【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构及封装结构的控制方法。
技术介绍
1、在半导体行业中，系统级封装(system in package，简称sip封装)，是将多种功能芯片，比如，处理器和存储器等功能芯片集成到一个封装内，从而形成一个整体的封装模组。
2、相关技术中，封装结构通常包括逻辑芯片和设置在逻辑芯片上的封装单元，其中，封装单元包括多个芯片，多个芯片通常沿垂直于逻辑芯片的方向层叠设置，相邻的芯片之间通过硅通孔连接。
3、然而，上述封装结构的散热性能差，影响封装结构的性能。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施例提供一种封装结构及封装结构的控制方法，用于提高封装结构的散热性能，从而提升封装结构性能的稳定性。
2、为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：
3、本申请实施例的第一方面提供一种封装结构，其包括：
4、第一芯片；封装单元，位于所述第一芯片上，所述封装单元包括多个第二芯片，多个所述第二芯片沿垂直于所述第一芯片的方向依次排布，并与所述第一芯片电性连接；热电制冷器，所述热电制冷器被配置为调节所述第一芯片和所述封装单元之间的温度差。
5、在一些可选的实施例中，所述热电制冷器包括第一热量传递端和第二热量传递端，所述第一热量传递端和所述第二热量传递端之间具有温差；所述第一热量传递端与所述封装单元连接，所述第二热量传递端与所述第一芯片连接，且所述第一热量传递端和所述第二热量传递端之间可进行热量
6、在一些可选的实施方式中，所述热电制冷器与电源电连接，所述电源被配置为向所述热电制冷器提供正向电压或反向电压；当所述电源向所述热电制冷器施加正向电压时，所述第一热量传递端为吸热端；第二热量传递端为放热端；当所述电源向所述热电制冷器施加反向电压时，所述第一热量传递端为放热端，所述第二热量传递端为吸热端。
7、在一些可选的实施例中，所述热电制冷器包括两个相对设置的导热基板和位于两个所述导热基板之间的半导体热电元件，所述导热基板朝向所述半导体热电元件的一侧设置有绝缘层，所述绝缘层与所述半导体热电元件之间设置有导电片，所述导电片与所述半导体热电元件电连接。
8、在一些可选的实施例中，所述导电片具有引出至所述热电制冷器外侧壁上的第一电源接口，所述第一电源接口被配置为与所述电源电性连接。
9、在一些可选的实施例中，所述半导体热电元件包括n型晶体管和p型晶体管，所述导电片分别与所述n型晶体管和所述p型晶体管电性连接。
10、在一些可选的实施例中，所述热电制冷器设置在所述第一芯片和所述封装单元之间。
11、在一些可选的实施例中，所述热电制冷器设置在所述第一芯片上，并环绕在所述封装单元靠近所述第一芯片的一端的侧壁上。
12、在一些可选的实施例中，还包括处理器，所述处理器分别与所述第一芯片、所述封装单元和所述热电制冷器信号连接，所述处理器被配置为根据所述第一芯片的温度和所述封装单元的温度，控制所述热电制冷器调节所述第一芯片和所述封装单元之间的温度差。
13、在一些可选的实施例中，还包括第一温度传感器，所述第一温度传感器与所述处理器信号连接，所述第一温度传感器被配置为检测所述封装单元的温度，并将检测的所述温度发送至所述处理器。
14、在一些可选的实施例中，还包括第二温度传感器，所述第二温度传感器与所述处理器信号连接，所述第二温度检测件被配置为检测所述第一芯片的温度，并将检测的所述温度发送至所述处理器。
15、在一些可选的实施例中，所述封装结构还包括无线通信模块，所述第一芯片和所述封装单元之间通过所述无线通信模块进行数据传输。
16、在一些可选的实施例中，所述封装单元中设置有第一收发组件，所述第一芯片上设置有第二收发组件，所述第一收发组件和所述第二收发组件可分别与所述无线通信模块信号交互。
17、在一些可选的实施例中，所述封装单元包括与各所述第二芯片电性连接的第二电源接口，所述第二电源接口设置在所述封装单元的侧面，所述第二电源接口被配置为与电源电性连接。
18、在一些可选的实施例中，所述第一电源接口和所述第二电源接口位于所述封装单元的同一侧。
19、在一些可选的实施例中，还包括散热结构，所述散热结构设置在所述封装单元的表面上，并覆盖至少部分所述封装单元裸露的表面。
20、在一些可选的实施例中，所述散热结构包括散热基板和设置在所述散热基板上的多个散热凸起，所述散热凸起设置在所述散热基板背离所述封装单元的一侧，且多个所述散热凸起间隔设置在所述散热基板上。
21、本申请实施例的第二方面提供一种封装结构的控制方法，应用于上述封装结构，所述控制方法包括：
22、确定所述第一芯片的温度是否小于预设温度阈值；
23、若是，则通过热电制冷器将所述封装单元的热量传递至所述第一芯片；
24、若否，则通过热电制冷器将所述第一芯片的热量传递至所述封装单元。
25、本申请实施例提供的封装结构及封装结构的控制方法中，通过在封装结构中设置热电制冷器，以通过热电制冷器调节第一芯片和封装单元之间的温度差，这样，可以降低封装单元的温度的同时，可以使得第一芯片的温度达到理想的工作温度，从而提高封装结构的散热性能和封装结构性能的稳定性。
26、除了上面所描述的本申请实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本申请实施例提供的封装结构及封装结构的控制方法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述热电制冷器包括第一热量传递端和第二热量传递端，所述第一热量传递端和所述第二热量传递端之间具有温差；
