晶圆背面固体颗粒侦测方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆背面固体颗粒侦测方法。包括以下步骤：对晶圆的参考层进行光刻，在参考层上形成参考图形标记；读取参考图形标记，获得参考图形标记的位置；对准参考图形标记的位置，对晶圆的当前层进行光刻，在当前层上形成测试图形标记；测量在参考层与当前层之间，晶圆的各区域的区域套刻误差；当一区域的区域套刻误差大于阈值范围，确定区域中有热点。本发明专利技术通过测量在不同层间，晶圆的套刻误差，根据套刻误差是否符合预定阈值，即可侦测定位即使粒径很小的固体颗粒所在的位置。

Solid particle detection method on the back of wafer

【技术实现步骤摘要】
晶圆背面固体颗粒侦测方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种晶圆背面固体颗粒侦测方法。
技术介绍
在半导体器件制造过程中，晶圆背面的洁净度是影响器件可靠性的重要因素之一。尤其是在光刻机作业时，光刻机台会因晶圆背面颗粒的存在而出现工作异常，从而可能会使得晶圆在颗粒位置形成热点(HotSpot)，进而导致聚焦误差和套刻误差，严重时可造成晶圆的返工和机台的宕机，因此，对晶圆颗粒的实时监测非常重要。目前，相关技术中，常用的晶圆颗粒检测方法为：通过光刻机自带的聚焦光斑监控功能来侦测是否出现热点，进而判断出晶圆背面是否有颗粒以及颗粒位置。相关技术对于检测尺寸较大的颗粒效果比较好，然而对于尺寸较小的颗粒，例如粒径小于0.250微米的颗粒几乎无法侦测到。
技术实现思路
本专利技术提供了一种晶圆背面固体颗粒侦测方法，可以解决相关技术中对于晶圆上粒径较小的颗粒无法侦测定位的问题。一方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆背面固体颗粒侦测方法，包括以下步骤：对晶圆的参考层进行光刻，在所述参考层上形成参考图形标记；<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，包括以下步骤：/n对晶圆的参考层进行光刻，在所述参考层上形成参考图形标记；/n读取所述参考图形标记，获得所述参考图形标记的位置；/n对准所述参考图形标记的位置，对所述晶圆的当前层进行光刻，在所述当前层上形成测试图形标记；/n测量在所述参考层与所述当前层之间，所述晶圆的各区域的区域套刻误差；/n当一区域的所述区域套刻误差大于阈值范围，确定所述区域中有热点。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，包括以下步骤：
对晶圆的参考层进行光刻，在所述参考层上形成参考图形标记；
读取所述参考图形标记，获得所述参考图形标记的位置；
对准所述参考图形标记的位置，对所述晶圆的当前层进行光刻，在所述当前层上形成测试图形标记；
测量在所述参考层与所述当前层之间，所述晶圆的各区域的区域套刻误差；
当一区域的所述区域套刻误差大于阈值范围，确定所述区域中有热点。


2.如权利要求1所述的晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，所述测量在所述参考层与所述当前层之间，所述晶圆的各区域的区域套刻误差，包括：
将所述晶圆划分为若干个区域；
在所述参考层上，获取各个所述区域中对应的参考图形标记，以及所述参考图形标记相对于所述区域的区域参考坐标参数；
在所述当前层上，获取各个所述区域中对应的测试图形标记，以及所述测试图形标记相对于所述区域的区域测试坐标参数；
根据所述区域参考坐标参数和区域测试坐标参数，计算区域套刻误差。


3.如权利要求2所述的晶圆背面固体颗粒侦测方法，其特征在于，所述在所述参考层上，获取各个所述区域中对应的参考图形标记，以及所述参考图形标记相对于所述区域的区域参考坐标参数，包括：
在所述参考层上，识别各个所述区域中对应的参考图形标记；
确定所述参考图形标记上的特征点；
确定所述参考图形标记上的特征点相对于所述区域的坐标参数，作为所述区域参考坐标参数。


4.如权利要求2所述的晶圆背面固体颗粒侦测方...

【专利技术属性】
技术研发人员：金乐群，吴长明，姚振海，李玉华，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32