晶圆的检测方法和检测设备技术

本申请实施例公开了一种晶圆的检测方法及检测设备。所述检测方法包括：检测带有刻蚀沟槽的待检测晶圆的第一质量；在所述待检测晶圆的所述刻蚀沟槽内填入填充材料；检测填入所述填充材料后的所述待检测晶圆的第二质量；确定所述第二质量与所述第一质量的第一质量差；根据所述第一质量差，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具有孔洞缺陷。

Testing method and equipment of wafer

【技术实现步骤摘要】
晶圆的检测方法和检测设备
本申请实施例涉及半导体技术，涉及但不限于一种晶圆的检测方法和检测设备。
技术介绍
在半导体器件的生产过程中，需要对晶圆进行多道复杂的处理工序，采用多层沉积、光刻等方法在晶圆表面形成图形化的薄膜，然后构成各种电学元器件以及电路结构等。在此过程中，需要保证每一层工艺的品质，及时发现不良点，因此，晶圆的检测是半导体制造工艺中不可缺少的重要环节。在一些半导体制程中，需要在晶圆表面的沟槽等结构中填入填充材料，例如金属等。然而，在填入过程中可能会产生气泡、孔洞等缺陷，难以检测且容易造成器件性能的降低。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种晶圆的检测方法和检测装置。第一方面，本申请提供一种晶圆的检测方法，包括：检测带有刻蚀沟槽的待检测晶圆的第一质量；在所述待检测晶圆的所述刻蚀沟槽内填入填充材料；检测填入所述填充材料后的所述待检测晶圆的第二质量；确定所述第二质量与所述第一质量的第一质量差；根据所述第一质量差，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的检测方法，其特征在于，包括：/n检测带有刻蚀沟槽的待检测晶圆的第一质量；/n在所述待检测晶圆的所述刻蚀沟槽内填入填充材料；/n检测填入所述填充材料后的所述待检测晶圆的第二质量；/n确定所述第二质量与所述第一质量的第一质量差；/n根据所述第一质量差，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具有孔洞缺陷。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的检测方法，其特征在于，包括：
检测带有刻蚀沟槽的待检测晶圆的第一质量；
在所述待检测晶圆的所述刻蚀沟槽内填入填充材料；
检测填入所述填充材料后的所述待检测晶圆的第二质量；
确定所述第二质量与所述第一质量的第一质量差；
根据所述第一质量差，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具有孔洞缺陷。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在待检测晶圆进行刻蚀前，检测所述待检测晶圆的第三质量；
对所述待检测晶圆进行刻蚀，形成所述刻蚀沟槽；
确定所述第三质量与所述第一质量的所述第二质量差；
所述根据所述第一质量差，确定所述待检测晶圆填入的所述填充材料是否具有孔洞缺陷，包括：
根据所述第一质量差与所述第二质量差，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具有孔洞缺陷。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一质量差与所述第二质量差，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具有孔洞缺陷，包括：
根据所述第一质量差与所述第二质量差，确定第一比值；
根据所述第一比值与预设基准值，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具有孔洞缺陷。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据质量差关系图上的预设基准线的斜率，确定所述预设基准值；
所述质量差关系图的纵坐标为所述第一质量差，所述预设关系图的横坐标为所述第二质量差；
所述根据所述第一比值与预设基准值，确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内是否具有孔洞缺陷，包括：
若所述第一比值大于所述预设基准值，则确定填入所述填充材料后的所述刻蚀沟槽内具有所述孔洞缺陷。


5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据至少两片标准晶圆在刻蚀前后以及填入所述填充材料后的质量，确定所述预设基准值。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据至少两片标准晶圆在刻蚀前后以及填入所述填充材料后的质量，确定所述预设基准值，包括：
在至少两片标准晶圆的表面，分别刻蚀形成刻蚀沟槽，其中，各所述标准晶圆表面形成的所述刻蚀沟槽的尺寸不同；
根据刻蚀前与刻蚀后的所述标准晶圆的质量，确定第一标准质量差；
在所述至少两片标准晶圆的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昊乘，张志恒，周毅，芈健，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42