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述热电制冷器与电源电连接，所述电源被配置为向所述热电制冷器提供正向电压或反向电压；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述热电制冷器包括两个相对设置的导热基板和位于两个所述导热基板之间的半导体热电元件，所述导热基板朝向所述半导体热电元件的一侧设置有绝缘层，所述绝缘层与所述半导体热电元件之间设置有导电片，所述导电片与所述半导体热电元件电连接。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述导电片具有引出至所述热电制冷器外侧壁上的第一电源接口，所述第一电源接口被配置为与所述电源电性连接。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述半导体热电元件包括N型晶体管和P型晶体管，所述导电片分别与所述N型晶体管和所述P型晶体管电性连接。
7.根据权利要求1
8.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述热电制冷器设置所述第一芯片上，并环绕在所述封装单元靠近所述第一芯片的一端的侧壁上。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括处理器，所述处理器分别与所述第一芯片、所述封装单元和所述热电制冷器信号连接，所述处理器被配置为根据所述第一芯片的温度和所述封装单元的温度，控制所述热电制冷器调节所述第一芯片和所述封装单元之间的温度差。
10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，还包括第一温度传感器，所述第一温度传感器与所述处理器信号连接，所述第一温度传感器被配置为检测所述封装单元的温度，并将检测的所述温度发送至所述处理器。
11.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，还包括第二温度传感器，所述第二温度传感器与所述处理器信号连接，所述第二温度检测件被配置为检测所述第一芯片的温度，并将检测的所述温度发送至所述处理器。
12.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括无线通信模块，所述第一芯片和所述封装单元之间通过所述无线通信模块进行数据传输。
13.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述封装单元中设置有第一收发组件，所述第一芯片上设置有第二收发组件，所述第一收发组件和所述第二收发组件可分别与所述无线通信模块信号交互。
14.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述封装单元包括与各所述第二芯片电性连接的第二电源接口，所述第二电源接口设置在所述封装单元的侧面，所述第二电源接口被配置为与电源电性连接。
15.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述第一电源接口和所述第二电源接口位于所述封装单元的同一侧。
16.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括散热结构，所述散热结构设置在所述封装单元的表面上，并覆盖至少部分所述封装单元裸露的表面。
17.根据权利要求16所述的封装结构，其特征在于，所述散热结构包括散热基板和设置在所述散热基板上的多个散热凸起，所述散热凸起设置在所述散热基板背离所述封装单元的一侧，且多个所述散热凸起间隔设置在所述散热基板上。
18.一种封装结构的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求1-17中任一项所述封装结构，所述控制方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述热电制冷器包括第一热量传递端和第二热量传递端，所述第一热量传递端和所述第二热量传递端之间具有温差；
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述热电制冷器与电源电连接，所述电源被配置为向所述热电制冷器提供正向电压或反向电压；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述热电制冷器包括两个相对设置的导热基板和位于两个所述导热基板之间的半导体热电元件，所述导热基板朝向所述半导体热电元件的一侧设置有绝缘层，所述绝缘层与所述半导体热电元件之间设置有导电片，所述导电片与所述半导体热电元件电连接。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述导电片具有引出至所述热电制冷器外侧壁上的第一电源接口，所述第一电源接口被配置为与所述电源电性连接。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述半导体热电元件包括n型晶体管和p型晶体管，所述导电片分别与所述n型晶体管和所述p型晶体管电性连接。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述热电制冷器设置在所述第一芯片和所述封装单元之间。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述热电制冷器设置所述第一芯片上，并环绕在所述封装单元靠近所述第一芯片的一端的侧壁上。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括处理器，所述处理器分别与所述第一芯片、所述封装单元和所述热电制冷器信号连接，所述处理器被配置为根据所述第一芯片的温度和所述封装单元的温度，控制所述热电制冷器调节所述第一芯片和所述封装单元之间的温度差。
10.根据权利要求9所述的封装结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：季宏凯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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