半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，包括由铁磁性材料形成的芯层和贯穿所述芯层的通孔；半导体芯片，设置在所述框架的所述通孔中，并且具有设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面；包封件，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及第一连接结构，包括设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且电连接到所述连接垫的第一重新分布层。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年12月7日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0156736号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件，例如涉及一种扇出型半导体封装件。
技术介绍
半导体封装件在设计方面一直追求轻、薄、短和紧凑，同时在功能方面力求实现需要复杂性和多功能性的系统级封装(SiP)。满足上述技术要求的建议的封装件技术的一种类型是扇出半导体封装件。这样的扇出型半导体封装件具有紧凑的尺寸，并且可通过将连接端子重新分布在设置半导体芯片的区域的外部而允许实现多个引脚。另一方面，在这样的封装件中，用于形成半导体芯片、重新分布层等的材料彼此不同，因此可能会因热膨胀系数(CTE)的差异而出现翘曲。因此，当以具有大尺寸的面板级制造多个封装件时，可能会因翘曲而难以转移面板，并且可能存在工艺精度降低的问题。
技术实现思路
本公开的一方面提供一种半导体封装件，所述半导体封装件因其能够物理固定到磁性板而易于制造。根据本公开的一方面，在半导体封装件中，框架的芯层由铁磁性材料形成。一种半导体封装件包括：框架，包括由铁磁性材料形成的芯层和贯穿所述芯层的通孔；半导体芯片，设置在所述框架的所述通孔中，并且具有设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面；包封件，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及第一连接结构，包括设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且电连接到所述连接垫的第一重新分布层。通过以下详细描述、附图和权利要求，其他特征和方面将变得显而易见。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；图2是示出电子装置的示例的示意性透视图；图3A和图3B分别是示出扇入型半导体封装件在被封装之前和封装之后的示意性截面图；图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性截面图；图5是示出扇入型半导体封装件安装在中介基板上并最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图6是示出扇入型半导体封装件嵌入在中介基板中并最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图7是示出扇出型半导体封装件的示意性截面图；图8是示出扇出型半导体封装件安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图9是示出半导体封装件的示例的示意性截面图；图10是沿图9的半导体封装件的线I-I′截取的示意性平面图；图11A至图11D是示出制造图9的半导体封装件的示例的示意性工艺图；图12是示出半导体封装件的另一示例的示意性截面图；图13是示出半导体封装件的另一示例的示意性截面图；以及图14是示出在根据本公开的半导体封装件应用于电子装置的情况下的效果的示意性平面图。具体实施方式在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式例示，并且不应被解释为限于这里阐述的具体实施例。更确切地，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的，并且将要把本公开的范围充分传达给本领域技术人员。在整个说明书中，将理解的是，当元件(诸如层、区域或晶圆(基板))被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其他元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可没有元件或层介于它们之间。相同的附图标记始终表示相同的元件。如在这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一项或更多项的任意组合和全部组合。将显而易见的是，尽管这里可使用术语“第一”、“第二”和“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，以下所讨论的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。为了便于描述，这里可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，空间相对术语除意图包含附图中描绘的方位之外还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“上方”或“上面”的元件于是将会位于其他元件“下方”或“下面”。因此，术语“上方”可根据附图的具体方位而包含上方方位和下方方位两者。装置也可按照其他方式(旋转90度或处于其他方位)定位，并且可相应地解释这里所使用的空间相对术语。这里所使用的术语仅用于描述特定实施例，并且本公开不限于此。如这里所使用的，除非上下文另有清楚说明，否则单数形式也意图包括复数形式。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，列举存在所陈述的特征、数量、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组。在下文中，将参照示出本公开的实施例的示意图来描述本公开的实施例。在附图中，例如，由于制造技术和/或公差，可预测所示出的形状的改变。因此，本公开的实施例不应被解释为限于这里示出的区域的特定形状，而是例如包括在制造期间引起的形状的变化。以下实施例也可由它们中的一个或组合构成。以下描述的本公开的内容可具有多种构造，并且这里仅提出所需的构造，但不限于此。电子装置图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图。参照图1，电子装置1000可将主板1010容纳在其中。主板1010可包括物理连接或者电连接到其的芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等。这些组件可通过各种信号线1090连接到以下将描述的其他组件。芯片相关组件1020可包括：存储器芯片，诸如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM))、闪存等；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如，图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；以及逻辑芯片(诸如模拟数字转换器、专用集成电路(ASIC)等)等。然而，芯片相关组件1020不限于此，并且可包括其他类型的芯片相关组件。此外，芯片相关组件1020可彼此组合。网络相关组件1030可包括实现诸如以下的协议的组件：无线保真(Wi-Fi)(电气与电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE802.16族等)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、仅演进数据(Ev-D本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n框架，包括芯层和通孔，所述芯层由铁磁性材料形成，所述通孔贯穿所述芯层；/n半导体芯片，设置在所述框架的所述通孔中，并且具有其上设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面；/n包封件，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及/n第一连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层。/n

【技术特征摘要】
20181207 KR 10-2018-01567361.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
框架，包括芯层和通孔，所述芯层由铁磁性材料形成，所述通孔贯穿所述芯层；
半导体芯片，设置在所述框架的所述通孔中，并且具有其上设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面；
包封件，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及
第一连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述框架还包括芯绝缘层，所述芯绝缘层覆盖所述芯层的表面的至少一部分。


3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述框架还包括：
布线层，设置在所述芯层的两侧上并且电连接到所述连接垫；以及
连接过孔，贯穿所述芯层并且连接到所述布线层，并且具有由所述芯绝缘层围绕的侧表面。


4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述布线层通过所述芯绝缘层与所述芯层间隔开。


5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述连接过孔具有包括恒定宽度的圆柱形形状。


6.根据权利要求3所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
第二连接结构，包括过孔和第二重新分布层，所述过孔贯穿所述包封件并连接到所述框架的所述布线层，所述第二重新分布层设置在所述过孔上。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述铁磁性材料包括铁磁金属材料。


8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述铁磁性材料包括从由铁、镍、钴及它们的合金组成的组中选择的至少一种。


9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述铁磁性材料均匀地分布在所述芯层中。


10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述框架包括：第一布线层和第二布线层，分别设置在所述芯层的两侧上；第一堆积层和第二堆积层，分别设置在所述芯层的两侧上，并且分别覆盖所述第一布线层的至少一部分和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣官，许荣植，韩泰熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR