一种空气桥制程方法及空气桥技术

本发明专利技术涉及一种空气桥制程方法及空气桥，包括如下步骤：在半导体材料上完成第一电极，第二电极，并涂布第一光阻层，经曝光/显影后进行烘烤，烘烤后在整体的上表面整面沉积一介质层；在介质层上与第一光阻层相对应的位置涂布第二光阻层，经曝光/显影后，蚀刻第二光阻层外的介质层，再将第二光阻层去除；在半导体材料上围绕第一电极、第二电极的位置和介质层上待做桥孔的位置涂布第三光阻层，光阻为负光阻，进行曝光/显影；整体的上表面整面蒸镀第三电极，将第三光阻层、待做桥孔的位置第三光阻层下的介质层、第一光阻层去除，完成整个空气桥制程。本发明专利技术能够提高了垂直空间上的抗压能力、提高了水平面上桥的抗高压冲洗能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是一种空气桥制程方法及空气桥。

技术介绍

1、气桥是一种创新的三维互连结构，通过在芯片表面悬空搭建桥体，空气桥作为半导体中的关键结构，已经在化合物半导体(如gaas、gan)工艺中成熟应用，将两接点相连并横跨其他线路，常用的制造工艺如图1和图2所示：首先沉积可移除材料(如光刻胶)填充桥体下方的预留空间，再通过电镀或沉积形成金属桥体结构，最后选择性刻蚀去除牺牲层，形成架空通道，但是常规的制造工艺制的空气桥存在垂直方向上抗压性能较差，容易被压塌，导致外观异常，空气桥在水平面方向上抗冲洗能力不佳，特别桥面较窄时容易被冲断或产生裂纹的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种空气桥制程方法及空气桥，能够提高了垂直空间上的抗压能力、提高了水平面上桥的抗高压冲洗能力。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种空气桥制程方法，包括如下步骤：

3、步骤s1、在半导体材料上完成第一电极，第二电极，并涂布第一光阻层，经曝光/显影后进行烘烤，烘烤后在整体的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种空气桥制程方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种空气桥制程方法，其特征在于：所述介质层沉积的方法是利用等离子体辅助的原子层沉积技术，沉积的温度在80℃以下。

3.根据权利要求1所述的一种空气桥制程方法，其特征在于：所述介质层采用的材料为Al2O3、TiO2、Ta2O5、ZrO2、HfO2、SnO2、ZnO、La2O3、V2O5或SiO2，所述介质层的厚度为10nm～100nm。

4.根据权利要求1所述的一种空气桥制程方法，其特征在于：所述第一光阻层、第二光阻层和第三光阻层的材质均由树脂和光敏剂组成，第二光阻层厚度大于3u...

【技术特征摘要】

1.一种空气桥制程方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种空气桥制程方法，其特征在于：所述介质层沉积的方法是利用等离子体辅助的原子层沉积技术，沉积的温度在80℃以下。

3.根据权利要求1所述的一种空气桥制程方法，其特征在于：所述介质层采用的材料为al2o3、tio2、ta2o5、zro2、hfo2、sno2、zno、la2o3、v2o5或sio2，所述介质层的厚度为10nm～100nm。

4.根据权利要求1所述的一种空气桥制程方法，其特征在于：所述第一光阻层、第二光阻层和第三光阻层的材质均由树脂和光敏剂组成，第二光阻层厚度大于3um，第三光阻层厚度为4～6um。

5.根据权利要求1所述的一种空气桥制程方法，其特征在于：第三电极的材质为ti、pt或au，第三电极厚度在2um～4um。...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄光伟，张朝闵，陈建星，吴靖，陈超，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：