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本发明涉及一种空气桥制程方法及空气桥，包括如下步骤：在半导体材料上完成第一电极，第二电极，并涂布第一光阻层，经曝光/显影后进行烘烤，烘烤后在整体的上表面整面沉积一介质层；在介质层上与第一光阻层相对应的位置涂布第二光阻层，经曝光/显影后，蚀刻...
该专利属于福建省福联集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省福联集成电路有限公司授权不得商用。

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