晶圆的测试方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆测试方法，使用测试探针机台针对晶圆上的芯片进行测试，包含：步骤一，进行晶圆探针测试，获取到晶圆的电学测试数据；步骤二，抬起探针，对晶圆上压焊点上的探针扎针针痕进行拍照，通过图像识别技术，获取当前测试后留下的针痕数据；步骤三，对上述针痕数据进行运算和分析：a，针痕位置分析，针痕是否落在晶圆上的压焊点范围内，以判定扎针是否有效；b,将当前针痕数据与之前扎针的针痕数据进行比对，以判定当前针痕的偏移；c,对针痕图像进行运算获取针痕所占面积比，或者判定晶圆压焊点是否存在金属层剥落露底。

Test method of wafer

【技术实现步骤摘要】
晶圆的测试方法
本专利技术涉及半导体器件制造及测试领域，特别是指一种晶圆的测试方法。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，测试是保证器件出厂品质的重要环节，通过测试，能将制造过程中产生的一些残次品，或者性能不合格产品挑选出来，或者是通过测试，获知器件的性能参数，能对产品进行等级的区分。探针测试是硅片测试中一个非常重要的测试项目，探针测试使用探针卡与晶圆上的压焊点(PAD)接触以传输电信号。探针卡是测试仪器与待测器件(DUT)之间的接口，典型的探针卡是一种带有很多细针的的印刷电路板，这些细针和待测器件之间进行物理和电学接触，探针传递进出晶圆测试结构压焊点的电压电流。在半导体芯片测试行业，在进行晶圆级产品或IP的测试时,往往需要进行多个条件下的测试或者验证。测试生产需要的探针卡，需根据晶圆芯片上的PAD布局和间距来设计，对于多同测的探针卡，一张探针卡上可多达上千根探针，对应可多达1024个DUT的同测要求。同测时要求对针精度高，任何一根探针针头变形会导致对应的DUT失效。测试过程中针卡位移偏差会导致扎针偏离PA本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的测试方法，使用测试探针机台针对晶圆上的芯片进行测试，其特征在于：/n步骤一，进行晶圆探针测试，获取到晶圆的电学测试数据；/n步骤二，抬起探针，对晶圆上压焊点上的探针扎针针痕进行拍照，通过图像识别技术，获取当前测试后留下的针痕数据；/n步骤三，对上述针痕数据进行运算和分析：/n所述分析包括：/na，针痕位置分析，针痕是否落在晶圆上的压焊点范围内，以判定扎针是否有效；/nb,将当前针痕数据与之前扎针的针痕数据进行比对，以判定当前针痕的偏移；/nc,对针痕图像进行运算获取针痕所占面积比，或者判定晶圆压焊点是否存在金属层剥落露底。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的测试方法，使用测试探针机台针对晶圆上的芯片进行测试，其特征在于：
步骤一，进行晶圆探针测试，获取到晶圆的电学测试数据；
步骤二，抬起探针，对晶圆上压焊点上的探针扎针针痕进行拍照，通过图像识别技术，获取当前测试后留下的针痕数据；
步骤三，对上述针痕数据进行运算和分析：
所述分析包括：
a，针痕位置分析，针痕是否落在晶圆上的压焊点范围内，以判定扎针是否有效；
b,将当前针痕数据与之前扎针的针痕数据进行比对，以判定当前针痕的偏移；
c,对针痕图像进行运算获取针痕所占面积比，或者判定晶圆压焊点是否存在金属层剥落露底。


2.如权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：将当前针痕照片与上一次的针痕照片进行比对，以筛选出最新的针痕进行分析。


3.如权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：通过对探针针痕进行连续监测，能获取探针的扎针偏移趋势，以尽早对探针扎针位置进行偏移纠正，防止探针扎针失效。


4.如权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：通过测量针痕中心点与晶圆上压焊点四条边的距离来判断针痕的偏移程度。


5.如权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：对针痕图像进行运算获取针痕所占面积比能判断出探针与晶圆压焊点的接触状态，确定探针与压焊点是否接触良好，以便及时更换过度磨损的探针。


6.一种晶圆的测试方法，使用测试探针机台针对晶圆上的芯片进行测试，其特征在于：
步骤一，在正式测试前，先进行针痕数据采集工作，筛选出已经通过测试且电学测试结果良好的晶圆的测试数据，对晶圆上的探针压焊点上的探针压痕进行图像获取，获取已完成测试的压焊点接触情况的图像信息，得出针痕数据样本并整理；
步骤二，在正式测试时，通过图像识别技术，进行当前测试晶圆上的压焊点针痕进行图像获取及针痕数据分析，判断并记录每个探针卡上探针编号对应的针痕数据；
步骤三，对上述数据进行分析和运算，并与步骤一中得出的针痕数据样本进行比对判断，可实时发现扎针位置异常，并报告异常探针编号。
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴苑，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31