晶圆传送盒、装载端口以及半导体移送设备制造技术

本发明专利技术提供一种晶圆传送盒、装载端口以及半导体移送设备，其通过在晶圆传送盒中增加氮气吹扫，减少晶圆沉积膜时产生的气体与晶圆传送盒内的氧气及水蒸气发生化学反应产生缺陷，进而影响产品良率的问题。所述晶圆传送盒被所述装载端口承载，在所述晶圆传送盒的被承载面上设置有：第一注入口，从所述装载端口的内部向所述第一注入口注入第一气体；以及第一排出口，从所述第一排出口向所述装载端口的内部排出第二气体。

Wafer transfer box, loading port and semiconductor transfer device

【技术实现步骤摘要】
晶圆传送盒、装载端口以及半导体移送设备
本专利技术涉及一种晶圆传送盒、装载端口以及半导体移送设备，具体而言，涉及一种气体吹扫晶圆传送盒、气体吹扫装载端口以及半导体移送设备。
技术介绍
随着集成电路半导体集成度的增加，对各项制程的环境要求越来越高，对存放晶圆的晶圆传送盒(FrontOpenUnifiedPod，FOUP)的清洁度要求也越来越高。而在现有的晶圆传送盒内，晶圆(Wafer)沉积膜(WaferDepoFilm)时产生的气体(Outgassing)与大气所含有的氧气及水蒸气可能会发生化学反应，导致晶圆表面缺陷，影响产品良率。为了解决上述问题，本专利技术提出一种晶圆传送盒、装载端口以及半导体移送设备，以提高晶圆传送盒内的清洁度，提高产品良率。
技术实现思路
专利技术要解决的课题为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供一种氮气吹扫晶圆传送盒、氮气吹扫装载端口以及半导体移送设备，以解决晶圆传送盒中的晶圆与周围气氛发生化学反应，产生缺陷影响产品良率的问题。用于解决问题的方案本专利技术的第一方案是一种晶圆传送盒，被装载端口承载，在所述晶圆传送盒的被承载面上设置有：第一注入口，从所述装载端口的内部向所述第一注入口注入第一气体；以及第一排出口，从所述第一排出口向所述装载端口的内部排出第二气体。优选地，在所述晶圆传送盒中，所述装载端口控制所述第一气体及所述第二气体的流量及流速。优选地，在所述晶圆传送盒中，所述第一气体为氮气，所述第二气体包括晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种。优选地，在所述晶圆传送盒中，所述第一注入口和所述第一排出口是孔或喷嘴。优选地，在所述晶圆传送盒中，所述第一注入口和所述第一排出口的数量的比例为3比1。本专利技术的第二方案是一种装载端口，用于承载晶圆传送盒，在所述装载端口的承载面上设置有：第二排出口，所述第二排出口向所述晶圆传送盒的内部注入第一气体；以及第二注入口，所述第二注入口接收从所述第一排出口排出的第二气体。优选地，在所述装载端口中，还包括：气体控制部，控制所述第一气体及所述第二气体的流量及流速。优选地，在所述装载端口中，所述第一气体为氮气，所述第二气体包括晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种。优选地，在所述装载端口中，所述气体控制部包括氮气流量传感器、氮气泄露传感器、氧气浓度传感器和质量流量控制器中的至少一种。优选地，在所述装载端口中，所述第二排出口和所述第二注入口是孔或喷嘴。优选地，在所述装载端口中，所述第二排出口和所述第二注入口的数量的比例为3比1。本专利技术的第三方案是一种半导体移送设备，包括晶圆传送盒和装载端口，所述晶圆传送盒被所述装载端口承载，其特征在于，在所述晶圆传送盒的被承载面上设置有：第一注入口，从所述装载端口的内部向所述第一注入口注入第一气体；以及第一排出口，从所述第一排出口向所述装载端口的内部排出第二气体，在所述装载端口的用于承载所述晶圆传送盒的承载面上设置有：第二排出口，与所述第一注入口对应地设置，所述第二排出口通过所述第一注入口向所述晶圆传送盒的内部注入所述第一气体；以及第二注入口，与所述第一排出口对应地设置，所述第二注入口接收从所述第一排出口排出到所述装载端口的内部的第二气体。优选地，在所述半导体移送设备中，所述装载端口还包括：气体控制部，控制所述第一气体及所述第二气体的流量及流速。优选地，在所述半导体移送设备中，所述第一气体为氮气，所述第二气体包括晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种。优选地，在所述半导体移送设备中，所述气体控制部包括氮气流量传感器、氮气泄露传感器、氧气浓度传感器和质量流量控制器中的至少一种。专利技术效果综上所述，根据本专利技术提供的晶圆传送盒，通过从装载端口的内部向第一注入口注入氮气，并从第一排出口向装载端口的内部排出在晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种，利用氮气吹扫晶圆传送盒内的气体以及更换晶圆传送盒内的气体，使得晶圆传送盒内部的晶圆可以沉浸在氮气环境中，由此避免了晶圆沉积膜时产生的气体与晶圆传送盒中的氧气和水蒸气发生化学反应，防止晶圆表面缺陷的产生，提升了产品良率，降低生产成本。根据本专利技术提供的装载端口，通过从第二排出口向晶圆传送盒的内部注入氮气，且晶圆传送盒内部含有的不纯净气体如：晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种通过第二注入口排出到装载端口的内部，利用氮气吹扫晶圆传送盒内的气体以及更换晶圆传送盒内的气体，使得晶圆传送盒内部的晶圆可以沉浸在氮气环境中，由此避免了晶圆沉积膜时产生的气体与晶圆传送盒中的氧气和水蒸气发生化学反应，防止晶圆表面缺陷的产生，提升了产品良率，降低生产成本。根据本专利技术提供的半导体移送设备，通过从第二排出口向第一注入口注入氮气，且从第一排出口向第二注入口排出晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种气体，利用氮气吹扫晶圆传送盒内的气体以及更换晶圆传送盒内的气体，使得晶圆传送盒内部的晶圆可以沉浸在氮气环境中，由此避免了晶圆沉积膜时产生的气体与晶圆传送盒中的氧气和水蒸气发生化学反应，防止晶圆表面缺陷的产生，提升了产品良率，降低生产成本。附图说明图1是表示现有技术中的半导体移送设备的结构示意图。图2是表示本专利技术的晶圆传送盒的结构示意图。图3是表示本专利技术的装载端口的结构示意图。图4是表示本专利技术的半导体移送设备的结构示意图。其中，附图标记说明如下：1晶圆传送盒；10晶圆；2装载端口；3半导体移送设备；11第一注入口；12第一排出口；21第二注入口；22第二排出口；23气体控制部。具体实施方式以下参照附图对本说明书所揭示的实施例进行详细的说明，在此，与附图标记无关的对相同或类似的结构要素赋予相同的参照标记，并将省去对其重复的说明。在以下说明中使用的针对结构要素的接尾词“部件”及“部”仅是考虑到便于说明书的撰写而被赋予或混用，其自身并不带有相互划分的含义或作用。并且，在对本专利技术揭示的实施例进行说明的过程中，如果判断为对于相关的公知技术的具体说明会导致混淆本说明书所揭示的实施例的技术思想，则将省去对其详细的说明。并且，所附的附图仅是为了容易理解本说明书所揭示的实施例，不应由所附的附图来限定本专利技术所揭示的技术思想，而是应当涵盖了本专利技术的思想及技术范围中所包括的所有变更、均等物乃至替代物。第一、第二等包含序数的术语可以用于说明多种结构要素，但是所述结构要素并不由所述术语所限定。所述术语仅是用于将一个结构要素与其它结构要素划分的目的来使用。如果提及到某个结构要素“连接”或“接触”于另一结构要素，其可以能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆传送盒，被装载端口承载，在所述晶圆传送盒的被承载面上设置有：/n第一注入口，从所述装载端口的内部向所述第一注入口注入第一气体；以及/n第一排出口，从所述第一排出口向所述装载端口的内部排出第二气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆传送盒，被装载端口承载，在所述晶圆传送盒的被承载面上设置有：
第一注入口，从所述装载端口的内部向所述第一注入口注入第一气体；以及
第一排出口，从所述第一排出口向所述装载端口的内部排出第二气体。


