【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及存储器领域，特别涉及一种反熔丝结构及制备方法、存储器。
技术介绍
1、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)芯片上通常会有冗余存储单元，这些冗余存储单元可以在dram芯片产生缺陷存储单元时替换缺陷存储单元以达到修复dram的目的。在对dram芯片进行修复时，会借助到一次性编程器件，如反熔丝器件。
2、目前反熔丝(anti-fuse)器件的结构占用存储器芯片的面积较大，面积利用率低，且寻址利用率低，不利于提高存储器芯片的存储密度以及存储器芯片的性能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种反熔丝结构及存储器件，至少有利于降低反熔丝阵列的面积，以及提升反熔丝结构的控制端的寻址利用率。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种反熔丝结构，包括：反熔丝阵列，所述反熔丝阵列包括反熔丝单元，所述反熔丝单元包括：基底，所述基底具有多个有源区，每一所述有源区包括：依序设置的编程区、第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；第一栅极，连续地位于多个所述有源区上，且所述第一栅极与多个所述有源区上的每一所述编程区电接触，其中，多个所述有源区围绕所述第一栅极进行间隔排布；第二栅极，连续地位于多个所述有源区上，且所述第二栅极与多个所述有源区上的每一所述沟道区电接触。
3、在一些实施例中，n个所述有源区沿所述第一栅极的周向进行n边形的间隔排布，其中，所述n为大于等于4的偶数。
4、在一些实施
5、在一些实施例中，在沿平行于所述基底表面的剖面上，所述有源区的形状包括m边形，m为大于等于3。
6、在一些实施例中，所述第二栅极围绕所述第一栅极设置，且在沿平行于所述基底表面的方向上，所述第一栅极的剖面形状包括中空环形。
7、在一些实施例中，在沿平行于所述基底表面的方向上，所述第一栅极的剖面形状包括中空环形、圆形、椭圆形或者正多边形中的至少一种。
8、在一些实施例中，所述第一栅极与所述第二栅极的侧面相对；任一方向，所述第一栅极与所述第二栅极相对的侧面之间的距离相同。
9、在一些实施例中，所述第一栅极包括：第一栅介质层，连续地位于多个有源区上，且所述第一栅介质层的厚度小于等于3nm；第一导电层，覆盖所述第一栅介质层的表面。
10、在一些实施例中，所述反熔丝阵列中，一个反熔丝单元与其周围反熔丝单元之间，共用所述有源区。
11、在一些实施例中，共用的所述有源区形状包括正三边形，所述正三边形的中心区为共用的第二掺杂区，所述正三边形的顶角至所述中心区的方向上，为依序设置的所述编程区、所述第一掺杂区，以及所述沟道区。
12、在一些实施例中，所述反熔丝结构还包括：第一控制线，与所述反熔丝阵列中第一方向上的所述第一栅极电连接；第二控制线，与所述反熔丝阵列中第二方向上的所述第二栅极电连接；多条第三控制线，分别与所述反熔丝阵列中多个所述第二掺杂区电连接。
13、在一些实施例中，所述反熔丝结构还包括：第一接触孔结构，位于所述第一栅极上，所述第一控制线通过所述第一接触孔结构电连接所述第一栅极；第二接触孔结构，位于所述第二栅极上，所述第二控制线通过所述第二接触孔结构电连接所述第二栅极；多个第三接触孔结构，分别位于多个所述有源区上，所述第三控制线通过所述第三接触孔结构电连接所述有源区。
14、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种存储器，包括上述实施例中任一项的反熔丝结构。
15、根据本公开一些实施例，本公开实施例又一方面还提供一种反熔丝结构的制备方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多个有源区，并形成依序设置的编程区、第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；形成第一栅极，连续地位于多个所述有源区上，且所述第一栅极与多个所述有源区上的每一所述编程区电接触，其中，多个所述有源区围绕所述第一栅极进行间隔排布；形成第二栅极，连续地位于多个所述有源区上，且所述第二栅极与多个所述有源区上的每一所述沟道区电接触；其中，多个所述有源区、所述第一栅极以及所述第二栅极构成一个反熔丝单元，至少一个所述反熔丝单元构成反熔丝阵列。
16、在一些实施例中，在同一制备工艺，形成所述第一栅极以及所述第二栅极。
17、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
