半导体工艺方法技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺方法,包括如下步骤：对待处理材料层进行离子注入；于离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；将表面形成有离子扩散阻挡层的待处理材料层进行退火处理。本发明专利技术的半导体工艺方法通过首先在离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层，再将离子注入后的待处理材料层进行退火处理，在退火处理过程中，离子扩散阻挡层可以阻挡离子的扩散，从而避免离子扩散至快速热退火机台的腔室内，不会在快速热退火机台的腔室内壁造成附着，可以确保温度探测装置准确探测快速热退火机台的腔室内的温度，降低产品的报废率；同时，还可以降低快速热退火机台的维护频率，从而节约人力物力。

Semiconductor process

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺方法
本专利技术属于微电子
，特别是涉及半导体工艺方法。
技术介绍
在现有的半导体工艺流程中，在对多晶硅进行N型或P型离子掺杂后一般会对离子掺杂后的多晶硅进行高温退火处理；退火处理一般会在快速热退火(RTA，RapidThermalAnneal)机台上进行，即会将离子掺杂后的所述多晶硅直接置于所述快速热退火机台的腔室内进行高温退火处理。然而，在对离子掺杂后的所述多晶硅进行高温退火处理时，掺杂离子会从所述多晶硅中扩散至所述快速热退火机台的腔室，并会在所述快速热退火机台的腔室内壁附着(Coating)；而掺杂离子在所述快速热退火机台的腔室内壁附着会导致温度探测装置无法准确探测所述快速热退火机台的腔室内的实际温度，从而会影响器件的性能；同时，掺杂离子在所述快速热退火机台的腔室内壁附着还会增加所述快速热退火机台的维护(PM)的频率，从而造成人力物力的浪费。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体工艺方法，用于解决现有技术中离子掺杂后的述多晶硅使用快速热退火机台进行高温退火处理时存在的掺杂离子会从所述多晶硅中扩散至所述快速热退火机台的腔室，并会在所述快速热退火机台的腔室内壁附着，进而导致的温度探测装置无法准确探测所述快速热退火机台的腔室内的实际温度，从而会影响器件的性能的问题，以及会增加所述快速热退火机台的腔室维护的频率，从而造成人力物力的浪费问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法包括如下步骤：对待处理材料层进行离子注入；于离子注入后的所述待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理。可选地，所述待处理材料层包括多晶硅层，所述离子扩散阻挡层包括氧化物层。可选地，对所述待处理材料层进行离子注入包括如下步骤：于所述待处理材料层的上表面形成注入阻挡层，所述注入阻挡层内形成有开口图形，所述开口图形定义出所述待处理材料层的待注入区域；依据所述注入阻挡层对所述待处理材料层进行离子注入；去除所述注入阻挡层。可选地，使用快速热退火机台将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理。可选地，采用原子层沉积工艺于离子注入后的所述待处理材料层的表面形成所述离子扩散阻挡层。可选地，将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理后还包括如下步骤：去除所述离子扩散阻挡层；对所述待处理材料层进行刻蚀，以于所述待处理材料层内形成图形结构。本专利技术还提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括逻辑区域及器件区域；于所述衬底的表面形成待处理材料层，所述待处理材料层覆盖所述逻辑区域及所述器件区域；对所述待处理材料层位于所述器件区域的部分进行离子注入；对离子注入后的所述待处理材料层位于所述器件区域的部分进行刻蚀，以于所述待处理材料层位于所述器件区域的部分内形成第一图形结构；对所述待处理材料层位于所述逻辑区域的部分进行离子注入；于所述待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层，所述离子扩散阻挡层覆盖所述逻辑区域及所述器件区域；将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理。可选地，所述待处理材料层包括多晶硅层，所述离子扩散阻挡层包括氧化物层。可选地，使用快速热退火机台将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理。可选地，采用原子层沉积工艺于离子注入后的所述待处理材料层的表面形成所述离子扩散阻挡层。可选地，将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理后还包括如下步骤：去除所述离子扩散阻挡层；对所述待处理材料层位于所述逻辑区域的部分进行刻蚀，以于所述待处理材料层位于所述逻辑区域的部分内形成第二图形结构。