2.如权利要求1所述的晶圆传送盒，其特征在于，
所述装载端口控制所述第一气体及所述第二气体的流量及流速。


3.如权利要求2所述的晶圆传送盒，其特征在于，
所述第一气体为氮气，所述第二气体包括晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种。


4.如权利要求1至3的任一项所述的晶圆传送盒，其特征在于，
所述第一注入口和所述第一排出口是孔或喷嘴。


5.如权利要求4所述的晶圆传送盒，其特征在于，
所述第一注入口和所述第一排出口的数量的比例为3比1。


6.一种装载端口，用于承载晶圆传送盒，在所述装载端口的承载面上设置有：
第二排出口，所述第二排出口向所述晶圆传送盒的内部注入第一气体；以及
第二注入口，所述第二注入口接收从所述第一排出口排出的第二气体。


7.如权利要求6所述的装载端口，其特征在于，还包括：
气体控制部，控制所述第一气体及所述第二气体的流量及流速。


8.如权利要求7所述的装载端口，其特征在于，
所述第一气体为氮气，所述第二气体包括晶圆沉积膜时产生的气体、氧气及水蒸气中的至少一种。


9.如权利要求7所述的装载端口，其特征在于，
所述气体控制部包括氮气流量传感器、氮气泄露传感器、氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34