一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，包括镜检装置本体，镜检装置本体由带膜伸张环和带膜铁环组成，带膜伸张环和带膜铁环上均设置有蓝膜，蓝膜的一侧表面有粘性，带膜伸张环的蓝膜的粘性一面与带膜铁环的蓝膜的粘性一面贴合连接，芯片本体的背面朝上置于镜检装置本体上；本实用新型专利技术具有可承载全切后的芯片并保证芯片本体正面悬空不与其他物体接触，减少芯片本体正面的污染和损伤，且制作简单、成本低廉、能重复使用，充分节省了离型纸的物料成本的优点。

A mirror inspection device for fully cut LED chips on GaAs substrate

【技术实现步骤摘要】
一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置
本技术属于GaAs衬底LED芯片
，涉及一种镜检装置，具体为一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置。
技术介绍
LED芯片全切后的镜检装置是用于结合镜检结果及时管控切割品质。现有GaAs衬底LED芯片全切后的镜检技术是将芯片全切后先在芯片正面贴附一张离型纸用以保护芯片正面不被损伤和污染，将贴附离型纸的芯片背面向上放置于高倍显微镜的载台上，透过背面蓝膜来观察芯片背面的切割品质，结合镜检结果及时管控切割品质，导致在镜检过程中存在着离型纸物料的损耗问题。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决现有GaAs衬底LED芯片全切后的镜检技术是将芯片全切后先在芯片正面贴附一张离型纸用以保护芯片正面不被损伤和污染，将贴附离型纸的芯片背面向上放置于高倍显微镜的载台上，透过背面蓝膜来观察芯片背面的切割品质，结合镜检结果及时管控切割品质，导致在镜检过程中存在着离型纸物料的损耗问题，而提出一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置。本技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，包括镜检装置本体，镜检装置本体由带膜伸张环和带膜铁环组成，带膜伸张环和带膜铁环上均设置有蓝膜，蓝膜的一侧表面有粘性，带膜伸张环的蓝膜的粘性一面与带膜铁环的蓝膜的粘性一面贴合连接，芯片本体的背面朝上置于镜检装置本体上。优选的，带膜铁环由铁环和蓝膜组成，蓝膜粘贴在铁环的内圈边缘上，并位于铁环的背面上。优选的，带膜伸张环由伸张环和蓝膜组成，蓝膜设置在伸张环内圈内。优选的，芯片本体由GaAs材料制成，芯片本体的尺寸小于伸张环的尺寸。与现有技术相比，本技术的有益效果是：将蓝膜贴附在铁环背面沿内圈边缘位置上，得到带膜铁环；将带膜的铁环放置于扩膜机上进行扩膜，扩膜后裁去伸张环边缘多余的蓝膜，得到带膜伸张环；将带膜伸张环的蓝膜粘性一面与带膜铁环的蓝膜粘性一面均匀贴合，并除去气泡，得到镜检装置本体；将全切后的芯片本体背面向上放置于镜检装置本体上，再将镜检装置本体放置于高倍显微镜载台上，即可进行镜检观察芯片本体背面的切割品质；本镜检装置本体有效替代传统离型纸用于GaAs衬底LED芯片全切后的显微镜镜检，解决了现有镜检技术中离型纸物料的损耗问题；和本镜检装置本体具有结构简单，设计合理，易于制造，可重复使用的优点；本镜检装置可承载全切后的芯片并保证芯片本体正面悬空不与其他物体接触，使得芯片本体可以达到良好的镜检效果，减少芯片本体正面的污染和损伤。附图说明为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本技术作进一步的说明。图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的带膜伸张环结构示意图；图3为本技术的带膜铁环结构示意图；图4为GaAs衬底LED芯片全切后的示意图。图中：1、铁环；2、伸张环；3、蓝膜；4、芯片本体；5、带膜铁环；6、带膜伸张环。