【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及存储器领域，特别涉及一种反熔丝结构及制备方法、存储器。
技术介绍
1、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)芯片上通常会有冗余存储单元，这些冗余存储单元可以在dram芯片产生缺陷存储单元时替换缺陷存储单元以达到修复dram的目的。在对dram芯片进行修复时，会借助到一次性编程器件，如反熔丝器件。
2、目前反熔丝(anti-fuse)器件的结构占用存储器芯片的面积较大，面积利用率低，且寻址利用率低，不利于提高存储器芯片的存储密度以及存储器芯片的性能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种反熔丝结构及存储器件，至少有利于降低反熔丝阵列的面积，以及提升反熔丝结构的控制端的寻址利用率。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种反熔丝结构，包括：反熔丝阵列，所述反熔丝阵列包括反熔丝单元，所述反熔丝单元包括：基底，所述基底具有多个有源区，每一所述有源区包括：依序设置的编程区、第一掺杂区、沟道区以及...
【技术保护点】
1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：反熔丝阵列，所述反熔丝阵列包括反熔丝单元，所述反熔丝单元包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，n个所述有源区沿所述第一栅极的周向进行n边形的间隔排布，其中，所述n为大于等于4的偶数。
3.根据权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，六个所述有源区沿所述第一栅极进行正六边形的间隔排布。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的反熔丝结构，其特征在于，在沿平行于所述基底表面的剖面上，所述有源区的形状包括m边形，m为大于等于3。
5.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：反熔丝阵列，所述反熔丝阵列包括反熔丝单元，所述反熔丝单元包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，n个所述有源区沿所述第一栅极的周向进行n边形的间隔排布，其中，所述n为大于等于4的偶数。
3.根据权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，六个所述有源区沿所述第一栅极进行正六边形的间隔排布。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的反熔丝结构，其特征在于，在沿平行于所述基底表面的剖面上，所述有源区的形状包括m边形，m为大于等于3。
5.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第二栅极围绕所述第一栅极设置，且在沿平行于所述基底表面的方向上，所述第一栅极的剖面形状包括中空环形。
6.根据权利要求1或5所述的反熔丝结构，其特征在于，在沿平行于所述基底表面的方向上，所述第一栅极的剖面形状包括中空环形、圆形、椭圆形或者正多边形中的至少一种。
7.权利要求6所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一栅极与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯闯明，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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