18、本公开实施例提供的技术方案中，反熔丝单元包括多个有源区，每一所述有源区包括：依序设置的编程区、第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；第一栅极，连续地位于多个所述有源区上，且所述第一栅极与多个所述有源区上的每一所述编程区电接触，其中，多个所述有源区围绕所述第一栅极进行间隔排布；第二栅极，连续地位于多个所述有源区上，且所述第二栅极与多个所述有源区上的每一所述沟道区电接触。与相关技术中的第一栅极以及第二栅极相比，第一栅极与多个有源区编程区电接触，第二栅极与多个沟道区电接触，且有源区围绕第一栅极间隔排布，由此增加了单个第一栅极控制端以及第二个栅极控制端所连接的有源区的数量，从而提升了单个控制端的寻址利用率，降低了反熔丝阵列的面积。此外，反熔丝结构的设计也并未增加单个反熔丝单元的面积，且无需增加新的控制端口以提高控制端的寻址利用率，节省成本。
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1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：反熔丝阵列，所述反熔丝阵列包括反熔丝单元，所述反熔丝单元包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，n个所述有源区沿所述第一栅极的周向进行n边形的间隔排布，其中，所述n为大于等于4的偶数。
3.根据权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，六个所述有源区沿所述第一栅极进行正六边形的间隔排布。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的反熔丝结构，其特征在于，在沿平行于所述基底表面的剖面上，所述有源区的形状包括m边形，m为大于等于3。
5.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第二栅极围绕所述第一栅极设置，且在沿平行于所述基底表面的方向上，所述第一栅极的剖面形状包括中空环形。
6.根据权利要求1或5所述的反熔丝结构，其特征在于，在沿平行于所述基底表面的方向上，所述第一栅极的剖面形状包括中空环形、圆形、椭圆形或者正多边形中的至少一种。
7.权利要求6所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一栅极与所述第二栅极的侧面相对；
8.根据权利要求1所述的反熔丝结
9.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝阵列中，一个反熔丝单元与其周围反熔丝单元之间，共用所述有源区。
10.根据权利要求9所述的反熔丝结构，其特征在于，共用的所述有源区形状包括正三边形，所述正三边形的中心区为共用的第二掺杂区，所述正三边形的顶角至所述中心区的方向上，为依序设置的所述编程区、所述第一掺杂区，以及所述沟道区。
11.根据权利要求9所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括：
12.根据权利要求11所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括：
13.一种存储器，其特征在于，包括：如权利要求1～12任一项所述的反熔丝结构。
14.一种反熔丝结构的制备方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的反熔丝结构的制备方法，其特征在于，在同一制备工艺，形成所述第一栅极以及所述第二栅极。
...【技术特征摘要】
1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：反熔丝阵列，所述反熔丝阵列包括反熔丝单元，所述反熔丝单元包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，n个所述有源区沿所述第一栅极的周向进行n边形的间隔排布，其中，所述n为大于等于4的偶数。
3.根据权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，六个所述有源区沿所述第一栅极进行正六边形的间隔排布。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的反熔丝结构，其特征在于，在沿平行于所述基底表面的剖面上，所述有源区的形状包括m边形，m为大于等于3。
5.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第二栅极围绕所述第一栅极设置，且在沿平行于所述基底表面的方向上，所述第一栅极的剖面形状包括中空环形。
6.根据权利要求1或5所述的反熔丝结构，其特征在于，在沿平行于所述基底表面的方向上，所述第一栅极的剖面形状包括中空环形、圆形、椭圆形或者正多边形中的至少一种。
7.权利要求6所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一栅极与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯闯明，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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