如上所述，本专利技术的半导体工艺方法具有以下有益效果：本专利技术的半导体工艺方法通过首先在离子注入后的待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层，再将离子注入后的待处理材料层进行退火处理，在退火处理过程中，离子扩散阻挡层可以阻挡离子的扩散，从而避免离子扩散至快速热退火机台的腔室内，不会在快速热退火机台的腔室内壁造成附着，可以确保温度探测装置准确探测快速热退火机台的腔室内的温度，降低产品的报废率；同时，还可以降低快速热退火机台的维护频率，从而节约人力物力。附图说明图1显示为本专利技术实施例一中提供的半导体工艺方法流程图。图2至图6显示为本专利技术实施例一中提供的半导体工艺方法中各步骤所得结构的截面结构示意图。图7显示为本专利技术实施例二中提供的半导体工艺方法流程图。图8至图16显示为本专利技术实施例二中提供的半导体工艺方法中各步骤所得结构的截面结构示意图。元件标号说明10衬底11待处理材料层12离子扩散阻挡层13图形结构14注入阻挡层20衬底201逻辑区域202器件区域21待处理材料层22第一掩膜层23第二掩膜层24第三掩膜层25第一图形结构26离子扩散阻挡层27第二图形结构具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图16。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。实施例一请参阅图1，本专利技术提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法包括如下步骤：1)对待处理材料层进行离子注入；2)于离子注入后的所述待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；3)将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理。在步骤1)中，请参阅图1中的S1步骤及图2至图3，对待处理材料层11进行离子注入。作为示例，请参阅图2，所述待处理材料层11可以形成于衬底10的上表面。所述衬底10可以包括任意一种可以起到支撑作用的衬底，譬如，硅衬底、氮化镓衬底、蓝宝石衬底或玻璃衬底等等。当然，在其他示例中，所述待处理材料层11也可以即为现有的半导体衬底，譬如硅晶圆等等。作为示例，所述待处理材料层11可以包括但不仅限于多晶硅层。作为示例，步骤1)中，对所述待处理材料层11进行离子注入可以包括如下步骤：1-1)于所述待处理材料层11的上表面形成注入阻挡层14，如图3所示，所述注入阻挡层14内形成有开口图形(未标示出)，所述开口图形定义出所述待处理材料层11的待注入区域；1-2)依据所述注入阻挡层14对所述待处理材料层11进行离子注入；1-3)去除所述注入阻挡层14。作为示例，所述注入阻挡层14可以包括但不仅限于氮化硅层。作为示例，采用离子注入工艺对所述待处理材料层11进行离子注入；具体的，可以对所述待处理材料层11进行P型离子注入，也可以对所述待处理材料层11进行N型离子注入。具体的，可以采用离子注入工艺自所述待处理材料层11的上表面对所述待处理材料层11进行离子注入。在步骤2)中，请参阅图1中的S2步骤及图4，于离子注入后的所述待处理材料层11的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：对待处理材料层进行离子注入；于离子注入后的所述待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：对待处理材料层进行离子注入；于离子注入后的所述待处理材料层的表面形成离子扩散阻挡层；将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理。2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，所述待处理材料层包括多晶硅层，所述离子扩散阻挡层包括氧化物层。3.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，对所述待处理材料层进行离子注入包括如下步骤：于所述待处理材料层的上表面形成注入阻挡层，所述注入阻挡层内形成有开口图形，所述开口图形定义出所述待处理材料层的待注入区域；依据所述注入阻挡层对所述待处理材料层进行离子注入；去除所述注入阻挡层。4.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，使用快速热退火机台将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理。5.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺于离子注入后的所述待处理材料层的表面形成所述离子扩散阻挡层。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体工艺方法，其特征在于，将表面形成有所述离子扩散阻挡层的所述待处理材料层进行退火处理后还包括如下步骤：去除所述离子扩散阻挡层；对所述待处理材料层进行刻蚀，以于所述待处理材料层内形成图形结构。7.一种半导体工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦伟，洪纪伦，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32