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本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆背面固体颗粒侦测方法。包括以下步骤：对晶圆的参考层进行光刻，在参考层上形成参考图形标记；读取参考图形标记，获得参考图形标记的位置；对准参考图形标记的位置，对晶圆的当前层进行光刻，在当前层上形成测...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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