具体实施方式下面将结合实施例对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1请参阅图1-4所示，一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，包括镜检装置本体，镜检装置本体由带膜伸张环6和带膜铁环5组成，带膜伸张环6和带膜铁环1上均设置有蓝膜3，蓝膜3的一侧表面有粘性，带膜伸张环6的蓝膜3的粘性一面与带膜铁环5的蓝膜3的粘性一面贴合连接，芯片本体4的背面朝上置于镜检装置本体上。带膜铁环5由铁环1和蓝膜3组成，蓝膜3粘贴在铁环1的内圈边缘上，并位于铁环1的背面上。带膜伸张环6由伸张环2和蓝膜3组成，蓝膜3设置在伸张环2内圈内。带膜铁环5和带膜伸张环6具有结构简单，设计合理，易于制造，且可以重复使用的优点。芯片本体4由GaAs材料制成，芯片本体4的尺寸小于伸张环2的尺寸，使得芯片本体4可以达到良好的镜检效果，减少芯片被他正面的污染和损伤。实施例2上述实施例1中镜检装置本体的制备方法:S1、带膜铁环5的制备：将蓝膜3贴附在铁环1背面沿内圈边缘位置上，即可得到带膜铁环5；S2、带膜伸张环6的制备：将带膜铁环5放置于扩膜机上进行扩膜，扩膜后裁去伸张环2边缘多余的蓝膜3，即可得到带膜伸张环6；S3、镜检装置本体的制备：将带膜伸张环6的蓝膜3粘性一面与带膜铁环5的蓝膜3粘性一面均匀贴合，并除去气泡，即可得到镜检装置本体；S4、将全切后的芯片本体4背面向上放置于镜检装置本体上，再将镜检装置本体放置于高倍显微镜载台上，即可进行镜检观察芯片本体4背面的切割品质。本技术的工作原理：将蓝膜3贴附在铁环1背面沿内圈边缘位置上，得到带膜铁环5；将带膜铁环5放置于扩膜机上进行扩膜，扩膜后裁去伸张环2边缘多余的蓝膜3，得到带膜伸张环6；将带膜伸张环6的蓝膜3粘性一面与带膜铁环5的蓝膜3粘性一面均匀贴合，并除去气泡，得到镜检装置本体；将全切后的芯片本体4背面向上放置于镜检装置本体上，再将镜检装置本体放置于高倍显微镜载台上，即可进行镜检观察芯片本体4背面的切割品质；该镜检装置本体可以承载全切后的芯片本体4并保证芯片本体4正面悬空不与其他物体接触，且该装置制作简单、成本低廉、能重复使用，充分节省了离型纸的物料成本。以上公开的本技术优选实施例只是用于帮助阐述本技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该技术仅为的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本技术。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，其特征在于：包括镜检装置本体，镜检装置本体由带膜伸张环(6)和带膜铁环(5)组成，带膜伸张环(6)和带膜铁环(5)上均设置有蓝膜(3)，蓝膜(3)的一侧表面有粘性，带膜伸张环(6)的蓝膜(3)的粘性一面与带膜铁环(5)的蓝膜(3)的粘性一面贴合连接，芯片本体(4)的背面朝上置于镜检装置本体上。/n

【技术特征摘要】
1.一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，其特征在于：包括镜检装置本体，镜检装置本体由带膜伸张环(6)和带膜铁环(5)组成，带膜伸张环(6)和带膜铁环(5)上均设置有蓝膜(3)，蓝膜(3)的一侧表面有粘性，带膜伸张环(6)的蓝膜(3)的粘性一面与带膜铁环(5)的蓝膜(3)的粘性一面贴合连接，芯片本体(4)的背面朝上置于镜检装置本体上。


2.根据权利要求1所述的一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，其特征在于，带膜铁环(5)由...

【专利技术属性】
技术研发人员：王祥，廉天浩，石剑波，孔笑天，
申请(专利权)人：马鞍山太时芯光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34