【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于存储器
，提出了一种改善增益型eDRAM器件结构。
技术介绍
如图I 所示，是 intel 的 2T Gain Cell eDRAM 单元。该 Gain Cell eDRAM 100 包括写MOS晶体管101、读MOS晶体管102、写字线(Write Word Line，ffffL) 105、读字线(ReadWord Line，RWL) 106、写位线(Write Bit Line，WBL) 107、读位线(Read Bit Line, RBL) 108以及等效寄生电容104(等效寄生电容不是作为一个独立器件而存在的，图中只是示意性地单独图示出)。其中，写MOS晶体管101的漏区连接于读MOS晶体管102的栅极，MN点 103为存储节点，等效寄生电容104 —端与103连接，另一端接地，因此，丽点的电位的高低能控制读MOS晶体管102的导通与关断；例如，电容104存储电荷时，代表存储“1”，MN点103为高电位，可以控制读MOS晶体管102关断。读MOS晶体管102的一端接RBL，另一端接RWL ;写MOS晶体管101的一端接WBL，另一端接...
【技术保护点】
一种增益eDRAM存储单元结构，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线，读MOS管的栅极和写MOS管的漏区通过金属线连接共同构成存储结点，写MOS管、读MOS管分别具有栅极介质，其特征在于，写MOS管、读MOS管具有沟槽沟道，写MOS管、读MOS管的栅极介质位于硅衬底沟槽中，栅极为向下凸起的凸面圆柱状。
【技术特征摘要】
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