一种检测缺陷的设计方法技术

本发明专利技术提供一种检测缺陷的设计方法，在版图的每个shot中选定testkey区域；按照需要检测的层将testkey区域划分为m*n的矩阵单元，其中m为层数；在每个单元中设置多组缺陷分布，每个单元中的多组缺陷分布依照m*n矩阵的列依次错位排布；将设置有缺陷分布的testkey的版图输出为GDS文件，本发明专利技术设计不同尺寸和不同种类缺陷，采用工厂产品流程生产的多个层的晶圆,作为YE检测机台捕捉率检测晶圆，更加贴合实际监测机台状态，同时能有效提高产品良率。

A design method of detecting defects

【技术实现步骤摘要】
一种检测缺陷的设计方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种检测缺陷的设计方法。
技术介绍
在集成电路制造领域，随着工艺尺寸的不断缩小，对缺陷的捕捉能力要求越来越高，其中良率YE检测机台要求高精度检测水准；目前的检测方法是晶圆大块孤立区域缺陷检测，如图1所示，图1显示为现有技术中晶圆上孤立区域缺陷检测示意图。然而YE检测机台针对不同缺陷的捕捉能力较弱，因捕捉能力弱，导致致命缺陷不易被检测从而造成良率低下问题。因此，需要提供一种新的方法用于解决上述问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种检测缺陷的设计方法，用于解决现有技术中由于YE机台对不同缺陷捕捉能力较弱，导致致命缺陷不易被检测从而造成良率低下的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种检测缺陷的设计方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、在版图的每个shot中选定testkey区域；步骤二、按照需要检测的层将所述testkey区域划分为m*n的矩阵单元，其中m为层数；步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测缺陷的设计方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、在版图的每个shot中选定testkey区域；/n步骤二、按照需要检测的层将所述testkey区域划分为m*n的矩阵单元，其中m为层数；/n步骤三、在每个所述单元中设置多组缺陷分布，每个所述单元中的所述多组缺陷分布依照所述m*n矩阵的列依次错位排布；/n步骤四、将设置有所述缺陷分布的testkey的版图输出为GDS文件。/n

【技术特征摘要】
1.一种检测缺陷的设计方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、在版图的每个shot中选定testkey区域；
步骤二、按照需要检测的层将所述testkey区域划分为m*n的矩阵单元，其中m为层数；
步骤三、在每个所述单元中设置多组缺陷分布，每个所述单元中的所述多组缺陷分布依照所述m*n矩阵的列依次错位排布；
步骤四、将设置有所述缺陷分布的testkey的版图输出为GDS文件。


2.根据权利要求1所述的检测缺陷的设计方法，其特征在于：步骤一中所述testkey区域的形状大小为长300微米、宽300微米的矩形。


3.根据权利要求1所述的检测缺陷的设计方法，其特征在于：步骤二中所需要检测的层数目为5层。


4.根据权利要求3所述的检测缺陷的设计方法，其特征在于：步骤二中所需要检测的层分别为有源区层、多晶硅层、第一金属硬掩膜层、第二金属硬掩膜层、第三金属硬掩膜层。


5.根据权利要求3所述的检测缺陷的设计方法，其特征在于：步骤二中将所述testkey区域划分为5*3的矩阵单元，每个单元的形状大小为长100微米、宽60微米的矩形。


6.根据权利要求1所述的检测缺陷的设计方法，其特征在于：步骤三中在每个所述单元中设置10组所述缺陷分布。


7.根据权利要求1所述的检测缺陷的设计方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：米琳，张继亮，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32