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本公开实施例涉及存储器领域，提供一种反熔丝结构及制备方法、存储器，反熔丝结构包括：反熔丝阵列，所述反熔丝阵列包括反熔丝单元，所述反熔丝单元包括：基底，所述基底具有多个有源区，每一所述有源区包括：依序设置的编程区、第一掺杂区、沟道区以及第二掺...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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