压低于总接地信号的电压。本方案中，当无需向电路模块提供接地信号时，采用低于总接地信号的电压的第二电压来控制传输模块断开，相比于采用普通的接地信号来控制传输模块断开，可以有效减小漏电流，从而提高电源控制的可靠性，并且进一步降低功耗。
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【技术保护点】
1.一种电源控制电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电源控制电路，其特征在于，所述传输模块包括：第一NMOS晶体管；
3.根据权利要求2所述的电源控制电路，其特征在于，所述控制模块包括：第一开关、第二开关以及第一控制单元；
4.根据权利要求3所述的电源控制电路，其特征在于，所述控制模块还包括：第二控制单元；
5.根据权利要求4所述的电源控制电路，其特征在于，所述第二控制单元包括：第一延时单元和或门；
6.根据权利要求3所述的电源控制电路，其特征在于，所述第一控制单元包括：第一逻辑单元和第一电平转换单元；
7.根据权利要求6所述的电源控制电路，其特征在于，所述第一逻辑单元包括：第二延时单元和第一与门；
8.根据权利要求7所述的电源控制电路，其特征在于，所述控制模块还包括：第三开关和第三控制单元；
9.根据权利要求8所述的电源控制电路，其特征在于，所述第三控制单元包括：非门和第二与门；
10.根据权利要求9所述的电源控制电路，其特征在于，所述第三控制单元还包括：第二电平转换单元；
11.根据权利要求3-10任一项所述的电源控制电路，其特征在于，所述第一开关包括PMOS晶体管，所述第二开关包括第二NMOS晶体管。
12.根据权利要求8-10任一项所述的电源控制电路，其特征在于，所述第三开关包括第三NMOS晶体管。
13.根据权利要求1-10任一项所述的电源控制电路，其特征在于，所述第一接地信号的电压与所述第二电压之间的电压差的绝对值位于0.2～0.3伏的电压范围。
14.根据权利要求1-10任一项所述的电源控制电路，其特征在于，所述模式信号处于第一电平状态表征工作模式，所述模式信号处于第二电平状态表征空闲模式。
15.一种存储器，其特征在于，包括：电路模块以及如权利要求1-14任一项所述的电源控制电路；
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【技术特征摘要】
1.一种电源控制电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电源控制电路，其特征在于，所述传输模块包括：第一nmos晶体管；
3.根据权利要求2所述的电源控制电路，其特征在于，所述控制模块包括：第一开关、第二开关以及第一控制单元；
4.根据权利要求3所述的电源控制电路，其特征在于，所述控制模块还包括：第二控制单元；
5.根据权利要求4所述的电源控制电路，其特征在于，所述第二控制单元包括：第一延时单元和或门；
6.根据权利要求3所述的电源控制电路，其特征在于，所述第一控制单元包括：第一逻辑单元和第一电平转换单元；
7.根据权利要求6所述的电源控制电路，其特征在于，所述第一逻辑单元包括：第二延时单元和第一与门；
8.根据权利要求7所述的电源控制电路，其特征在于，所述控制模块还包括：第三开关和第三控制单元；
9.根据权利要求8所述的电源控制电路，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠来，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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