一种芯粒缺陷检测的方法和存储介质技术

本发明专利技术公开了一种芯粒缺陷检测的方法和存储介质，所述方法包括：建立与产品相关的颜色检测模型；扫描待测晶圆，生成晶圆扫描图；根据颜色检测模式，将晶圆扫描图的颜色分量与样品颜色检测模型中的颜色分量值进行比对，根据两者的误差范围输出待测晶圆的检测结果。本申请应用光电转换和数模转换的原理以及PC端的处理，通过对比像素的RGB值，达到可自动检测晶圆表面缺陷的方法，再对不同待测薄膜、涂层等模型的扫描和校准，达到可检测模型均匀性的方法。

A method of core defect detection and storage medium

【技术实现步骤摘要】
一种芯粒缺陷检测的方法和存储介质
本专利技术涉及晶圆加工制造领域，尤其涉及一种芯粒缺陷检测的方法和存储介质。
技术介绍
在半导体制造行业，晶圆的芯粒缺陷检测是其中重要一项。现有的芯粒检测通过自动缺陷检测机(简称AVI)来完成，这类机台有两种光学信号处理方式，即灰度和RGB。现有技术无法实现薄膜、涂层的均匀性检测，此外，在设定样本时，容易将缺陷设为正常，且提供缺陷频发的数据不够精确。
技术实现思路
为此，需要提供一种芯粒缺陷检测的技术方案，用以解决现有技术在进行晶圆芯粒检测时无法实现薄膜、涂层的均匀性检测、且缺陷数据不准确的问题。为实现上述目的，专利技术人提供了一种芯粒缺陷检测的方法，所述方法包括以下步骤:建立与产品相关的颜色检测模型；扫描待测晶圆，生成晶圆扫描图；根据颜色检测模式，将晶圆扫描图的颜色分量与样品颜色检测模型中的颜色分量值进行比对，根据两者的误差范围输出待测晶圆的检测结果。可选的，所述晶圆包括多个芯粒，所述方法包括以下步骤:统计待测晶圆上芯粒缺陷数量、大小、芯粒位置信息，并计算芯粒良率，输出测试结果；所述芯粒缺陷为晶圆扫描图颜色分量值与样品颜色检测模型中的颜色分量值差值大于预设误误差值的芯粒。可选的，所述方法包括：根据缺陷定位数据生成缺陷mapping图；根据缺陷定位数据统计缺陷所在的单元格位置，并按发生率高低输出缺陷所在的单元格的排行榜；或者，根据缺陷定位数据统计缺陷所在的芯粒，并按发生率高低输出缺陷所在的芯粒排行榜；或者，根据比对频发缺陷的定位数据和频发缺陷所在芯粒的坐标值范围，判断缺陷在芯粒中的位置，输出在芯粒中缺陷频发的局部图片的排行榜。可选的，所述方法包括以下步骤:根据缺陷数量，采用以下公式统计芯粒良率：NTotaldie为待测晶圆所包含的芯粒的总数量，NDefectdie为待测晶圆所包含的存在缺陷的芯片的数量，Yield为芯粒良率。可选的，所述方法包括：得到每种样品检测模型的颜色分量范围后，修订每个检测模型对应的颜色分量值的规格范围。可选的，所述方法包括：将晶圆扫描图上芯粒的颜色分量值调整至相应的规格范围内后，将调整后的颜色分量值与预设修订好的规格范围的颜色分量值进行比较。可选的，所述颜色检测模式包括RGBSingle模式、RGBMultiple模式、GraySingle模式、GrayMultiple模式中的任意一种。专利技术人还提供了一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如前文所述的方法步骤。区别于现有技术，上述技术方案所述的芯粒缺陷检测的方法和存储介质，所述方法包括：建立与产品相关的颜色检测模型；扫描待测晶圆，生成晶圆扫描图；根据颜色检测模式，将晶圆扫描图的颜色分量与样品颜色检测模型中的颜色分量值进行比对，根据两者的误差范围输出待测晶圆的检测结果。本申请应用光电转换和数模转换的原理以及PC端的处理，通过对比像素的RGB值，达到可自动检测晶圆表面缺陷的方法，再对不同待测薄膜、涂层等模型的扫描和校准，达到可检测模型均匀性的方法。附图说明图1为本专利技术一具体实施方式涉及的光电转换原理的示意图；图2为本专利技术一具体实施方式涉及的单层模型对应的RGB值的示意图；图3为本专利技术一具体实施方式涉及的双层模型对应的RGB值的示意图；图4为本专利技术一具体实施方式涉及的N层模型对应的RGB值的示意图；图5为本专利技术一具体实施方式涉及的多层模型对应的灰度等级m的示意图；图6为本专利技术一具体实施方式涉及的带网格的初始晶圆图表的示意图；图7为本专利技术一具体实施方式涉及的具有虚拟坐标的晶圆图表的示意图；图8为本专利技术一具体实施方式涉及的基于单元格扫描晶圆的示意图；图9为本专利技术一具体实施方式涉及的基于小方格扫描单元格的示意图；图10为本专利技术一具体实施方式涉及的Multiple模式缺陷的晶圆图表的示意图；图11为本专利技术一具体实施方式涉及的Single模式缺陷的晶圆图表的示意图；图12为本专利技术一具体实施方式涉及的Multiple模式缺陷频发芯粒排行榜示意图；图13为本专利技术一具体实施方式涉及的Single模式缺陷频发芯粒排行榜示意图；图14-A为本专利技术一具体实施方式涉及的芯粒缺陷频发位置的示意图；图14-B为本专利技术另一具体实施方式涉及的芯粒缺陷频发位置的示意图；图15为本专利技术一具体实施方式涉及的Multiple模式AVI良率的示意图；图16为本专利技术一具体实施方式涉及的Single模式AVI良率的示意图；图17为本专利技术一具体实施方式涉及的晶圆缺陷自动检测设备内部示意图；图18为本专利技术一具体实施方式涉及的晶圆缺陷自动检测设备外观示意图；图19为本专利技术一具体实施方式涉及的芯粒缺陷检测的方法的流程图。