解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构，包括芯片和引线框基岛，所述引线框基岛上表面设有一环形凹槽，所述环形凹槽内侧形成焊接支撑台，所述焊接支撑台上表面低于引线框基岛的上表面，焊接支撑台上表面还阵列设有多个高度相同的支撑凸点，芯片通过烧结银胶焊接在焊接支撑台上。通过调整焊接支撑台上表面与引线框基岛的上表面之间的高度差，可以使外溢的烧结银胶即能反包芯片边缘，形成爬胶，同时又能避免烧结银胶爬胶过高；所述支撑凸点能有效的帮助将烧结银胶中的空气排挤出去，能使焊接层空洞率减少到2%以内，支撑凸点能保证芯片放置时的平整，避免出现芯片倾斜，能提升产品的焊接可靠性和产品的散热性。

Packaging and welding structure for 5g Gan chip with high reliability

【技术实现步骤摘要】
解决5GGaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构
本技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种解决5GGaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构。
技术介绍
5G应用的氮化镓/碳化硅(GaN/SiC)产品在工作时电流大、功率高，工作温度会高达250度，这就要求芯片封装产品具有高散热性、高可靠性的特性，为了满足这些要求，尤其是高散热性要求，对产品的封装材料(塑封料、焊接料)也有较高要求，都需要具有高导热性的特性，尤其是芯片底部的焊接料，连接了芯片和引线框基岛，芯片产生的热先传递到引线框基岛上，再散失到空气中，是决定产品散热性能的非常关键性的材料。目前，为了满足产品的高散热要求，都选用热导率大于100W/(m.K)的焊接材料，既烧结银胶，但是此类材料也有一些缺点，在烘烤固化焊接后，芯片与引线框基岛之间的焊接料中会出现很多空洞，这严重的影响了产品的散热性。不同界面散热性计算公式：Q＝a(tw-to)F式中，Q为散热量，单位为w。其中，tw为热源的表面温度，单位为℃，如芯片底面；to为外界散热源温度，单位为℃，如引线框基岛；F为散热面的面积，单位为m本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构，其特征在于，包括芯片和引线框基岛，所述引线框基岛上表面设有一环形凹槽，所述环形凹槽内侧形成焊接支撑台，所述焊接支撑台的形状和面积与芯片相适配，所述焊接支撑台上表面低于引线框基岛的上表面，所述焊接支撑台上表面还阵列设有多个高度相同的支撑凸点，所述支撑凸点的高度为30-50μm，所述芯片通过烧结银胶焊接在焊接支撑台上，烧结银胶的厚度等于或稍大于支撑凸点的高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种解决5GGaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构，其特征在于，包括芯片和引线框基岛，所述引线框基岛上表面设有一环形凹槽，所述环形凹槽内侧形成焊接支撑台，所述焊接支撑台的形状和面积与芯片相适配，所述焊接支撑台上表面低于引线框基岛的上表面，所述焊接支撑台上表面还阵列设有多个高度相同的支撑凸点，所述支撑凸点的高度为30-50μm，所述芯片通过烧结银胶焊接在焊接支撑台上，烧结银胶的厚度等于或稍大于支撑凸点的高度。


2.根据权利要求1所述的封装焊接结构，其特征在于，所述环形凹槽的深度为80-120μm，环形凹槽的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建伟，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44