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。请参阅图19，为本专利技术一具体实施方式涉及的芯粒缺陷检测的方法的流程图。所述方法包括以下步骤:首先进入步骤S1901建立与产品相关的颜色检测模型；而后进入步骤S1902扫描待测晶圆，生成晶圆扫描图；而后进入步骤S1903根据颜色检测模式，将晶圆扫描图的颜色分量与样品颜色检测模型中的颜色分量值进行比对，根据两者的误差范围输出待测晶圆的检测结果。优选的，所述晶圆包括多个芯粒，所述方法包括以下步骤:统计待测晶圆上芯粒缺陷数量、大小、芯粒位置信息，并计算芯粒良率，输出测试结果；所述芯粒缺陷为晶圆扫描图颜色分量值与样品颜色检测模型中的颜色分量值差值大于预设误误差值的芯粒。优选的，所述方法包括：根据缺陷定位数据生成缺陷mapping图；根据缺陷定位数据统计缺陷所在的单元格位置，并按发生率高低输出缺陷所在的单元格的排行榜；或者，根据缺陷定位数据统计缺陷所在的芯粒，并按发生率高低输出缺陷所在的芯粒排行榜；或者，根据比对频发缺陷的定位数据和频发缺陷所在芯粒的坐标值范围，判断缺陷在芯粒中的位置，输出在芯粒中缺陷频发的局部图片的排行榜。优选的，所述方法包括以下步骤:根据缺陷数量，采用以下公式统计芯粒良率：NTotaldie为待测晶圆所包含的芯粒的总数量，NDefectdie为待测晶圆所包含的存在缺陷的芯片的数量，Yield为芯粒良率。优选的，所述方法包括：得到每种样品检测模型的颜色分量范围后，修订每个检测模型对应的颜色分量值的规格范围。优选的，所述方法包括：将晶圆扫描图上芯粒的颜色分量值调整至相应的规格范围内后，将调整后的颜色分量值与预设修订好的规格范围的颜色分量值进行比较。优选的，所述颜色检测模式包括RGBSingle模式、RGBMultiple模式、GraySingle模式、GrayMul本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯粒缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:/n建立与产品相关的颜色检测模型；/n扫描待测晶圆，生成晶圆扫描图；/n根据颜色检测模式，将晶圆扫描图的颜色分量与样品颜色检测模型中的颜色分量值进行比对，根据两者的误差范围输出待测晶圆的检测结果。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯粒缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:
建立与产品相关的颜色检测模型；
扫描待测晶圆，生成晶圆扫描图；
根据颜色检测模式，将晶圆扫描图的颜色分量与样品颜色检测模型中的颜色分量值进行比对，根据两者的误差范围输出待测晶圆的检测结果。


2.如权利要求1所述的芯粒缺陷检测的方法，其特征在于，所述晶圆包括多个芯粒，所述方法包括以下步骤:
统计待测晶圆上芯粒缺陷数量、大小、芯粒位置信息，并计算芯粒良率，输出测试结果；所述芯粒缺陷为晶圆扫描图颜色分量值与样品颜色检测模型中的颜色分量值差值大于预设误误差值的芯粒。


3.如权利要求2所述的芯粒缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法包括：
根据缺陷定位数据生成缺陷mapping图；
根据缺陷定位数据统计缺陷所在的单元格位置，并按发生率高低输出缺陷所在的单元格的排行榜；
或者，根据缺陷定位数据统计缺陷所在的芯粒，并按发生率高低输出缺陷所在的芯粒排行榜；
或者，根据比对频发缺陷的定位数据和频发缺陷所在芯粒的坐标值范围，判断缺陷在芯粒中的位置，输出在芯粒中缺陷频发的局部图片的排行榜。


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【专利技术属性】
技术研发人员：林锦伟，许新贵，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35